公开(公告)号：KR1020150097516A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：KR1020157016047

申请日：2013-12-13

申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤

发明人： 소메야,야스노부 ,  와카야마,히로유키 ,  엔도,타카후미 ,  사카모토,리키마루

IPC分类号： G03F7/11 ,  C09D125/00 ,  C09D139/04 ,  C09D145/00 ,  B05D1/38 ,  B05D3/10 ,  B05D7/24

CPC分类号： C08J5/18 ,  B05D1/005 ,  B05D1/322 ,  B05D3/0254 ,  C08J2325/02 ,  C08J2325/08 ,  C08J2325/14 ,  C08J2333/12 ,  C08J2339/04 ,  C09D139/04 ,  C09D145/00 ,  C09D153/00 ,  C09D201/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10T428/24802

摘要： [과제] 상층의 자기조직화막과 인터믹싱(층혼합)을 일으키지 않고, 자기조직화막에 수직패턴을 형성하는 자기조직화막의 하층막을 제공한다. [해결수단] 폴리머의 전체 단위구조당 다환방향족 비닐화합물의 단위구조를 0.2몰% 이상 갖는 폴리머를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기조직화막의 하층막 형성조성물. 상기 폴리머는, 방향족 비닐화합물의 단위구조를 폴리머의 전체 단위구조당 20몰% 이상 갖고, 또한 방향족 비닐화합물의 전체 단위구조당 다환방향족 비닐화합물의 단위구조를 1몰% 이상 갖는 폴리머이다. 상기 방향족 비닐화합물은, 각각 치환될 수도 있는 비닐나프탈렌, 아세나프틸렌 또는 비닐카르바졸을 포함하고, 상기 다환방향족 비닐화합물은 비닐나프탈렌, 아세나프틸렌 또는 비닐카르바졸이다. 또한, 상기 방향족 비닐화합물은 치환될 수도 있는 스티렌과 각각 치환될 수도 있는 비닐나프탈렌, 아세나프틸렌 또는 비닐카르바졸을 포함하고, 다환방향족 비닐화합물이 비닐나프탈렌, 아세나프틸렌 또는 비닐카르바졸이다.

摘要翻译： 提供了用于自组装膜的下层膜，并且不与作为上层的自组装膜混合（层混合），并且能够形成自组装膜的垂直图案。 一种用于自组装膜的下层膜组合物，其包含相对于所述聚合物的所有单元结构包含0.2摩尔％以上的多环芳族乙烯基化合物的单元结构的聚合物。 该聚合物相对于聚合物的所有单元结构包含20摩尔％以上的芳族乙烯基化合物的单元结构，相对于所有单元，包含1摩尔％以上的多环芳香族乙烯基化合物的单元结构 芳族乙烯基化合物的结构。 芳族乙烯基化合物包括任选取代的乙烯基萘，苊烯或乙烯基咔唑，多环芳族乙烯基化合物是乙烯基萘，苊烯或乙烯基咔唑。 芳族乙烯基化合物包括任选取代的苯乙烯和任选取代的乙烯基萘，苊烯或乙烯基咔唑，多环芳族乙烯基化合物是乙烯基萘，苊烯或乙烯基咔唑。

公开(公告)号：KR1020150095693A

公开(公告)日：2015-08-21

申请号：KR1020157016358

申请日：2013-12-12

申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤

发明人： 소메야,야스노부 ,  카라사와,료 ,  하시모토,케이스케 ,  신조,테츠야 ,  사카모토,리키마루

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  C08G8/04

CPC分类号： G03F7/11 ,  C09D161/12 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  Y10T428/31942

摘要： [과제] 높은 드라이에칭내성, 위글링내성, 내열성 등을 갖는 리소그래피 공정에 이용되는 레지스트 하층막을 제공한다.
[해결수단] 식(1):

(식(1) 중, A는 폴리하이드록시 방향족 화합물에서 유래하는 탄소수 6 내지 40의 하이드록시기 치환 아릴렌기를 나타내고, B는 탄소수 6 내지 40의 아릴렌기 또는 질소원자, 산소원자, 황원자 혹은 이들의 조합을 포함하는 탄소수 4 내지 30의 복소환기를 나타내고, X
+ 는 H
+ , NH
4
+ , 제1급 암모늄이온, 제2급 암모늄이온, 제3급 암모늄이온, 또는 제4급 암모늄이온을 나타내고, T는 수소원자, 또는 할로겐기, 하이드록시기, 니트로기, 아미노기, 카르본산에스테르기, 니트릴기, 혹은 이들을 조합한 치환기로 치환될 수도 있는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 40의 아릴기 또는 질소원자, 산소원자, 황원자 혹은 이들의 조합을 포함하는 탄소수 4 내지 30의 복소환기를 나타내고, B와 T는 이들이 결합하는 탄소원자와 함께 탄소수 4 내지 40의 환을 형성할 수도 있다.)의 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성조성물.

公开(公告)号：KR1020150022880A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：KR1020147036029

申请日：2013-06-21

申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤

发明人： 소메야,야스노부 ,  타케다,사토시 ,  하시모토,케이스케 ,  신조,테츠야 ,  사카모토,리키마루

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/32

CPC分类号： H01L21/0337 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  G06F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/0273

摘要： [과제] 해상한계의 악화가 없어 양호한 패턴을 형성하는 것이 가능한 하층막재료를 이용한 반도체장치의 제조방법을 제공한다.
[해결수단] 반도체기판 상에 유기하층막을 형성하는 공정, 그 위에 무기 하드마스크를 형성하는 공정, 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 광 또는 전자선의 조사와 용제현상을 이룸으로써 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 레지스트 패턴에 의해 상기 무기 하드마스크를 에칭하는 공정, 패턴화된 무기 하드마스크에 의해 이 유기하층막을 에칭하는 공정, 및 패턴화된 유기하층막에 의해 반도체기판을 가공하는 공정에 있어서, 상기 유기하층막이, 에폭시기, 이소시아네이트기, 블록이소시아네이트기 및 벤조시클로부텐환기로 이루어진 군으로부터 선택되는 관능기를 갖는 유기기를 포함하는 화합물과 유기용제를 포함하는 유기하층막 형성조성물의, 도포와 가열에 의해 얻어진 유기하층막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.

公开(公告)号：KR101866828B1

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：KR1020137008102

申请日：2011-10-07

申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤

发明人： 오쿠야마,히로아키 ,  소메야,야스노부 ,  카토,마사카즈 ,  신조,테츠야 ,  하시모토,케이스케

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G65/40 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/11 ,  C08G65/4006 ,  C08G65/4012 ,  C08G2650/40 ,  C08L71/00 ,  C09D171/00 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/32 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3086 ,  Y10T428/31942

摘要： [과제] 내열성을가지며, 또한하드마스크특성을갖는레지스트하층막을형성하기위한레지스트하층막형성조성물을제공한다. [해결수단] 하기식(1): (식(1) 중, Ar은탄소수 6 내지 50의아릴렌기또는복소환기를포함하는유기기를나타낸다.)로표시되는단위구조, 하기식(2): (단, 식(2) 중, Ar, Ar및 Ar는각각탄소수 6 내지 50의아릴렌기또는복소환기를포함하는유기기를나타내고, T는카르보닐기또는술포닐기를나타낸다.)로표시되는단위구조, 또는이들단위구조의조합을포함하는폴리머를포함하는리소그래피용레지스트하층막형성조성물. 상기 Ar및 Ar의아릴렌기를포함하는유기기가, 플루오렌구조를포함하는유기기이다.

公开(公告)号：KR1020160058761A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：KR1020167004799

申请日：2014-09-16

申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤

发明人： 엔도,타카후미 ,  소메야,야스노부 ,  와카야마,히로유키 ,  사카모토,리키마루

IPC分类号： C09D201/00 ,  C09D165/00 ,  C09D145/00 ,  C09J133/06 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  C08F32/08 ,  C08F20/18

CPC分类号： C09D165/00 ,  B05D1/185 ,  B05D1/38 ,  B05D3/0254 ,  B05D7/52 ,  C08G2261/1422 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3246 ,  C08G2261/3325 ,  C09D5/00 ,  C09D145/00 ,  C09D201/00 ,  C09J133/066 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11

摘要： [과제] 자기조직화막이원하는수직패턴으로배열되기쉽도록하기위하여필요한하층막을형성하기위한조성물을제공한다. [해결수단] 지방족다환화합물의지방족다환구조를주쇄에포함하는단위구조를갖는폴리머를포함하는자기조직화막의하층막형성조성물. 폴리머가지방족다환화합물의지방족다환구조와, 방향환함유화합물의방향환구조, 또는비닐기함유화합물의비닐기에서유래하는중합쇄를주쇄에포함하는단위구조를갖는폴리머이다. 폴리머가하기식(1): [화학식 1](식중, X는단결합, 비닐기함유화합물에서유래하는비닐구조를중합쇄로하는 2가의기, 또는방향환함유화합물에서유래하는방향환함유구조를중합쇄로하는 2가의기이며, Y는지방족다환화합물에서유래하는지방족다환구조를중합쇄로하는 2가의기이다.)로표시되는단위구조를가진다. 지방족다환화합물이 2환내지 6환의디엔화합물이다. 지방족다환화합물이디시클로펜타디엔, 또는노보나디엔이다.

公开(公告)号：KR1020140018930A

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：KR1020137027462

申请日：2012-05-18

申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤

发明人： 소메야,야스노부 ,  우스이,유키 ,  카토,마사카즈 ,  신조,테츠야 ,  하시모토,케이스케 ,  카라사와,료

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/3081 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0274

摘要： [과제] 종래 제거시 애싱을 이용했었던 것에 반해, 알칼리 수용액에 의해 제거 가능하므로, 제거시에 기판에 대한 데미지 감소를 기대할 수 있는 유기 하드마스크층 재료를 제공한다. [해결수단] 하기 식(1)로 표시되는 구조단위와 하기 식(2)로 표시되는 구조단위를 포함하는 폴리머(A), 블록 이소시아네이트기, 메틸올기 또는 탄소원자수 1 내지 5의 알콕시메틸기를 적어도 2개 갖는 가교성 화합물(B), 및 용제(C)를 포함하는 유기 하드마스크층 형성용 조성물에 있어서, 상기 유기 하드마스크층 형성 조성물로부터 얻어지는 유기 하드마스크층은 다층막을 이용한 리소그래피 프로세스에서 최하층으로 이용되는 것인 상기 조성물.

(식 중, R
1 내지 R
4 , Y 및 X의 정의는, 명세서에 기재된 바와 같다.)

公开(公告)号：KR1020130130005A

公开(公告)日：2013-11-29

申请号：KR1020137017158

申请日：2011-12-05

申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤

发明人： 신조,테츠야 ,  오쿠야마,히로아키 ,  하시모토,케이스케 ,  소메야,야스노부 ,  카라사와,료 ,  카토,마사카즈

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/038 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/3081 ,  C09D139/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0271 ,  G03F7/11

摘要： There is provided a composition for forming a resist underlayer film having heat resistance for use in a lithography process in semiconductor device production. A composition for forming a resist underlayer film, comprising a polymer that contains a unit structure of formula (1) and a unit structure of formula (2) in a proportion of of 3 to 97:97 to 3 in molar ratio: A method for producing a semiconductor device, comprising the steps of: forming an underlayer film using the composition for forming a resist underlayer film on a semiconductor substrate; forming a hard mask on the underlayer film; further forming a resist film on the hard mask; forming a patterned resist film by irradiation of light or electron beams and developing; etching the hard mask according to the patterned resist film; etching the underlayer film according to the patterned hard mask; and processing the semiconductor substrate according to the patterned underlayer film.

公开(公告)号：KR1020170009813A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：KR1020167021978

申请日：2015-05-11

申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤

发明人： 카라사와,료 ,  니시타,토키오 ,  소메야,야스노부 ,  엔도,타카후미 ,  사카모토,리키마루

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC分类号： G03F7/094 ,  C08F20/36 ,  C08F20/58 ,  C09D133/14 ,  C09D133/26 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/26 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086

摘要： [과제] 상층으로부터의패턴전사나기판의가공시에드라이에칭이가능하고, 기판가공후에는알칼리수용액으로제거가가능한레지스트하층막을형성하기위한레지스트하층막형성조성물을제공한다. [해결수단] 아크릴아미드구조또는아크릴산에스테르구조를갖는폴리머(A)와, 블록이소시아네이트구조를갖는폴리머(B)와, 용제(C)를포함하는리소그래피용레지스트하층막형성조성물. 폴리머(A)가식(1):의단위구조를포함하는폴리머이다. 폴리머(B)가식(2):의단위구조를포함하는폴리머이다. 레지스트패턴을형성하는공정, 레지스트패턴에의해무기하드마스크층을에칭하는공정, 패턴화된무기하드마스크층에의해레지스트하층막을에칭하는공정, 및패턴화된레지스트하층막에의해반도체기판을가공하는공정을포함하는, 반도체장치의제조방법.

摘要翻译： [问题]提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物，可以从上层转印图案，其可以在基板的加工过程中进行干蚀刻，并且可以使用 碱处理后的碱性水溶液。 [解决方案]含有具有丙烯酰胺结构或丙烯酸酯结构的聚合物（A），具有封端异氰酸酯结构的聚合物（B）和溶剂（C））的用于光刻的抗蚀剂下层膜成膜组合物。 聚合物（A）含有式（1）所示的单元结构。 聚合物（B）含有由式（2）表示的单元结构。 一种半导体器件的制造方法，包括：形成抗蚀剂图案的步骤; 使用抗蚀剂图案来蚀刻无机硬掩模层的步骤; 使用图案化的无机硬掩模层蚀刻抗蚀剂下层膜的步骤; 以及使用图案化的抗蚀剂下层膜来处理半导体衬底的步骤。

公开(公告)号：KR1020160023671A

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：KR1020157034503

申请日：2014-06-23

申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤

发明人： 신조,테츠야 ,  소메야,야스노부 ,  카라사와,료 ,  니시마키,히로카즈 ,  엔도,타카후미 ,  하시모토,케이스케

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/039 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  C08G61/12

CPC分类号： G03F7/11 ,  C08G12/26 ,  C08G16/0268 ,  C09D161/00 ,  C09D161/26 ,  C09D179/04 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081

摘要： [과제] 레지스트에가까운드라이에칭속도의선택비, 레지스트에비해작은드라이에칭속도의선택비나반도체기판에비해작은드라이에칭속도의선택비를갖는, 우수한레지스트하층막을제공할수 있다. [해결수단] 하기식(1):(식(1) 중, R은수소원자, 또는할로겐기, 니트로기, 아미노기, 카르보닐기, 탄소수 6~40의아릴기, 또는하이드록시기로치환되어있을수도있는탄소수 6~40의아릴기, 또는복소환기이고, R는수소원자, 또는할로겐기, 니트로기, 아미노기, 또는하이드록시기로치환되어있을수도있는탄소수 1~10의알킬기, 탄소수 6~40의아릴기, 또는복소환기이고, R과 R는이들이결합하는탄소원자와하나가되어환을형성하고있을수도있다. n은 0 내지 2의정수를나타낸다.)의단위구조를포함하는폴리머를포함하는레지스트하층막형성조성물. 식(1)의 R이벤젠환, 나프탈렌환, 안트라센환또는피렌환이고, R가수소원자이다.

摘要翻译： 具有接近抗蚀剂的干蚀刻速率的选择性，干蚀刻速率选择性低于抗蚀剂的选择性或干蚀刻速率选择性低于半导体衬底的优异的抗蚀剂下层膜。 抗氧化物下层膜形成组合物，其包含含有式（1）的单元结构的聚合物：（其中R 3是氢原子或任选被卤素基团，硝基，氨基，羰基，C 6 -40芳基或羟基; R4是氢原子或C1-10烷基，C6-40芳基或任选被卤素基，硝基，氨基或羟基取代的杂环基; R3和R4 任选地与与其键合的碳原子一起形成环; n是0至2的整数）。

公开(公告)号：KR1020160002741A

公开(公告)日：2016-01-08

申请号：KR1020157027401

申请日：2014-04-01

申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤

发明人： 하시모토,케이스케 ,  니시마키,히로카즈 ,  신조,테츠야 ,  소메야,야스노부 ,  카라사와,료 ,  사카모토,리키마루

IPC分类号： G03F7/09 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C08G73/02 ,  C08L79/02 ,  C08L65/00

CPC分类号： C08G61/02 ,  C08G61/124 ,  C08G73/026 ,  C08G2261/1422 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3424 ,  C08L65/00 ,  C08L79/02 ,  G03F7/091

摘要： [과제] 신규레지스트하층막형성조성물을제공한다. [해결수단] 하기식(1): [화학식 1](식중, X은, 할로겐기, 니트로기, 아미노기또는하이드록시기로치환되어있을수도있는방향환을적어도 1개갖는탄소원자수 6 내지 20의 2가의유기기를나타내고, X는, 할로겐기, 니트로기, 아미노기또는하이드록시기로치환되어있을수도있는방향환을적어도 1개갖는탄소원자수 6 내지 20의유기기, 또는메톡시기를나타낸다.) 로표시되는구조단위를갖는폴리머및 용제를포함하는레지스트하층막형성조성물.

摘要翻译： [问题]提供用于形成新抗蚀剂下层膜的组合物。 用于解决课题的手段下式（1）所示的化合物：其中，X表示卤素原子，硝基，氨基或具有至少一个可以被羟基取代的芳香环的碳原子数2〜6 X表示具有6至20个碳原子的有机基团和至少一个可以被卤素基团，硝基，氨基或羟基或甲氧基取代的芳环。 具有单元和溶剂的聚合物。