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公开(公告)号：KR1020140027305A
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：KR1020137031019
申请日：2012-05-29
申请人： 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤
CPC分类号： H01L23/49513 , C09J7/35 , C09J11/04 , H01L23/3107 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2929 , H01L2224/29311 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29386 , H01L2224/2939 , H01L2224/29439 , H01L2224/29499 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83201 , H01L2224/83862 , H01L2224/92247 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 본 발명에 의해, 도전성이 양호한 반도체 장치가 제공된다. 본 발명의 반도체 장치 (10) 는, 기재 (2) 와 반도체 소자 (3) 와 기재 (2) 및 반도체 소자 (3) 사이에 개재하여 양자를 접착하는 접착층 (1) 을 구비하고 있다. 이 반도체 장치 (10) 는, 접착층 (1) 중에 금속 입자 및 절연 입자가 분산되어 있고, 금속 입자는 인편 형상 또는 타원구 형상을 가지고 있다. 그리고, 접착층 (1) 중의 금속 입자의 체적 함유율을 a 로 하고, 접착층 (1) 중의 절연 입자의 체적 함유율을 b 로 했을 때, 접착층 (1) 중의 필러의 체적 함유율 (a＋b) 이 0.20 이상 0.50 이하이며, 필러 중의 금속 입자의 체적 함유율 a/(a＋b) 이 0.03 이상 0.70 이하이도록 특정되어 있다.
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公开(公告)号：KR101969278B1
公开(公告)日：2019-04-15
申请号：KR1020187030492
申请日：2012-05-29
申请人： 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/482 , H01L23/00 , C09J11/04 , C09J7/35
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公开(公告)号：KR101912573B1
公开(公告)日：2018-10-29
申请号：KR1020137031019
申请日：2012-05-29
申请人： 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤
CPC分类号： H01L23/49513 , C09J7/35 , C09J11/04 , H01L23/3107 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2929 , H01L2224/29311 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29386 , H01L2224/2939 , H01L2224/29439 , H01L2224/29499 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83201 , H01L2224/83862 , H01L2224/92247 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 본발명에의해, 도전성이양호한반도체장치가제공된다. 본발명의반도체장치 (10) 는, 기재 (2) 와반도체소자 (3) 와기재 (2) 및반도체소자 (3) 사이에개재하여양자를접착하는접착층 (1) 을구비하고있다. 이반도체장치 (10) 는, 접착층 (1) 중에금속입자및 절연입자가분산되어있고, 금속입자는인편형상또는타원구형상을가지고있다. 그리고, 접착층 (1) 중의금속입자의체적함유율을 a 로하고, 접착층 (1) 중의절연입자의체적함유율을 b 로했을때, 접착층 (1) 중의필러의체적함유율 (a+b) 이 0.20 이상 0.50 이하이며, 필러중의금속입자의체적함유율 a/(a+b) 이 0.03 이상 0.70 이하이도록특정되어있다.
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公开(公告)号：KR101903819B1
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：KR1020137030823
申请日：2012-05-28
申请人： 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤
IPC分类号： C09J11/04 , C09J163/00 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC分类号： C09J9/02 , C08K3/10 , C08K7/18 , C08K2003/0806 , C08K2201/001 , C08K2201/005 , C09J11/04 , C09J163/00 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L24/73 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/15747 , H01S5/0226 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 본발명에의해작업성이우수한수지조성물이제공된다. 본발명의페이스트상의수지조성물은, 반도체소자와기재를접착하고, (A) 열경화성수지와 (B) 금속입자를함유하고있다. 그리고 (B) 금속입자는, 플로우식입자이미지해석장치에의한체적기준입도분포에있어서의 d가 10 ㎛이하이다. 바꾸어말하면, 입자경이 10 ㎛를 초과하는금속입자의체적비율이 5 % 미만이다. 여기서, d란, 누적체적비율이 95 % 가되는입자경을나타낸다.
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公开(公告)号：KR1020140030203A
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：KR1020137030823
申请日：2012-05-28
申请人： 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤
IPC分类号： C09J11/04 , C09J163/00 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC分类号： C09J9/02 , C08K3/10 , C08K7/18 , C08K2003/0806 , C08K2201/001 , C08K2201/005 , C09J11/04 , C09J163/00 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L24/73 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/15747 , H01S5/0226 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 본 발명에 의해 작업성이 우수한 수지 조성물이 제공된다. 본 발명의 페이스트상의 수지 조성물은, 반도체 소자와 기재를 접착하고, (A) 열경화성 수지와 (B) 금속 입자를 함유하고 있다. 그리고 (B) 금속 입자는, 플로우식 입자 이미지 해석 장치에 의한 체적 기준 입도 분포에 있어서의 d
95 가 10 ㎛ 이하이다. 바꾸어 말하면, 입자경이 10 ㎛ 를 초과하는 금속 입자의 체적 비율이 5 ％ 미만이다. 여기서, d
95 란, 누적 체적 비율이 95 ％ 가 되는 입자경을 나타낸다.-
公开(公告)号：KR1020130102046A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：KR1020137005538
申请日：2011-09-07
申请人： 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤
IPC分类号： C08F222/40 , C08F218/16 , C08L35/00 , H01L21/52
CPC分类号： H01L23/295 , C08F32/04 , C08F222/40 , C09D4/00 , C09D135/00 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00 , C08F2222/404 , C08F222/26
摘要： 본 발명의 수지 조성물은 일반식 (1) 로 나타내는 말레이미드 유도체 (A), 일반식 (2) 로 나타내는 비스말레이미드 화합물 (B) 를 함유한다. 일반식 (1) 에 있어서, R1 은 탄소 원자수 1 이상의 직사슬 또는 분기 알킬렌기를 나타내고, R2 는 탄소 원자수 5 이상의 직사슬 또는 분기 알킬기를 나타내며, 또한, R1 과 R2 의 탄소 원자수의 합이 10 이하이다. 일반식 (2) 에 있어서, X
1 은 -O-, -COO- 또는 -OCOO- 를 나타내고, R
3 은 탄소 원자수 1 내지 5 의 직사슬 또는 분기 알킬렌기를 나타내고, R
4 는 탄소 원자수 3 내지 6 의 직사슬 또는 분기 알킬렌기를 나타내며, 또한, m 은 1 이상 50 이하의 정수이다.
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