公开(公告)号：KR1020140027305A

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：KR1020137031019

申请日：2012-05-29

Applicant: 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤

Inventor： 가나모리나오야 ,  하라다다카히로 ,  아오키지아키 ,  무라야마류이치

IPC: H01L21/52 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  H01B1/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49513 ,  C09J7/35 ,  C09J11/04 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 본 발명에 의해, 도전성이 양호한 반도체 장치가 제공된다. 본 발명의 반도체 장치 (10) 는, 기재 (2) 와 반도체 소자 (3) 와 기재 (2) 및 반도체 소자 (3) 사이에 개재하여 양자를 접착하는 접착층 (1) 을 구비하고 있다. 이 반도체 장치 (10) 는, 접착층 (1) 중에 금속 입자 및 절연 입자가 분산되어 있고, 금속 입자는 인편 형상 또는 타원구 형상을 가지고 있다. 그리고, 접착층 (1) 중의 금속 입자의 체적 함유율을 a 로 하고, 접착층 (1) 중의 절연 입자의 체적 함유율을 b 로 했을 때, 접착층 (1) 중의 필러의 체적 함유율 (a＋b) 이 0.20 이상 0.50 이하이며, 필러 중의 금속 입자의 체적 함유율 a/(a＋b) 이 0.03 이상 0.70 이하이도록 특정되어 있다.

公开(公告)号：KR101969278B1

公开(公告)日：2019-04-15

申请号：KR1020187030492

申请日：2012-05-29

Applicant: 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤

Inventor： 가나모리나오야 ,  하라다다카히로 ,  아오키지아키 ,  무라야마류이치

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/482 ,  H01L23/00 ,  C09J11/04 ,  C09J7/35

公开(公告)号：KR101912573B1

公开(公告)日：2018-10-29

申请号：KR1020137031019

申请日：2012-05-29

Applicant: 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤

Inventor： 가나모리나오야 ,  하라다다카히로 ,  아오키지아키 ,  무라야마류이치

IPC: H01L21/52 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  H01B1/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49513 ,  C09J7/35 ,  C09J11/04 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 본발명에의해, 도전성이양호한반도체장치가제공된다. 본발명의반도체장치 (10) 는, 기재 (2) 와반도체소자 (3) 와기재 (2) 및반도체소자 (3) 사이에개재하여양자를접착하는접착층 (1) 을구비하고있다. 이반도체장치 (10) 는, 접착층 (1) 중에금속입자및 절연입자가분산되어있고, 금속입자는인편형상또는타원구형상을가지고있다. 그리고, 접착층 (1) 중의금속입자의체적함유율을 a 로하고, 접착층 (1) 중의절연입자의체적함유율을 b 로했을때, 접착층 (1) 중의필러의체적함유율 (a+b) 이 0.20 이상 0.50 이하이며, 필러중의금속입자의체적함유율 a/(a+b) 이 0.03 이상 0.70 이하이도록특정되어있다.