-
公开(公告)号：KR1020160122678A
公开(公告)日：2016-10-24
申请号：KR1020160131869
申请日：2016-10-12
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L27/12 , H01L29/66 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/66742 , H01L29/78621 , H01L29/7869 , H01L27/1214
Abstract: 노광마스크수를삭감함으로써포토리소그래피단계를간략화하여, 산화물반도체를갖는반도체장치를저비용으로생산성좋게제조하는것을과제의한가지로한다. 채널에치구조의역스태거형박막트랜지스터를갖는반도체장치의제조방법에있어서, 투과한빛이복수의강도가되는노광마스크인다계조마스크에의해형성된마스크층을사용해서산화물반도체막및 도전막의에칭단계를행한다. 에칭단계에있어서, 제1 에칭단계는, 에칭액에의한웨트에칭을사용하고, 제2 에칭단계는에칭가스에의한드라이에칭을사용한다.
-
公开(公告)号：KR1020150072345A
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020140180295
申请日：2014-12-15
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Inventor： 야마자키순페이 , 시모무라아키히사 , 사토유헤이 , 야마네야수마사 , 야마모토요시타카 , 수자와히데오미 , 타나카테츠히로 , 오카자키유타카 , 오쿠노나오키 , 이시야마다카히사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 본발명은도통시의전류값이큰 트랜지스터를제공한다. 과잉산소를포함하는제 1 절연체와, 제 1 절연체위의제 1 산화물반도체와, 제 1 산화물반도체위의제 2 산화물반도체와, 제 2 산화물반도체위에서간격을두고배치된제 1 도전체및 제 2 도전체와, 제 1 산화물반도체의측면, 제 2 산화물반도체의상면및 측면, 제 1 도전체의상면, 및제 2 도전체의상면에접촉하는제 3 산화물반도체와, 제 3 산화물반도체위의제 2 절연체와, 제 2 절연체및 제 3 산화물반도체를개재하여제 2 산화물반도체의상면및 측면과대향하는제 3 도전체를갖고, 제 1 산화물반도체는제 3 산화물반도체보다산소투과성이높은반도체장치이다.
Abstract translation: 在本发明中提供了一种在馈电过程中具有高电流的晶体管。 半导体器件包括包含过量氢的第一绝缘体; 位于第一绝缘体上的第一氧化物半导体; 位于第一氧化物半导体上的第二氧化物半导体; 在所述第二氧化物半导体上布置成一定距离的第一导体和第二导体; 与第一氧化物半导体的侧面接触的第三氧化物半导体，第二氧化物半导体的上表面和侧面，第一导体的上表面和第二导体的上表面; 位于所述第三氧化物半导体上的第二绝缘体; 以及第三导体，插入所述第二绝缘体和所述第三导体，所述第二绝缘体和所述第三导体插入所述第二绝缘体和所述第三氧化物半导体，并且面向所述第二氧化物半导体的上表面和侧表面，其中所述第一氧化物半导体具有比所述第三氧化物 半导体。
-
公开(公告)号：KR100979926B1
公开(公告)日：2010-09-03
申请号：KR1020030013622
申请日：2003-03-05
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/02488 , H01L21/0262 , H01L21/02683 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L29/04 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78621 , H01L29/78675 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은, 고속동작이 가능하고 전류구동능력이 높고, 또한 복수의 소자사이에서 변동이 작은 반도체소자를 제공한다. 절연표면 상에, 실질적으로 복수의 결정방위를 포함하는 제 1 결정성 반도체영역을 가지며, 그 제 1 결정성 반도체영역이 도전성을 갖는 제 2 결정성 반도체영역에 접속되어 설치된 반도체소자에 있어서, 상기 제 1 결정성 반도체영역은, 상기 절연표면 상에 설치된 직선형 스트라이프 패턴으로 연장되는 절연막과 평행한 방향으로 연장되고, 상기 제 2 결정성 반도체영역은, 상기 직선형 스트라이프 패턴으로 연장되는 절연막에 걸쳐 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
반도체소자, 반도체영역, 스트라이프 패턴, 절연막, 결정성-
公开(公告)号：KR100843506B1
公开(公告)日：2008-07-04
申请号：KR1020060042564
申请日：2006-05-11
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F1/13458 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F2001/136231 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치로 대표되는 전기 광학 장치에 있어서, TFT의 공정수를 삭감하여 제조 코스트 저감 및 제품 비율 향상을 실현하는 것을 목적으로 한다. 동일한 절연 표면 상에 제 1 도전막으로 형성되는 제 1 배선 및 제 2 배선과, 상기 제 1 배선 및 제 2 배선에 대응하도록 상기 제 1 및 제 2 배선 상에 형성된 한 도전형인 제 1 반도체막과, 상기 한 도전형인 제 1 반도체막 상층에 형성되어 상기 제 1 배선 및 제 2 배선에 걸쳐 형성된 제 2 반도체막과, 상기 제 2 반도체막 상에 형성된 절연막과, 상기 절연막 상에 형성된 제 3 도전막을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
액티브 매트릭스형 액정 표시 장치, 전기 광학 장치, 도전막-
公开(公告)号：KR100817001B1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：KR1020010025783
申请日：2001-05-11
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: G02F1/136
Abstract: 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치로 대표되는 전기 광학 장치에 있어서, TFT의 공정수를 삭감하여 제조 코스트 저감 및 제품 비율 향상을 실현하는 것을 목적으로 한다. 동일한 절연 표면 상에 제 1 도전막으로 형성되는 제 1 배선 및 제 2 배선과, 상기 제 1 배선 및 제 2 배선에 대응하도록 상기 제 1 및 제 2 배선 상에 형성된 한 도전형인 제 1 반도체막과, 상기 한 도전형인 제 1 반도체막 상층에 형성되어 상기 제 1 배선 및 제 2 배선에 걸쳐 형성된 제 2 반도체막과, 상기 제 2 반도체막 상에 형성된 절연막과, 상기 절연막 상에 형성된 제 3 도전막을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
액티브 매트릭스형 액정 표시 장치, 전기 광학 장치, 도전막Abstract translation: 在有源矩阵型液晶显示装置中，通过为代表的电光装置中，能够减少TFT的步骤的数量是本发明以实现降低制造成本和提高的产率的目的。 在相同的绝缘表面上的第一和导电膜的第一布线和形成在所述第一布线的第二布线，并且以对应于所述第一和第二布线的第二导线形成在所述类型的导电性的第一半导体膜 时，形成型，其特征在于导电性的第一，第二半导体膜形成在所述布线和所述第二布线和形成在第二半导体层和形成在绝缘膜上的第三导电膜在第一绝缘膜中的第一半导体膜顶层上 并且其特征在于它了。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060082827A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：KR1020060042564
申请日：2006-05-11
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F1/13458 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F2001/136231 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치로 대표되는 전기 광학 장치에 있어서, TFT의 공정수를 삭감하여 제조 코스트 저감 및 제품 비율 향상을 실현하는 것을 목적으로 한다. 동일한 절연 표면 상에 제 1 도전막으로 형성되는 제 1 배선 및 제 2 배선과, 상기 제 1 배선 및 제 2 배선에 대응하도록 상기 제 1 및 제 2 배선 상에 형성된 한 도전형인 제 1 반도체막과, 상기 한 도전형인 제 1 반도체막 상층에 형성되어 상기 제 1 배선 및 제 2 배선에 걸쳐 형성된 제 2 반도체막과, 상기 제 2 반도체막 상에 형성된 절연막과, 상기 절연막 상에 형성된 제 3 도전막을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
액티브 매트릭스형 액정 표시 장치, 전기 광학 장치, 도전막Abstract translation: 在有源矩阵型液晶显示装置中，通过为代表的电光装置中，能够减少TFT的步骤的数量是本发明以实现降低制造成本和提高的产率的目的。 在相同的绝缘表面上的第一和导电膜的第一布线和形成在所述第一布线的第二布线，并且以对应于所述第一和第二布线的第二导线形成在所述类型的导电性的第一半导体膜 时，形成型，其特征在于导电性的第一，第二半导体膜形成在所述布线和所述第二布线和形成在第二半导体层和形成在绝缘膜上的第三导电膜在第一绝缘膜中的第一半导体膜顶层上 并且其特征在于它了。
-
公开(公告)号：KR102166554B1
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：KR1020140016162
申请日：2014-02-12
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
-
公开(公告)号：KR102068623B1
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：KR1020120135372
申请日：2012-11-27
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
-
公开(公告)号：KR102005717B1
公开(公告)日：2019-07-31
申请号：KR1020180092166
申请日：2018-08-08
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L27/12 , H01L29/66 , H01L29/786
-
公开(公告)号：KR1020100045926A
公开(公告)日：2010-05-04
申请号：KR1020090100528
申请日：2009-10-22
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H01L29/66742 , H01L29/78696
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of the semiconductor device uses the gray-scale mask. Thereby, the ream of the photo mask is reduced. CONSTITUTION: A gate electrode layer(401) is formed on a substrate(400) having insulating surface. A gate isolation layer(402), an oxide semiconductor film, and a conductive film are successively formed on the gate electrode layer. The first mask layer is formed on the gate isolation layer, the oxide semiconductor film, and the conductive film.
Abstract translation: 目的：半导体器件的制造方法使用灰度掩模。 因此，减少了光掩模的印刷。 构成：在具有绝缘表面的基板（400）上形成栅电极层（401）。 栅极隔离层（402），氧化物半导体膜和导电膜依次形成在栅电极层上。 第一掩模层形成在栅极隔离层，氧化物半导体膜和导电膜上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.02 seconds)
