公开(公告)号：KR20180071165A

公开(公告)日：2018-06-27

申请号：KR20170167458

申请日：2017-12-07

申请人： ROHM & HAAS ELECT MATERIALS

发明人： QING MIN WANG ,  ELIZABETH K MICHAEL SAPIA ,  CHRISTOPHER GILMORE ,  PING DING ,  YOUNG SEOK KIM

IPC分类号： C08G61/02 ,  C08G61/08

CPC分类号： C08G61/128 ,  C08G61/10 ,  C08G61/12 ,  C08G2261/135 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/228 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/46 ,  C08G2261/64 ,  C08G2261/65 ,  C08G2261/76 ,  C08L65/02 ,  C09D165/02 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L23/5329

摘要： 용해도향상모이어티를가지며상대적으로높은중량평균분자량및 상대적으로낮은다분산도를갖는방향족디알킨모노머로부터형성된폴리아릴렌폴리머는특정유기용매에서개선된용해도를나타내고단일코팅단계에서상대적으로두꺼운유전체물질층을형성하는데유용하다.

公开(公告)号：KR101832031B1

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：KR1020150079489

申请日：2015-06-04

申请人： 주식회사 엘지화학

发明人： 이미숙 ,  김정근 ,  구세진 ,  박노진 ,  이제권 ,  최은영 ,  윤성수 ,  유형주

IPC分类号： C08F297/00 ,  C08F299/00 ,  C08F212/08 ,  C08F220/10 ,  C08L53/00 ,  C08J5/18 ,  G03F7/00

CPC分类号： C08L53/005 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/70 ,  C07B2200/00 ,  C08F2/14 ,  C08F32/06 ,  C08F212/08 ,  C08F216/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F299/024 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G61/128 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/40 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/02 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  C08F214/182

摘要： 본출원은, 블록공중합체및 그용도가제공될수 있다. 본출원의블록공중합체는, 우수한자기조립특성내지는상분리특성을가지며, 요구되는다양한기능도자유롭게부여될수 있고, 특히에칭선택성이확보되어패턴형성과같은용도에효과적으로적용될수 있다.

公开(公告)号：KR101799738B1

公开(公告)日：2017-11-20

申请号：KR1020177003490

申请日：2015-07-08

申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤

发明人： 요시다,사다무 ,  가키모토,히데노부

IPC分类号： C09K11/06 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  C07F15/00 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L51/0085 ,  C07F15/00 ,  C07F15/0033 ,  C08G61/122 ,  C08G61/128 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/1422 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/1434 ,  C08G2261/147 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/228 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/3221 ,  C08G2261/95 ,  C09D11/52 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1059 ,  C09K2211/1074 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/0029 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

摘要： 발광효율이우수한발광소자의제조방법을제공한다. 양극과, 음극과, 양극및 음극사이에설치된발광층과, 밀봉층을갖는발광소자의제조방법으로서, 발광층을, 중심금속이이리듐원자인이리듐착체등을사용해서도포법에의해형성하는공정과, 양극또는음극을형성하는공정과, 밀봉층을형성하는공정을포함하고, 발광층을형성하는공정의개시시로부터밀봉층을형성하는공정의종료시까지의사이에있어서의제조중인발광소자가오존에폭로될때의, 오존농도의평균값: A ppb와, 시간: B 분이식 (1-1)을만족하는, 발광소자의제조방법. 0≤A×B≤1000(1-1)

摘要翻译： 提供了一种制造具有优异的发光效率的发光器件的方法。 和诸如中心金属使用正电极，负电极和用于制造具有阳极和发光层和所述阴极和所述发光层之间设置的密封层的发光器件的方法的步骤是铱配合物，通过涂布法形成的铱原子， 形成的正或负电极的工序，以及形成密封层，当暴露于臭氧产生的步骤是发光到底之间元件kkajiui从形成发光层的步骤开始时形成密封层的步骤 臭氧浓度：A ppb，时间：B min。（1-1）。 0？A占B？1000（1-1）

公开(公告)号：KR101768053B1

公开(公告)日：2017-08-14

申请号：KR1020140119277

申请日：2014-09-05

申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 ,  더 텍사스 에이 앤드 엠 유니버시티 시스템

发明人： 조상호 ,  썬궈룽 ,  울리카렌엘. ,  태커리제임스더블유. ,  트레포나스3세피터

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  C08G61/08 ,  C08F293/00 ,  C09D165/00 ,  C08L65/00

CPC分类号： G03F7/039 ,  C08F293/005 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G2261/126 ,  C08G2261/128 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/418 ,  C08G2261/80 ,  C08G2261/90 ,  C08K5/17 ,  C08K5/20 ,  C08L65/00 ,  C09D165/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  C08F2220/185 ,  C08F220/22 ,  C08F2220/283 ,  C08L53/00

摘要： 본원에그라프트블록코폴리머; 용매및 포토애시드발생제를포함하며, 여기서그라프트블록코폴리머는제1 블록폴리머및 제2 블록폴리머를포함하고; 상기제1 블록폴리머는백본폴리머및 제1 그라프트폴리머를포함하고, 여기서제1 그라프트폴리머는할로탄소부위또는실리콘함유부위를포함하는표면에너지감소부위를포함하고; 제2 블록폴리머는제1 블록에공유결합되어있으며, 여기서제2 블록은백본폴리머와제2 그라프트폴리머를포함하고, 제2 그라프트폴리머는탈보호가진행되어그라프트블록코폴리머의용해도를변경시키는작용기를포함하고, 그라프트블록코폴리머는병 브러쉬위상기하(topology)를가지는포토레지스트조성물이개시된다.

摘要翻译： 本文接枝嵌段共聚物; 一种溶剂和光酸产生剂，其中接枝嵌段共聚物包含第一嵌段聚合物和第二嵌段聚合物; 其中第一嵌段聚合物包含骨架聚合物和第一接枝聚合物，其中第一接枝聚合物包含含有卤代碳部分或硅部分的表面能减少部分; 第二嵌段聚合物共价键合至第一嵌段，其中第二嵌段包含主链聚合物和第二接枝聚合物，其中第二接枝聚合物经历脱保护以降低接枝嵌段共聚物 其中接枝嵌段共聚物具有瓶刷拓扑结构。

公开(公告)号：KR101756539B1

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：KR1020150138201

申请日：2015-09-30

申请人： 주식회사 엘지화학

发明人： 구세진 ,  이미숙 ,  유형주 ,  김정근 ,  윤성수 ,  박노진 ,  이제권 ,  최은영

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L51/00 ,  H01L21/3065 ,  G03F7/42

CPC分类号： C08L53/005 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/70 ,  C07B2200/00 ,  C08F2/14 ,  C08F32/06 ,  C08F212/08 ,  C08F216/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F299/024 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G61/128 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/40 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/02 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  C08F214/182

摘要： 본출원은, 패턴화기판의제조방법에대한것이다. 상기방법은, 예를들면, 전자디바이스및 집적회로와같은장치의제조공정또는다른용도, 예컨대집적광학시스템, 자기도메인메모리의가이던스및 검출패턴, 평판디스플레이, 액정디스플레이(LCD), 박막자기헤드또는유기광 방출다이오드등의제조에적용될수 있고, 집적회로, 비트-패턴화된매체및/또는하드드라이브와같은자기저장디바이스등의개별트랙매체(discrete track medium)의제조에사용하기위해표면위에패턴을구축하는데사용될수 있다.

公开(公告)号：KR101756538B1

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：KR1020150138200

申请日：2015-09-30

申请人： 주식회사 엘지화학

发明人： 구세진 ,  이미숙 ,  유형주 ,  김정근 ,  윤성수 ,  박노진 ,  이제권 ,  최은영

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L51/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC分类号： C08L53/005 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/70 ,  C07B2200/00 ,  C08F2/14 ,  C08F32/06 ,  C08F212/08 ,  C08F216/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F299/024 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G61/128 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/40 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/02 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  C08F214/182

摘要： 본출원은, 패턴화기판의제조방법에대한것이다. 상기방법은, 예를들면, 전자디바이스및 집적회로와같은장치의제조공정또는다른용도, 예컨대집적광학시스템, 자기도메인메모리의가이던스및 검출패턴, 평판디스플레이, 액정디스플레이(LCD), 박막자기헤드또는유기광 방출다이오드등의제조에적용될수 있고, 집적회로, 비트-패턴화된매체및/또는하드드라이브와같은자기저장디바이스등의개별트랙매체(discrete track medium)의제조에사용하기위해표면위에패턴을구축하는데사용될수 있다.

公开(公告)号：KR101749415B1

公开(公告)日：2017-07-03

申请号：KR1020150138196

申请日：2015-09-30

申请人： 주식회사 엘지화학

发明人： 이정규 ,  오성준 ,  강연주 ,  김정근 ,  송인영 ,  윤성수

IPC分类号： C08F297/00 ,  C08F299/00 ,  C08F212/08 ,  C08F220/10 ,  C08L53/00 ,  C08J5/18 ,  G03F7/00

CPC分类号： C08L53/005 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/70 ,  C07B2200/00 ,  C08F2/14 ,  C08F32/06 ,  C08F212/08 ,  C08F216/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F299/024 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G61/128 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/40 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/02 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  C08F214/182

摘要： 본출원은블록공중합체및 그용도에관한것이다. 본출원은, 자기조립특성이우수하여다양한용도에서효과적으로사용될수 있는블록공중합체및 그용도를제공할수 있다.

摘要翻译： 本申请涉及嵌段共聚物及其用途。 本申请可以提供由于其自组装性能而可以有效用于各种应用的嵌段共聚物及其用途。

公开(公告)号：KR101746789B1

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：KR1020150180478

申请日：2015-12-16

申请人： 주식회사 엘지화학

发明人： 박은석 ,  박정하 ,  최대승 ,  황승연 ,  이민형

IPC分类号： C08F32/08 ,  C08F232/08 ,  C08L45/00 ,  C08J5/18 ,  G02F1/1337

CPC分类号： C09K19/56 ,  C08F32/08 ,  C08F232/08 ,  C08G61/08 ,  C08G2261/11 ,  C08G2261/122 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/146 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08L45/00 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/133711 ,  G02F2001/133742

摘要： 본발명은고리형올레핀화합물의 (공)중합체를포함하는수직배향막에관한것이다. 보다상세하게는, 특정치환기를가지는고리형올레핀화합물의 (공)중합체를포함하여, 저온공정에서도배향성을가질수 있으며, 우수한액정수직배향성을나타낼수 있는수직배향막에관한것이다.

摘要翻译： 本发明涉及包含环烯烃化合物的（共）聚合物的垂直取向膜。 更具体地说，本发明涉及一种垂直取向膜，其包含具有特定取代基的环状烯烃化合物的（共）聚合物，并且即使在低温过程中也能够显示取向性，并且表现出优异的液晶垂直取向性。

公开(公告)号：KR1020170007240A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：KR1020167025924

申请日：2015-02-10

申请人： 이노베이션랩 게엠베하 ,  칼스루헤 인스티투트 퓌어 테흐놀로기 ,  테크니쉐 우니베르지테트 브라운슈바이크 ,  막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우.

发明人： 쿤마리우스 ,  아데르만토르벤 ,  함부르거마누엘 ,  뮐렌클라우스 ,  쉰케야누시 ,  콜스만알렉산더 ,  회플레슈테판 ,  렘머울리히

IPC分类号： C08G61/12 ,  C08L65/00 ,  C08K3/04 ,  C07D209/86 ,  C07D285/10 ,  C07D471/06 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C07D209/86 ,  C07D285/10 ,  C07D333/16 ,  C07D471/06 ,  C08G61/10 ,  C08G61/12 ,  C08G61/123 ,  C08G61/124 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/11 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/142 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/149 ,  C08G2261/1646 ,  C08G2261/18 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3246 ,  C08G2261/41 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/412 ,  C08G2261/417 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/526 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C08G2261/94 ,  C08G2261/95 ,  C08K3/045 ,  C08L65/00 ,  C12Q1/6869 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5296 ,  H01M4/602 ,  Y02E10/549 ,  C08K3/04

摘要： 본발명은열적절단성측기를함유하는신규의공액반도체성폴리머에관한것이다. 열적절단성측기는카르보네이트기및 카르바메이트기로부터선택된다. 열적절단성측기에의해, 폴리머의가용성이표적방식으로감소될수 있다. 폴리머는유기전자 (OE) 소자, 특히유기광발전 (OPV) 소자, 유기광검출기 (OPD), 유기발광다이오드 (OLED) 및유기전계-효과트랜지스터 (OFET) 에서반도체로서사용된다.

摘要翻译： 本发明涉及含有可热切割侧基的新型共轭半导体聚合物。 可热切割侧基选自碳酸酯基和氨基甲酸酯基。 通过热裂解侧基，可以以目标方式降低聚合物的溶解度。 聚合物用作有机电子（OE）器件中的半导体，特别是有机光电（OPV）器件，有机光电探测器（OPD），有机发光二极管（OLED）和有机场效应晶体管（OFET））中的半导体。

公开(公告)号：KR1020160093610A

公开(公告)日：2016-08-08

申请号：KR1020167013682

申请日：2014-11-25

申请人： 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  제온 코포레이션

发明人： 고토데츠야 ,  다케시타마코토

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  C08F2/06 ,  C08F220/10 ,  C08F283/14 ,  C08L65/00

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C08F2/06 ,  C08F220/10 ,  C08F283/14 ,  C08G61/02 ,  C08G2261/122 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/143 ,  C08G2261/3325 ,  C08G2261/418 ,  C08G2261/724 ,  C08G2261/77 ,  C08G2261/92 ,  C08K5/5425 ,  C08L33/08 ,  C08L65/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02565 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/66969 ,  H01L2224/05

摘要： 기판상에, 무기산화물반도체를포함하는반도체층을형성하는반도체층형성공정과, 상기반도체층을덮도록유기재료로이루어지는패시베이션막을성막하는패시베이션막형성공정과, 상기패시베이션막을소성하는소성공정과, 소성후, 냉각시키는냉각공정을구비하는반도체소자의제조방법으로서, 상기냉각공정에있어서의냉각을실시할때에있어서의상기소성공정의소성시의소성온도로부터소성시의소성온도보다 50 ℃낮은온도까지의냉각속도를 0.5 ∼ 5 ℃/분의범위에서실질적으로제어하는것을특징으로하는반도체소자의제조방법을제공한다.

摘要翻译： 上的基板，和形成包括无机氧化物半导体的半导体层的半导体层形成工序，和形成由有机材料制成，以覆盖半导体层膜的钝化膜的钝化膜形成步骤，并烧制所述钝化膜的烧成工序， 作为烧结后，一种用于制造半导体装置，包括冷却的冷却步骤中，当在50℃比烧成温度在服装成功起诉从烧成温度烧成进行在冷却步骤中冷却的方法定义烧制，以较低的温度 并且冷却速度基本上控制在0.5〜5m / min的范围内。