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公开(公告)号：KR102029885B1
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：KR1020177024967
申请日：2013-07-26
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 썬,제니퍼와이. , 카눈고,비라자프래새드 , 루보미르스키,드미트리
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公开(公告)号：KR1020170034938A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：KR1020177007693
申请日：2013-07-26
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 썬,제니퍼와이. , 카눈고,비라자프래새드 , 루보미르스키,드미트리
CPC classification number: H01J37/32495 , C04B41/009 , C04B41/5042 , C04B41/87 , C23C4/11 , C23C4/134 , H01J37/32477 , H01L21/02 , H01L21/67017 , Y10T428/24413 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/252 , C04B35/10 , C04B35/565 , C04B41/4527 , C04B41/5032
Abstract: 반도체처리챔버를위한물품에대한코팅을제작하기위하여, 물품은 Al, AlO, 또는 SiC 중적어도하나의바디, 및바디상의세라믹코팅을포함한다. 세라믹코팅은약 50 mol% 내지약 75 mol% 범위의 YO, 약 10 mol% 내지약 30 mol% 범위의 ZrO, 및약 10 mol% 내지약 30 mol% 범위의 AlO을포함하는화합물을포함하며, 여기서 1 인치당 노듈의수는약 30개노듈내지약 45개노듈의범위이며, 공극율은약 2.5% 내지약 3.2% 범위이다.
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公开(公告)号：KR101037530B1
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：KR1020080083318
申请日：2008-08-26
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
IPC: H01L21/302
CPC classification number: C23C16/4407 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D11/0047 , C11D11/0064
Abstract: 양극처리된 알루미늄 부품을 회복하기 위한 세정 처리는 부품이 에칭 반응기에서 플루오르-포함 플라스마에 노출된 경우 특히 유용하다. 이러한 부품은 플루오르화알루미늄과 같은 플루오르산의 교반된 용매 내에 담기며(86), 이는 풀루오르화알루미늄을 용해 가능한 풀루오르로 변환한다. 상기 부품은 물에서 헹굼된다(88). 세정된 양극처리의 세공은 고온의 교반된 탈이온수 내에 담금으로써 릴리싱된다(90).
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公开(公告)号：KR101897594B1
公开(公告)日：2018-09-12
申请号：KR1020177007693
申请日：2013-07-26
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 썬,제니퍼와이. , 카눈고,비라자프래새드 , 루보미르스키,드미트리
CPC classification number: H01J37/32495 , C04B41/009 , C04B41/5042 , C04B41/87 , C23C4/11 , C23C4/134 , H01J37/32477 , H01L21/02 , H01L21/67017 , Y10T428/24413 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/252 , C04B35/10 , C04B35/565 , C04B41/4527 , C04B41/5032
Abstract: 반도체처리챔버를위한물품에대한코팅을제작하기위하여, 물품은 Al, AlO, 또는 SiC 중적어도하나의바디, 및바디상의세라믹코팅을포함한다. 세라믹코팅은약 50 mol% 내지약 75 mol% 범위의 YO, 약 10 mol% 내지약 30 mol% 범위의 ZrO, 및약 10 mol% 내지약 30 mol% 범위의 AlO을포함하는화합물을포함하며, 여기서 1 인치당 노듈의수는약 30개노듈내지약 45개노듈의범위이며, 공극율은약 2.5% 내지약 3.2% 범위이다.
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公开(公告)号：KR101720094B1
公开(公告)日：2017-03-27
申请号：KR1020157005336
申请日：2013-07-26
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 썬,제니퍼와이. , 카눈고,비라자프래새드 , 루보미르스키,드미트리
CPC classification number: H01J37/32495 , C04B41/009 , C04B41/5042 , C04B41/87 , C23C4/11 , C23C4/134 , H01J37/32477 , H01L21/02 , H01L21/67017 , Y10T428/24413 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/252 , C04B35/10 , C04B35/565 , C04B41/4527 , C04B41/5032
Abstract: 반도체처리챔버를위한물품에대한코팅을제작하기위하여, 물품은 Al, AlO, 또는 SiC 중적어도하나의바디, 및바디상의세라믹코팅을포함한다. 세라믹코팅은약 50 mol% 내지약 75 mol% 범위의 YO, 약 10 mol% 내지약 30 mol% 범위의 ZrO, 및약 10 mol% 내지약 30 mol% 범위의 AlO을포함하는화합물을포함하며, 여기서 1 인치당 노듈의수는약 30개노듈내지약 45개노듈의범위이며, 공극율은약 2.5% 내지약 3.2% 범위이다.
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Patent Agency Ranking6.发明公开
公开(公告)号：KR1020090057926A
公开(公告)日：2009-06-08
申请号：KR1020080121370
申请日：2008-12-02
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 썬,제니퍼와이. , 초우,아이린에이. , 쑤,리 , 콜린스,케네쓰에스. , 그라베스,토마스
IPC: H01L21/3063 , H01L21/302
CPC classification number: C23C16/4404 , C04B41/009 , C04B41/5353 , C04B41/91 , C04B35/565
Abstract: A chemical treatment method is provided to remove a crystal structure damaged from a surface of a silicon carbide element used as a semiconductor processing device. A silicon carbide is converted into a silicon oxide by treating a silicon carbide surface of a silicon carbide element by a liquid oxidizer. The silicon oxide is removed by using the liquid. A process for treating the surface of the silicon carbide and a process for removing the silicon oxide are consecutively repeated. An opening of the surface is performed by one among a liquid etchant or a plasma etching. A process for treating the surface of the silicon carbide is performed by the liquid oxidizer in an ultrasonic bath at temperature of 20~200°C for 1~100 hour.
Abstract translation: 提供了一种化学处理方法来去除由用作半导体处理装置的碳化硅元件的表面损坏的晶体结构。 通过用液体氧化剂处理碳化硅元素的碳化硅表面，将碳化硅转变为氧化硅。 通过使用液体除去氧化硅。 连续重复用于处理碳化硅表面的方法和除去氧化硅的方法。 表面的开口由液体蚀刻剂或等离子体蚀刻中的一个进行。 处理碳化硅表面的方法是通过液体氧化剂在超声波浴中在20〜200℃的温度下进行1〜100小时。
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公开(公告)号：KR1020160145816A
公开(公告)日：2016-12-20
申请号：KR1020167033014
申请日：2015-04-23
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 피로우즈도르,바히드 , 카눙고,비라자피. , 썬,제니퍼와이. , 샐리나스,마틴제이. , 리,자레드아흐메드
CPC classification number: C23C14/081 , C23C14/024 , C23C14/0635 , C23C14/08 , C23C14/083 , C23C14/221 , C23C16/4581 , C23C16/50
Abstract: 서셉터와같은물건(article)은, 제 1 보호층에의해코팅된열 전도성재료의바디, 및바디의표면위의제 2 보호층을포함한다. 제 1 보호층은열 전도성세라믹이다. 제 2 보호층은제 1 보호층을덮으며, 그리고섭씨 650도의온도들에서크래킹(cracking)에대해저항적인플라즈마저항성(plasma resistant) 세라믹박막이다.
Abstract translation: 诸如感受器的物品包括由主体的表面上的第一保护层和第二保护层涂覆的导热材料的主体。 第一保护层是导热陶瓷。 第二保护层覆盖第一保护层，并且是在650摄氏度的温度下耐龟裂的耐等离子体陶瓷薄膜。
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公开(公告)号：KR1020160022361A
公开(公告)日：2016-02-29
申请号：KR1020167001522
申请日：2014-06-19
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 썬,제니퍼와이. , 카넌고,비라자피. , 피로우즈도르,바히드 , 초,톰
CPC classification number: C23C14/08 , B32B18/00 , C23C14/083 , C23C14/22 , C23C14/228 , C23C14/34 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , Y10T428/24355 , Y10T428/24967 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 물품은바디, 및바디의적어도하나의표면상의적어도하나의보호층을포함한다. 적어도하나의보호층은 YAlO, YAlO, ErO, GdO, ErAlO, GdAlO및 YAlO및 YO-ZrO의고용체를포함하는세라믹컴파운드로이루어진군으로부터선택된세라믹을포함하는대략 20 마이크론미만의두께를갖는박막이다.
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9.发明授权
公开(公告)号：KR101419685B1
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：KR1020080121370
申请日：2008-12-02
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 썬,제니퍼와이. , 초우,아이린에이. , 쑤,리 , 콜린스,케네쓰에스. , 그라베스,토마스
IPC: H01L21/3063 , H01L21/302
CPC classification number: C23C16/4404 , C04B41/009 , C04B41/5353 , C04B41/91 , C04B35/565
Abstract: 본 발명은 실리콘 카바이드 구성요소의 표면으로부터 손상된 실리콘 카바이드 결정 구조를 제거하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 둘 이상의 액체 화학 처리 공정을 포함하는데, 하나의 처리는 실리콘 카바이드를 실리콘 옥사이드로 전환시키는 공정이고, 다른 하나의 처리는 실리콘 옥사이드를 제거하는 공정이다. 액체 화학 처리는 전형적으로는 약 100℃ 미만의 온도에서 수행된다. 그러한 방법을 수행하는데 요구되는 시간은 일반적으로는 약 100 시간 미만이다.
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公开(公告)号：KR102140194B1
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：KR1020197028751
申请日：2013-07-26
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 썬,제니퍼와이. , 카눈고,비라자프래새드 , 루보미르스키,드미트리
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