公开(公告)号：KR101523384B1

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：KR1020080126640

申请日：2008-12-12

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 정은정 ,  선종백

IPC分类号： C08L83/04 ,  C08L83/08 ,  C08K3/10 ,  C08J5/22

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C08G77/26 ,  C08G77/58 ,  C08K5/0091 ,  C08K5/057 ,  C08K5/56 ,  C08L83/08 ,  C09D183/14 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0537 ,  C08L2666/02

摘要： 본발명의일 구현예에따른절연성수지조성물은 (A) 1차아민기, 2차아민기또는이들모두를포함하는규소계고분자화합물; (B) 유기금속화합물; 및 (C) 용매를포함하는데, 이러한절연성수지조성물은반도체소자형성공정에서물리화학적성질이유지되므로절연막결함, 얼룩, 뭉침등으로인한반도체소자의특성불량을방지할수 있을뿐 아니라, 히스테리시스를감소시킴으로써반도체소자의특성을향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020150040780A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：KR1020147007858

申请日：2013-07-25

申请人： 가부시키가이샤 아루박

发明人： 후쿠다,나츠키 ,  후쿠쥬,카즈노리 ,  니시오카,유타카 ,  수우,코우코우

IPC分类号： H01L21/203 ,  H01L21/316 ,  C23C14/00 ,  C23C14/08

CPC分类号： C23C14/0063 ,  C23C14/0068 ,  C23C14/083 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3411 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/203 ,  H01L21/316

摘要： [과제] 소망한막 특성을가지는금속화합물층을기판면내에균일하게형성할수 있는성막방법및 성막장치를제공한다. [해결수단] 본발명의일 실시형태에따른성막방법은, 통상의격벽(20)의내부에형성된성막실(101)과격벽(20)의외부에형성된배기실(102)을가지는진공챔버(10)의내부를, 배기실(102)에접속된배기라인(50)을통해배기하는것을포함한다. 배기실(102)에반응성가스를포함하는프로세스가스가도입되고, 성막실(101)이배기실(102)보다저압력으로유지된상태에서, 격벽(20)과진공챔버(10) 사이에형성된가스유로(80)를통해프로세스가스가성막실(101)에공급된다.

摘要翻译： 本发明提供能够在基板表面均匀地形成具有期望的膜特性的金属化合物层的成膜方法和成膜装置。 根据本发明实施例的沉积方法是一种沉积方法，其中在常规分隔壁（20）中形成沉积室（101），具有排气室（102）的真空室， 10通过连接到排气室102的排气管线50连接。排气管线50经由排气管线50连接到排气室102。 引入包含在排气室102中的反应性气体的处理气体，在膜形成室101之间形成的气体是双重的空气室102比在保持状态在低压力下，分隔壁20和真空室10 处理气体通过流路80供给到成膜室101。

公开(公告)号：KR101457715B1

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：KR1020097006217

申请日：2007-07-11

申请人： 닛키 쇼쿠바이카세이 가부시키가이샤

发明人： 에가미미키 ,  나카시마아키라 ,  고마쓰미치오

IPC分类号： H01L21/316 ,  C09D1/00 ,  C09D183/00 ,  H01L21/768

CPC分类号： C09D1/00 ,  C09D4/00 ,  H01L21/316 ,  C08G77/04

摘要： 본 발명은 비유전율이 3.0 이하로 작고, 게다가 영 탄성률이 3.0GPa 이상의 피막 강도를 가진 저유전율 비정질 실리카계 피막을 기판에 안정적으로 형성하는 방법에 관한 것으로, (a) 테트라알킬암모늄하이드로옥사이드(TAAOH)의 존재하에서 가수분해하여 얻어지는 유기 규소 화합물의 가수분해물을 함유한 액상 조성물을 기판상에 도포하는 공정, (b) 상기 기판을 장치내에 수납하고, 상기 기판상에 형성된 피막을 25∼340℃의 온도 조건하에서 건조하는 공정, (c) 상기 장치내에 과열수증기를 도입하고, 상기 피막을 105∼450℃의 온도 조건하에서 가열하여 가열 처리하는 공정, 및 (d) 상기 장치내에 질소 가스를 도입하고, 상기 피막을 350∼450℃의 온도 조건하에서 소성하는 공정을 포함한다.
실리카계 피막, 저유전율

公开(公告)号：KR101351694B1

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：KR1020087003742

申请日：2006-09-08

申请人： 아사히 가라스 가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

发明人： 다카타마사아키 ,  고야나기미츠마사

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

摘要： 부유 게이트 주위의 절연체의 절연성의 향상과, 부유 게이트 중의 산화된 금속 초미립자의 비율의 저감을 가능하게 하는 불휘발성 반도체 기억 소자 및 제조 방법을 제공한다.
깁스의 산화물 생성 자유 에너지가, 0℃ 내지 1200℃ 의 범위 내에서, Si 의 그것보다 높은 원소인 난산화성 물질로 이루어지는 부유 게이트와, 그 부유 게이트의 주위를 둘러싸는, 동 에너지가 Si 와 동일 또는 Si 보다 낮은 이산화성 물질의 산화물로 이루어지는 절연체를 갖는 불휘발성 반도체 기억 소자의 제조 방법에 있어서, 난산화성 물질의 부유 게이트가 물리적 형성법을 이용하여 형성되고, 이산화성 물질의 산화물이 물리적 형성법 또는 화학적 형성법을 이용하여 형성되고, 게이트 절연막을 형성한 후에, 산화용 기체와 환원용 기체의 혼합 기체 중에서, 0℃ ∼ 1200℃ 까지의 온도 범위 내에 있어서 난산화성 물질만을 환원하고, 이산화성 물질의 산화물만을 산화하도록, 혼합 기체의 혼합비 및 온도를 제어하여 열처리를 실시한다.
깁스의 생성 자유 에너지, 난산화성 원소, 이산화성 원소, 불활성 분위기

公开(公告)号：KR101285471B1

公开(公告)日：2013-07-12

申请号：KR1020087017813

申请日：2006-12-15

申请人： 닛키 쇼쿠바이카세이 가부시키가이샤

发明人： 에가미미키 ,  아라오히로키 ,  나카시마아키라 ,  고마쓰미치오

IPC分类号： C09D183/04 ,  C09D5/25

CPC分类号： H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  C08G77/50 ,  C09D183/14 ,  H01B3/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122

摘要： [과제]
3.0 이하의 비유전율과 3.0GPa 이상의 피막 강도(영 탄성률)를 가지며, 게다가 소수성이 뛰어난 저유전율 비정질 실리카계 피막을 형성하기 위한 도포액에 관한 것이다.
[해결 수단] (1)비스(트리알콕시실릴)알칸(BTASA) 및 알콕시실란(AS)을 테트라알킬암모늄하이드로옥사이드(TAAOH)의 존재하에서 가수분해하여 얻어지는 규소 화합물, 또는 (2)비스(트리알콕시실릴)알칸(BTASA), 알콕시실란(AS) 및 테트라알킬오르소실리케이트(TAOS)를 테트라알킬암모늄하이드로옥사이드(TAAOH)의 존재하에서 가수분해하여 얻어지는 규소 화합물을 포함한 저유전율비정질 실리카계 피막 형성용 도포액.

公开(公告)号：KR101228814B1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：KR1020060116606

申请日：2006-11-23

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 테라다쇼우이치 ,  이즈노츠요시 ,  우에하라타케시

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/6715

摘要： 본 발명은 기판처리방법 및 기판 처리 장치에 관한 것으로서 표면에 요철을 가지는 기판인 기판에 대해서 도포액을 공급하고, 기판의 표면에 도포막을 성막 하는 기판 처리 방법에 있어서 회전하는 기판에 대해서 도포액을 공급하고, 기판 표면에 도포막을 형성하고 도포막이 형성된 기판을 가열해, 도포막의 에칭 조건을 조정한다. 다음에, 회전하는 기판에 대해서 에칭액을 공급하고, 도포막을 에칭 한 후, 기판에 대해서 도포액을 공급하고, 기판의 표면에 평탄한 형상의 도포막을 형성한다. 그 후 기판을 가열해 도포막을 경화시킨다. 이것에 의해 화학 기계 연마와 같은 고부하 프로세스를 경과하는 경우 없이, 균일하고 또한 고정밀도의 도포막의 평탄화를 도모할 수 있는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR101216199B1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：KR1020117011387

申请日：2007-02-27

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 챠우,타이쳉 ,  헝,스티븐 ,  리우,파트리시아엠 ,  사토,타츠야 ,  패터슨,알렉스엠 ,  토도로브,발렌틴 ,  홀랜드,존피

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/31155 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/34 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31683 ,  H01L29/517

摘要： 본발명은기판상에고품질유전체게이트층을형성하도록구성되는방법들및 장치들을제공한다. 본방법에서금속플라즈마처리프로세스가기판상에하이유전상수의층을형성하는데있어표준질화프로세스대신에이용된다. 게이트유전체층, 이를테면실리콘이산화물층에대한이온충돌손상을감소시키고하부에놓인실리콘속으로금속원자들이통합되는것을방지하기위해, 본장치는비교적낮은에너지의금속이온들을 "주입"하도록구성된다. 일반적으로, 프로세스는하이-k 유전체를형성하는단계및 그이후에게이트전극과하이-k 유전체물질사이에양호한계면이형성되도록증착된물질을처리하는단계를포함한다. 실시예들은또한하이-k 유전체물질을형성하고, 하이 k-유전체물질의표면을종결시키며, 원하는후처리단계들을수행하고게이트층들을형성하도록구성되는클러스터툴을제공한다.

公开(公告)号：KR101161468B1

公开(公告)日：2012-07-02

申请号：KR1020077014095

申请日：2005-11-30

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 와다코리 ,  레우싱크게르트

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/02321 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/316 ,  H01L29/495

摘要： 기판상에 형성된 유전체층 및 하이-k 유전체층상에 형성된 금속 함유 게이트 전극층을 가진 게이트 스택을 포함하는 기판을 제공하고, 플라즈마의 프로세스 가스로부터 저에너지 여기형 도펀트 화학종들을 형성하며, 게이트 스택으로 도펀트를 통합하기 위해 게이트 스택을 여기형 도펀트 화학종들에 노출시키고, 그것에 의해, 반도체 디바이스의 가공에서 게이트 스택을 처리하기 위한 방법. 이 방법은 게이트 스택의 일 함수를 튜닝하는데 이용될 수 있다.
기판, 하이-k 유전체층, 금속 함유 게이트 전극층, 게이트 스택, 저에너지 여기형 도펀트 화학종, 반도체 디바이스, 일 함수 튜닝, 프로세스 가스, 플라즈마

公开(公告)号：KR101140457B1

公开(公告)日：2012-04-30

申请号：KR1020080092289

申请日：2008-09-19

申请人： 가부시끼가이샤 도시바

发明人： 가와모또히로시 ,  가이나오끼 ,  마쯔노고이찌 ,  가지모또미노리

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L21/3125 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

摘要： 반도체 장치의 제조 방법은, 반도체 기판을 포함하는 기판의 표면에 형성된 오목부를 매립하도록 도포형 산화막을 도포 형성하는 공정과, 상기 기판을 제1 온도에서 수증기 산화 처리하는 공정과, 상기 기판을 온수 내에 침지하여 메가소닉파(megasonic wave)를 인가하는 공정과, 상기 기판을 상기 제1 온도보다도 높은 제2 온도에서 수증기 산화 처리하는 공정을 포함한다(도 6).
온수, 수증기 산화 처리, 메가소닉파, 도포형 산화막, 온수 처리

公开(公告)号：KR101131640B1

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：KR1020070122379

申请日：2007-11-29

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 와따나베마사히사 ,  시바따데쯔야

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828

摘要： 폴리실라잔막을 처리하는 방법은, 폴리실라잔의 도포막이 표면에 배치된 피처리 기판을 수납하는 반응 용기의 처리 영역을, 산소를 포함하고 또한 6.7 ㎪ 내지 26.7 ㎪의 제1 압력을 갖는 제1 분위기로 설정한 상태에서, 상기 처리 영역을 예열 온도로부터 소정 온도까지 변화시키는 승온을 행한다. 다음에 상기 처리 영역을, 산화 가스를 포함하고 또한 상기 제1 압력보다도 높은 제2 압력을 갖는 제2 분위기로 설정한 상태에서, 상기 소정 온도 이상의 제1 처리 온도에서 상기 도포막을 소성하여 실리콘 및 산소를 포함하는 절연막을 얻기 위해 제1 열처리를 행한다.
폴리실라잔막, 반응 용기, 피처리 기판, 승화 가스, 절연막