公开(公告)号：KR101692170B1

公开(公告)日：2017-01-02

申请号：KR1020157001172

申请日：2013-07-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토,겐지 ,  하마다,다츠후미 ,  마에카와,가오루

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/316 ,  H01L23/532 ,  H01L21/285 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 반도체장치의제조방법은, 제1 도전막이형성된기판위에절연막을형성하는절연막형성공정과, 상기절연막에오목부를형성하고, 오목부의일부에상기제1 도전막을노출시키는오목부형성공정과, 상기오목부형성공정후, 상기절연막과상기제1 도전막을덮도록금속산화막을형성하는금속산화막형성공정과, 상기금속산화막형성공정후에, 상기기판에원자상수소를조사하는수소라디칼처리공정과, 상기오목부의내부에제2 도전막을형성하는제2 도전막형성공정을갖는다.

Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法包括：在形成有第一导电膜的基板上形成绝缘膜; 在所述绝缘膜中形成凹部，使得所述第一导电膜在所述凹部的一部分中露出; 在形成凹部之后形成金属氧化物膜以覆盖绝缘膜和第一导电膜; 在形成金属氧化物膜之后进行用原子氢照射基板的氢自由基处理; 以及在所述凹部中形成第二导电膜。

公开(公告)号：KR101955062B1

公开(公告)日：2019-03-06

申请号：KR1020147025192

申请日：2013-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토,겐지 ,  마에카와,가오루 ,  가와사키,히로아키 ,  하마다,다츠후미

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/677 ,  C23C16/44

公开(公告)号：KR1020150037837A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020157001172

申请日：2013-07-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토,겐지 ,  하마다,다츠후미 ,  마에카와,가오루

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/316 ,  H01L23/532 ,  H01L21/285 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/768 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L2924/00

Abstract: 반도체장치의제조방법은, 제1 도전막이형성된기판위에절연막을형성하는절연막형성공정과, 상기절연막에오목부를형성하고, 오목부의일부에상기제1 도전막을노출시키는오목부형성공정과, 상기오목부형성공정후, 상기절연막과상기제1 도전막을덮도록금속산화막을형성하는금속산화막형성공정과, 상기금속산화막형성공정후에, 상기기판에원자상수소를조사하는수소라디칼처리공정과, 상기오목부의내부에제2 도전막을형성하는제2 도전막형성공정을갖는다.

Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法包括：在形成有第一导电膜的基板上形成绝缘膜; 在所述绝缘膜中形成凹部，使得所述第一导电膜在所述凹部的一部分中露出; 在形成凹部之后形成金属氧化物膜以覆盖绝缘膜和第一导电膜; 在形成金属氧化物膜之后进行用原子氢照射基板的氢自由基处理; 以及在所述凹部中形成第二导电膜。

公开(公告)号：KR1020140141586A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：KR1020147025192

申请日：2013-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토,겐지 ,  마에카와,가오루 ,  가와사키,히로아키 ,  하마다,다츠후미

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/677 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L23/4827 ,  C23C16/06 ,  C23C16/4402 ,  C25D7/12 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01L21/4814 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명의 반도체 장치는, 절연층 및 배선층을 구비한 반도체 장치로서, 배선층은, 배선의 선 폭 또는 높이 중 적어도 한쪽이 15nm 이하이고, Ni 또는 Co를 주성분으로 하는 배선을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020150031239A

公开(公告)日：2015-03-23

申请号：KR1020147034765

申请日：2013-06-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토,겐지 ,  마에카와,가오루 ,  하마다,다츠후미 ,  나가이,히로유키

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C16/02 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 하지와 구리막의 사이에 형성되는 망간 함유막의 형성 방법을 개시한다. 망간 함유막의 형성 방법은, 망간 화합물 가스와 질소를 포함하는 반응 가스를 반응시켜 하지 위에 질소 함유 망간막(102)을 형성하는 공정과, 망간 화합물 가스와 환원성의 반응 가스를 반응시켜, 또는 망간 화합물 가스를 열분해 반응시켜, 또는 망간 화합물 가스를 에너지 또는 활성종의 조사에 의해 분해 반응시켜 질소 함유 망간막(102) 위에 금속 망간막(103)을 형성하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020150005533A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：KR1020147027999

申请日：2013-04-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토,겐지 ,  하마다,다츠후미 ,  마에카와,가오루

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76864 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 오목부가 형성된 절연층 위에 금속 원소 함유층을 형성하는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 오목부를 포함하는 절연층 위에 금속 원소의 산화물을 주성분으로 하는 옥시드층을 형성하는 공정과, 환원 분위기 하에서의 어닐에 의해, 옥시드층을 실리케이트화하여, 금속 원소의 규산염을 주성분으로 하는 실리케이트층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.