公开(公告)号：KR101910762B1

公开(公告)日：2018-10-22

申请号：KR1020177032781

申请日：2016-06-14

申请人： 닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤 ,  신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤

发明人： 야마다다카시 ,  오다다이조 ,  하이바라데루오 ,  오이시료 ,  사이토가즈유키 ,  우노도모히로

IPC分类号： H01L23/00 ,  B23K35/02 ,  B23K35/30 ,  C22C5/04 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06

CPC分类号： B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  B32B15/00 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  C23C30/00 ,  C23C30/005 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/12889 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01013

摘要： Cu 합금코어재와, 상기 Cu 합금코어재의표면에형성된 Pd 피복층을갖는반도체장치용본딩와이어에있어서, 상기본딩와이어가고온환경하에있어서의접속신뢰성을부여하는원소를포함하고, 하기 (1) 식으로정의하는내력비가 1.1 내지 1.6인것을특징으로한다. 내력비=최대내력/0.2%내력(1)

公开(公告)号：KR101906408B1

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：KR1020110100767

申请日：2011-10-04

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 김원근 ,  송현정 ,  최은경 ,  장혜영

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： 본발명의기술적사상은반도체패키지공정에서핸들링이용이하고워피지발생문제를해결할수 있는반도체패키지및 그제조방법을제공한다. 그반도체패키지는적어도하나의반도체칩이내부밀봉재에의해밀봉된내부패키지; 상기내부패키지가실장되는외부기판; 및상기내부패키지를밀봉하는외부밀봉재;를포함하고, 상기내부밀봉재와외부밀봉재는서로다른모듈러스(Young's modulus)를갖는다.

公开(公告)号：KR101887199B1

公开(公告)日：2018-09-10

申请号：KR1020137030448

申请日：2012-05-31

申请人： 후지 덴키 가부시키가이샤

发明人： 미야나기,토시유키

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/053 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/03 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 본발명은, 각칩 사이에서균일한병렬동작을하는반도체유닛과, 상기반도체유닛을이용하여제작되는열저항이작은저비용으로고신뢰성의반도체장치를제공한다. 와이드갭 기판인 SiC 기판으로형성된동일한복수의작은반도체칩(SiC-Di 칩(2))을 2매의도전판(공통구리판(1), (8))으로끼워넣고, 병렬접속하여반도체유닛(100)을형성한다. 이렇게함으로써, 복수의반도체칩(SiC-D 칩(2))의병렬동작이균일화하며, 전류집중에의한파괴가방지가능한고신뢰성의반도체유닛(100)으로할 수있다.

公开(公告)号：KR101896665B1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：KR1020120003454

申请日：2012-01-11

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 최윤석 ,  조태제

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/074 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/05552

摘要： 반도체패키지가제공된다. 본발명의일 실시예에따른반도체패키지는, 기판; 기판상에위치하고, 복수의제1 반도체칩들을포함하는칩 적층부; 칩적층부상에위치하는적어도하나의제2 반도체칩; 및적어도하나의제2 반도체칩을기판과전기적으로연결하는신호전달매체를포함하고, 칩적층부는, 복수의제1 반도체칩들중 하나인쓰루실리콘비아(TSV)를포함하는제1 칩, 복수의제1 반도체칩들중 다른하나인 TSV를통해제1 칩과전기적으로연결되는제2 칩, 및제1 칩과제2 칩의사이를채우는내부밀봉재를포함하는육면체구조물이다.

公开(公告)号：KR101895097B1

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：KR1020137031208

申请日：2012-05-24

申请人： 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤

发明人： 시모베야스오 ,  무라야마류이치 ,  미토테게이지

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L23/49579 ,  C08K3/08 ,  C08K2003/0806 ,  C09J9/00 ,  C09J11/04 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/3224 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3226 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

摘要： 본발명에의해수율이우수한반도체장치가제공된다. 본발명의반도체장치 (10) 는, 기재 (다이패드) (2) 와, 반도체소자 (3) 와, 기재및 반도체소자 (3) 사이에개재되고, 양자를접착하는접착층 (1) 을구비한다. 접착층 (1) 중에열전도성필러 (8) 를함유하고있다. 이반도체장치 (10) 는, 접착층 (1) 중에열전도성필러 (8) 가분산되어있고, 접착층 (1) 전체중의열전도성필러 (8) 의함유율을 C 로하고, 접착층 (1) 의반도체소자 (3) 측의계면으로부터깊이 2 ㎛까지에걸친영역 1 에있어서의열전도성필러 (8) 의함유율을 C1 로하고, 접착층 (1) 의기재 (다이패드) (2) 측의계면으로부터깊이 2 ㎛까지에걸친영역 2 에있어서의열전도성필러 (8) 의함유율을 C2 로하였을때, C1

公开(公告)号：KR101886888B1

公开(公告)日：2018-08-08

申请号：KR1020130090751

申请日：2013-07-31

申请人： 스태츠 칩팩 피티이. 엘티디.

发明人： 린야오지안 ,  월츠,헤이즈-피터 ,  윤승욱 ,  마리무투,판디씨

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/565 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

摘要： 반도체디바이스는다수반도체다이를포함하는반도체웨이퍼를갖는다. 절연층이반도체웨이퍼상에형성된다. 절연층의일부는반도체다이활성표면의일부는노출시키도록 LDA에의해제거된다. 제 1 전도성층이반도체다이활성표면의접촉패드상에형성된다. 반도체웨이퍼는반도체다이를분리시키도록분할된다. 반도체다이는반도체다이활성표면이캐리어로부터옵셋되는상태로캐리어상에위치된다. 봉지재가반도체다이측부및 활성표면의노출된부분을커버하도록반도체다이및 캐리어상에증착된다. 상호접속구조체가전도성층 상에형성된다. 선택적으로, MUF 재료가반도체다이측부및 활성표면의노출된부분상에증착된다.

公开(公告)号：KR101872556B1

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：KR1020137024478

申请日：2012-03-09

申请人： 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤

发明人： 고타니다카히로 ,  마에다마사카츠

IPC分类号： H01L23/28

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명에의해접착제잔류가저감되어, 수율이우수한반도체장치의구조및 그제조방법이제공된다. 본발명의반도체장치의제조방법은열박리성점착층 (마운트필름) 의주면상에, 복수의반도체소자 (106) 를배치하는공정과, 반도체봉지용수지조성물을사용하여, 마운트필름의주면상의복수의반도체소자 (106) 를봉지하는봉지재층 (108) 을형성하는공정과, 마운트필름을박리함으로써, 봉지재층 (108) 의하면 (30) 및반도체소자 (106) 의하면 (20) 을노출시키는공정을포함한다. 마운트필름을박리하는공정후에있어서의, 봉지재층 (108) 의하면 (30) 의접촉각이포름아미드를사용한측정시에있어서 70 도이하로특정된다.

公开(公告)号：KR101856996B1

公开(公告)日：2018-06-20

申请号：KR1020137016114

申请日：2011-11-22

申请人： 센스에어 아베

发明人： 브라운,스테판 ,  닉라우스,프란크 ,  피스체르,안드레아스 ,  그라딘,헨릭

IPC分类号： B81B3/00 ,  B23K20/00 ,  B81C1/00 ,  H01L23/49

CPC分类号： H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  C22C19/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85099 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85345 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2224/85385 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/858 ,  H01L2224/85855 ,  H01L2224/85899 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/01022

摘要： 본발명은기판에형상기억합금와이어를접합하는방법에관한것으로, 상기와이어는기판에 3D 구조로기계적으로접합한다. 본발명은또한형상기억합금와이어가접합된기판을포함하는장치에관한것으로, 상기와이어는기판에 3D 구조로기계적으로접합한다.

公开(公告)号：KR101867489B1

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：KR1020120066318

申请日：2012-06-20

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 김상원 ,  김종윤 ,  최은경 ,  한상욱 ,  홍지석

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L21/565 ,  H01L21/561 ,  H01L22/10 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1435 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/1441 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： 웨이퍼레벨패키지형성방법이제공된다. 본발명의일부실시예에따른웨이퍼레벨패키지형성방법은, 복수의제1 반도체칩을포함하는웨이퍼를준비하는단계; 상기웨이퍼상에복수의제2 반도체칩을실장하는단계; 상기웨이퍼를하부금형상에배치하고, 상기웨이퍼상면의가장자리를모두감싸도록상부금형을배치하는단계; 몰딩부재를상기웨이퍼상에디스펜싱(dispensing) 하는단계; 및플런저(plunger)로상기몰딩부재를압축하여상기제2 반도체칩의상부면이노출되는웨이퍼레벨패키지를형성하는단계;를포함한다.

公开(公告)号：KR101863462B1

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：KR1020167001693

申请日：2013-08-21

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 테이웽홍 ,  구제크존에스 ,  생크만로버트엘

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/18162

摘要： 본개시물의실시예들은, 집적회로(IC) 패키지어셈블리내의, 임베디드실리콘다이에대한범프리스인터페이스에관한것이다. 하나의실시예에서, 방법은공동을정의하는유전체물질의주변부분을형성하는단계와, 공동내에적어도하나의다이를배치하는단계 - 상기다이는컨택을포함함 - 와, 다이및 주변부분상에유전체물질을증착하는단계와, 컨택을노출하도록유전체물질을에칭하는단계와, 컨택상에도전성물질을증착하는단계를포함한다. 다른실시예들이설명되고/되거나특허청구될수 있다.