公开(公告)号：KR101917290B1

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：KR1020180016483

申请日：2018-02-09

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 야마자와요헤이

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32697 ,  H01J37/02 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3341

摘要： 유도결합형의플라즈마처리에서챔버내에형성되는도너츠형상플라즈마내의플라즈마밀도분포를효율적으로임의로제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치에서는, 유도결합플라즈마를생성하기위하여유전체창(52) 상에설치되는 RF 안테나(54)가직경방향으로내측코일(58), 중간코일(60) 및외측코일(62)로분할되어있다. 고주파급전부(66)의고주파전송로상에설치되는제 1 노드(N)와제 2 노드(N)의사이에서, 내측코일(58)에는고정혹은반고정의내측콘덴서(104)가전기적으로직렬접속되고, 중간코일(60) 및외측코일(62)에는가변의중간콘덴서(86) 및가변의외측콘덴서(88)가각각전기적으로직렬접속된다.

公开(公告)号：KR101813954B1

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：KR1020110074880

申请日：2011-07-28

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 호소야마사노리 ,  이토마사히로 ,  요시다료이치

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/38 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32697 ,  H01L21/0273

摘要： (과제) 레지스트막을마스크로한 반사방지막의에칭공정의전에, 양호하게레지스트막을개질한다. (해결수단) 플라즈마처리방법은, 피에칭층상에반사방지막인 Si-ARC(15)가형성되고, 반사방지막상에패턴화된 ArF 레지스트막(16)이형성된적층막에대하여, 에칭가스로부터생성된플라즈마에의해상기레지스트막을마스크로하여상기반사방지막을에칭하는에칭공정과, 상기에칭공정의전에실행되고, 플라즈마처리장치내에 CF가스와 COS 가스와 Ar 가스를포함하는개질용가스를도입하여, 당해개질용가스로부터생성된플라즈마에의해 ArF 레지스트막(16)을개질하는개질공정을포함한다.

摘要翻译： [问题]在使用抗蚀剂膜作为掩模的抗反射膜的蚀刻步骤之前，抗蚀剂膜优选被改性。 等离子体处理方法包括以下步骤：在蚀刻层上形成作为抗反射膜的Si-ARC（15），并在该抗反射膜上形成图案化的ArF抗蚀剂膜（16） 通过导入含有在防反射膜中提到的蚀刻工序和抗蚀剂膜作为掩模的重整气体的等离子体中，在所述蚀刻工艺中，CF气体和COS气体和Ar气体中的等离子体处理装置之前执行， 并且通过由重整气体产生的等离子体对ArF抗蚀剂膜16进行改性。

公开(公告)号：KR101809788B1

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：KR1020150105983

申请日：2015-07-27

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 마리온제이슨 ,  쉐르파소남 ,  보로닌세르게이에이 ,  란잔알록 ,  이시카와요시오 ,  에노모토다카시

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01J37/32697 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6833

摘要： 프로세싱플라즈마가존재할때 정전척(ESC)으로의전압의인가와연관되는전류스파이크가최소화되거나감소되는플라즈마프로세싱방법및 장치가제공된다. 일예에따라, 프로세싱플라즈마가스트라이킹(striking)된이후 ESC에전압이인가되지만, 전압은원하는최종 ESC 전압을달성하기위해단계적방식으로증가되거나램핑된다. 대안적인실시예에서, ESC 전압은웨이퍼를프로세싱하기위한플라즈마의스트라이킹이전에적어도부분적으로인가된다. 프로세싱플라즈마의존재동안 ESC로의전압의인가와연관되는전류스파이크들을감소시킴으로써, 웨이퍼상의미립자들의퇴적또는전달이감소될수 있다.

公开(公告)号：KR101806302B1

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：KR1020157000077

申请日：2013-05-23

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 파케,비자야디. ,  핸슨,라이언

IPC分类号： C23C14/50 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C14/50 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/34

摘要： 무선주파수(RF) 복귀경로를갖는기판지지부들의실시예들이본원에제공된다. 일부실시예들에서, 기판지지부는상부에기판을지지하기위한지지표면및 대향하는제 2 표면을갖는유전체지지본체; 상기지지표면에근접하게, 상기지지본체내에배치된척킹전극; 및상기유전체지지본체의제 2 표면상에배치된 RF 복귀경로전극을포함할수 있다. 일부실시예들에서, 기판프로세싱시스템은내부부피를갖는프로세스챔버; 상기내부부피를프로세싱부피및 비-프로세싱부피로분리하고그리고상기프로세스챔버의천장을향하여연장하는실드; 및상기실드아래에배치되는, 전술한바와같은기판지지부를포함할수 있다.

摘要翻译： 本文提供了具有射频（RF）返回路径的衬底支撑件的实施例。 在一些实施例中，衬底支撑件包括电介质支撑体，电介质支撑体具有用于支撑衬底的支撑表面和相对的第二表面; 设置在所述支撑体内靠近所述支撑表面的夹持电极; 以及设置在电介质支撑体的第二表面上的RF返回路径电极。 在一些实施例中，衬底处理系统包括具有内部容积的处理室; 将内部容积分成处理容积和非处理容积并朝向处理室的顶部延伸的屏蔽; 以及如上所述的衬底支撑件，设置在防护件下方。

公开(公告)号：KR1020170125109A

公开(公告)日：2017-11-13

申请号：KR1020177030770

申请日：2016-03-16

申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.

发明人： 리칸스키,알렉산더 ,  라도바노브,스베트라나비. ,  리,윌리암다비스

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32697

摘要： 기판으로주입하기위한경사진이온빔을생성하기위한장치가개시된다. 장치는플라즈마가생성되는플라즈마챔버를포함한다. 추출개구(extraction aperture)는복수의회전가능한플레이트들을포함한다. 이온빔렛(ion beamlet)들이상기복수의회전가능한플레이트들에의해정의된개구들을통과하여추출된다. 이들플레이트들이회전되는각도는추출되는이온빔에대한추출각도를결정한다. 이들플레이트들은성취할수 있는최대추출각도를증가시킬수 있는복수의상이한형상들로형성될수 있다. 추가적으로, 추출각도에영향을미치는전극들이플레이트들근처에배치될수 있다.

摘要翻译： 公开了一种用于产生倾斜离子束以注入基底的设备。 该设备包括其中产生等离子体的等离子体室。 抽取孔包括多个可旋转板。 离子小射束通过由多个可旋转板限定的孔提取。 这些板旋转的角度决定了提取离子束的提取角度。 这些板可以形成多种不同的形状，这可以增加可实现的最大提取角度。 另外，影响提取角度的电极可以放置在板附近。

公开(公告)号：KR1020170094359A

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：KR1020177019114

申请日：2015-11-04

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 웨스트,브라이언티. ,  가젠드라,마노이에이. ,  젬버린감,순다라잔

IPC分类号： H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  H01L21/67 ,  C23C14/22 ,  C23C14/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C14/50 ,  C23C16/4586 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  C23C14/22 ,  C23C16/455 ,  H02N13/00

摘要： 본개시내용의실시예들은정전척 어셈블리, 프로세싱챔버, 및기판의온도를유지하는방법을포함한다. 일실시예에서, 정전척, 냉각플레이트, 및가스박스를포함하는정전척 어셈블리가제공된다. 냉각플레이트는냉각플레이트에형성된가스채널을포함한다. 가스박스는가스채널을통하는냉각가스의유동을제어하도록동작가능하다.

摘要翻译： 本公开的实施例包括静电吸盘组件，处理室以及维持衬底温度的方法。 在一个实施例中，提供了一种静电吸盘组件，其包括静电吸盘，冷却板和气体盒。 冷却板包括形成在冷却板中的气体通道。 气箱可操作以控制通过气体通道的冷却气体的流动。

公开(公告)号：KR1020170093718A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：KR1020170014362

申请日：2017-02-01

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 탄종규 ,  장이팅 ,  우잉 ,  슈칭 ,  푸첸 ,  야마구치요코 ,  추이린

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32926 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/6833

摘要： 재료를에칭하도록사용된화학물질들및 에칭될재료를평가함으로써결정된제거에너지문턱값들에기초한자기-제한반응들을사용하여기판들을에칭하기위한방법들및 장치는연속적인플라즈마의플로우를수반한다. 프로세스조건들은기판상의재료를에칭하도록사용된화학물질들간의교번없이제어된, 자기-제한이방성에칭을허용한다. 잘제어된에칭프런트 (front) 는, 기판이반응성라디칼들에의해개질되고그리고불활성이온들에의해제거될때 재료가에칭되지만, 재료가반응성라디칼들에의해개질되지만불활성이온들이존재하지않을때, 또는불활성이온들이존재하지만재료가반응성라디칼들에의해개질되지않을때, 재료가에칭되지않도록, 에칭을수행하기위해반응성라디칼들과불활성이온들의시너지효과를허용한다.

摘要翻译： 基于通过评估待蚀刻材料和用于蚀刻材料的化学物质确定的消除能量阈值，使用自限性反应来蚀刻衬底的方法和设备涉及连续等离子体的流动。 工艺条件允许在用于蚀刻衬底上的材料的化学物质之间交替受控，自限性的各向异性蚀刻。 一个良好控制的蚀刻前沿是当衬底被反应性自由基改性并被惰性离子除去时材料被蚀刻，但是当材料被反应性自由基改性但不存在惰性离子时，或者 允许反应性自由基和惰性离子的协同效应进行蚀刻，以便当惰性离子存在时材料不被蚀刻，但材料不被反应性自由基改性。

公开(公告)号：KR1020170088309A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：KR1020170009863

申请日：2017-01-20

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 로저스,제임스

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01L21/6833 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32605 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/3288 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68785

摘要： 본개시는일반적으로에지링의 RF 진폭을제어하는장치들및 방법들에관한것이다. 이장치들및 방법들은가변커패시터를통해접지에결합되는전극을포함한다. 전극은링 형상일수 있고, 정전척을포함하는기판지지부에매립될수 있다. 전극은기판및/또는에지링의둘레아래에포지셔닝될수 있다. 에지링 부식으로인해플라즈마시스가에지링에인접하게떨어질때, 기판의에지근처의 RF 진폭에영향을주도록가변커패시터의커패시턴스가조정된다. 전극및 가변커패시터를통한 RF 진폭의조정은기판둘레근처에서플라즈마시스의조정을야기한다.

摘要翻译： 本公开总体上涉及用于控制边缘环的RF幅度的设备和方法。 这些装置和方法包括通过可变电容器耦合到地的电极。 电极可以是环形的并且嵌入包括静电吸盘的基板支架中。 电极可以定位在衬底周边和/或边缘环的下方。 当由于边缘环，腐蚀减小邻近边缘环的等离子体鞘，以影响在衬底的边缘附近的RF振幅的可变电容器的电容被调整。 调整通过电极和可变电容器的RF幅度导致调整衬底周边附近的等离子体鞘层。

公开(公告)号：KR1020170029076A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：KR1020150125718

申请日：2015-09-04

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 석철균 ,  강태균 ,  엄정환 ,  최창원

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01J37/32642 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715

摘要： 본발명은링 부재및 그를포함하는기판처리장치를개시한다. 그의장치는월 라이너, 정전척, 및링 부재를포함한다. 링부재는포커스링과사이드링을포함한다. 사이드링은상기사이드링은상기링 부재의바닥에서부터상기링 부재의상부로연장하고, 상기링 부재의상부로부터상기링 부재의외부측벽으로연장한다.

摘要翻译： 衬底处理系统包括壁衬，壁衬中的用于保持衬底的静电吸盘，以及包括聚焦环和侧环的环构件。 聚焦环位于静电卡盘的边缘区域上，侧环包围聚焦环的外侧表面和静电卡盘的侧表面。 侧环包括从环形构件的底表面朝向环形构件的顶部延伸并从环形构件的顶部朝向环形构件的外侧表面延伸的气孔。

公开(公告)号：KR101687565B1

公开(公告)日：2016-12-19

申请号：KR1020100027761

申请日：2010-03-29

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 야마자와요헤이 ,  오쿠니시나오히코 ,  미사와히로노부 ,  소에타히데히토

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/203

CPC分类号： H01J37/32623 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32697

摘要： 플라즈마밀도분포제어의성능및 자유도를대폭개선하여플라즈마밀도분포및 프로세스특성의가급적인균일성향상을실현시킨다. 용량결합형플라즈마처리장치는, 서셉터(12) 상의플라즈마밀도분포를제어하기위한툴로서챔버하부실(25)에플라즈마밀도분포제어기(72)를설치하고있다. 이플라즈마밀도분포제어기(72)는서셉터(12)의배면의원하는부위에상면을향하여배치되는도체판(제 1 도체)(74)과, 이도체판(74)을그 아래에서보지하고, 또한전기적으로접지하는도체봉(제 2 도체)(76)을가진다. 도체봉(76)의상단(제 1 접속부)은도체판(74)의하면의임의의부위에고착되어있다. 도체봉(76)의하단(제 2 접속부)은챔버(10)의저벽(10b)에고착또는접촉되어설치된다.

摘要翻译： 通过大大提高性能和控制等离子体密度分布的自由度，提高了等离子体密度分布和工艺特性的均匀性。 电容耦合等离子体处理装置包括安装在室下室中的等离子体密度分布控制器，用于控制基座上的等离子体密度分布。 等离子体密度分布控制器包括导电板（第一导体），该导电板（第一导体）被放置在基座的后表面处于与基座相对的特定位置处;以及导电棒（第二导体），其将导电板向上支撑并电接地。 导电棒的上端（第一连接部）固定在导电板的底面的某一部分上，导电棒的下端（第二连接部）固定在底部 一个房间的墙壁