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    구리 배선을 가진 기판을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법
    1.
    发明公开
    구리 배선을 가진 기판을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법 有权
    制造具有铜相互连接的基板的半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR1020150108751A

    公开(公告)日：2015-09-30

    申请号：KR1020150031025

    申请日：2015-03-05

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마츠모토,겐지 ,  가와사키,히로아키 ,  나가이,히로유키

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/316

    CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324 ,  H01L2924/01025

    Abstract: 본 발명은, 층간 절연막(11)의 표면에 노출된 구리 배선(14)의 표면을 박막에 의해 덮는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 구리 배선(14)의 표면에 망간 산화물의 층(25)을 형성하는 기술을 제공하는 것이다. 연마에 의해 층간 절연막(11)의 표면에 구리 배선(14)이 노출된 웨이퍼(W)를 어닐 장치에 반입해서 어닐 처리를 행하여, 연마 시에 사용된 슬러리에 포함되어 있던 BTA의 박층(23)을 구리 배선(14)의 표면으로부터 제거한다. 계속해서 웨이퍼(W)를 반송 용기(C)에 수용하여 대기에 노출시킴으로써 구리 배선(14)의 표면을 산화시켜 CuO
    x 층(24)을 형성한다. 그 후, 반송 용기(C)를, ALD 장치(5)를 구비한 진공 처리 장치에 반송하고, ALD 장치(5)에 있어서, 웨이퍼(W)에 아미드아미노알칸계 망간 화합물을 원료로 하는 원료 가스와 수증기를 교대로 공급하여, 구리 배선(14)의 표면에 망간 산화물의 층(25)을 형성하고 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过薄膜覆盖暴露于层间绝缘膜（11）的表面的铜互连（14）的表面的半导体器件的制造方法。 此外，本发明提供了在铜互连（14）的表面上形成氧化锰层（25）的技术。 通过退火作为晶片（W）从铜互连件（14）的表面除去在研磨中使用的浆料中所含的BTA的薄层（23），其中铜互连（14）暴露于 层间绝缘膜（11）通过抛光进入退火装置。 通过将晶片（W）连续地容纳在携带容器（C）中来使晶片（W）暴露于大气中，通过氧化铜互连（14）的表面来形成CuO_层（24）。 此后，携带容器（C）被携带到包括ALD装置（5）的真空处理装置中。 在ALD装置（5）中，将水蒸气和酰胺氨基烷烃锰化合物为原料的原料气体交替供给到晶片（W），由此形成氧化锰层（25）， 铜互连（14）的表面。

    반도체 장치의 제조 방법 및 기억 매체
    3.
    发明公开
    반도체 장치의 제조 방법 및 기억 매체 审中-实审
    半导体器件制造方法和存储介质

    公开(公告)号：KR1020170026165A

    公开(公告)日：2017-03-08

    申请号：KR1020160106197

    申请日：2016-08-22

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 챵,펑 ,  마츠모토,겐지 ,  나가이,히로유키

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238

    Abstract: MnOx막상에 Ru막을형성하고, 그위에 Cu막을형성하여, CMP를행할때, CMP에의한 Ru막제거의문제를해소한다. TiN막으로이루어지는하드마스크(203)를사용해서층간절연막(202)에트렌치(204)를형성하고, 하드마스크(203)를남긴채, MnOx막(205)을 ALD에의해형성하고, 계속해서, MnOx막(205)의표면에수소라디칼처리를실시하고, 계속해서, Ru막(207)을 CVD에의해형성하고, 계속해서, Cu계막(208)을 PVD에의해형성해서트렌치(204) 내에 Cu계막을매립하고, 계속해서, CMP를행한다. TiN막상의 MnOx막(205)은, MnTiO등으로되고, 수소라디칼처리에서는산화물인채로제1 Mn 함유막(206a)이며, Ru막은층간절연막(202)에대응하는표면이환원된제2 Mn 함유막(206b) 상에선택적으로형성된다.

    Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法包括制备具有层间绝缘膜和设置在层间绝缘膜上并具有预定图案的硬掩模的衬底，蚀刻层间绝缘膜以形成沟槽，通过ALD法形成MnO x膜 在硬掩模留在层间绝缘膜上的状态下，MnO x膜通过与层间绝缘膜反应而变成自形成阻挡膜，对MnO x膜进行氢自由基加工，形成Ru膜通过 CVD方法，通过PVD法形成Cu基膜或通过PVD法形成Cu种子，然后进行Cu电镀处理以将Cu基膜包埋在沟槽内，并进行CMP方法 以去除硬掩模并形成Cu布线。

    Ｃｕ배선의 제조 방법
    5.
    发明公开
    Ｃｕ배선의 제조 방법 审中-实审
    形成铜线的方法

    公开(公告)号：KR1020150108316A

    公开(公告)日：2015-09-25

    申请号：KR1020150032466

    申请日：2015-03-09

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 이시자카,다다히로 ,  사쿠마,다카시 ,  요코야마,오사무 ,  마츠모토,겐지 ,  챵,펑 ,  나가이,히로유키

    IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285

    CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28506 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

    Abstract: 극히 미세한 오목부이어도 충분한 Cu의 매립성을 확보할 수 있는 Cu 배선의 제조 방법을 제공한다. 표면에 소정 패턴의 오목부(203)가 형성된 층간 절연막(202)을 갖는 기판(W)에 대하여 상기 오목부를 매립하는 Cu 배선을 제조하는데 있어서, 적어도 오목부(203)의 표면에, 층간 절연막(202)과의 반응으로 자기 정합 배리어막이 되는 MnOx막(204)을 형성하는 공정과, MnOx막(204)의 표면에 수소 라디칼 처리를 실시하는 공정과, 수소 라디칼 처리 후의 MnOx막(204)의 표면에 Ru보다도 활성인 금속(205)을 존재시키는 공정과, 그 후, Ru막(206)을 형성하는 공정과, 그 후, Ru막(206) 위에 Cu막(207)을 PVD에 의해 형성하여 오목부(203) 내에 Cu막(207)을 매립하는 공정을 갖는다.

    Abstract translation: 本发明提供即使在极细的凹部中也能够确保充分的Cu埋入性的Cu布线的制造方法。 制造用于埋设凹部（203）相对于具有层间绝缘膜（202）的基板（W）的Cu布线的方法，其中，在表面上形成具有预定图案的凹部（203），包括 ：在凹部（203）的至少表面形成通过与层间绝缘膜（202）发生反应而成为自对准阻挡膜的MnOx膜（204）的工序; 氢化自由基处理MnO x膜（204）的表面的步骤; 在氢自由基处理后，在MnOx膜（204）的表面配置比Ru更有活性的金属（205）的工序; 此后形成Ru膜（206）的步骤; 以及通过以后通过PVD在Ru膜（206）上形成Cu膜（207）将Cu膜（207）埋入凹部（203）内的步骤。

    Cu 배선의 제조 방법 및 기억 매체
    7.
    发明授权
    Cu 배선의 제조 방법 및 기억 매체 有权
    Cu布线和存储介质的制造方法

    公开(公告)号：KR101846049B1

    公开(公告)日：2018-04-05

    申请号：KR1020150032466

    申请日：2015-03-09

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 이시자카,다다히로 ,  사쿠마,다카시 ,  요코야마,오사무 ,  마츠모토,겐지 ,  챵,펑 ,  나가이,히로유키

    IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285

    CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 극히미세한오목부이어도충분한 Cu의매립성을확보할수 있는 Cu 배선의제조방법을제공한다. 표면에소정패턴의오목부(203)가형성된층간절연막(202)을갖는기판(W)에대하여상기오목부를매립하는 Cu 배선을제조하는데있어서, 적어도오목부(203)의표면에, 층간절연막(202)과의반응으로자기정합배리어막이되는 MnOx막(204)을형성하는공정과, MnOx막(204)의표면에수소라디칼처리를실시하는공정과, 수소라디칼처리후의 MnOx막(204)의표면에 Ru보다도활성인금속(205)을존재시키는공정과, 그후, Ru막(206)을형성하는공정과, 그후, Ru막(206) 위에 Cu막(207)을 PVD에의해형성하여오목부(203) 내에 Cu막(207)을매립하는공정을갖는다.

    Abstract translation: 本发明提供即使在微小的凹部也能够确保Cu的充分的钎焊性的Cu布线的制造方法。 相对于所述基板（W），具有层间绝缘膜202用的凹部具有用于嵌入凹部，至少所述凹部203的表面中的Cu布线的制造中形成的表面上形成预定图案203，层间绝缘膜（ 响应于氢自由基处理而形成作为自匹配阻挡膜的MnO x膜204的步骤，对MnO x膜204的表面施加氢自由基处理的步骤， 通过PVD在Ru膜206上形成Cu膜207以在Ru膜206上形成凹部206， 203上具有Cu膜207。

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