公开(公告)号：KR1020170093048A

公开(公告)日：2017-08-14

申请号：KR1020160050953

申请日：2016-04-26

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 우지은이 ,  리치엔순 ,  조우체운푸 ,  수에푸룽

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/288 ,  H01L23/538 ,  H01L23/498

CPC分类号： H05K1/0216 ,  H01L21/485 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/552 ,  H05K1/024 ,  H05K1/0245 ,  H05K1/113 ,  H05K1/115 ,  H05K3/0047 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/42 ,  H05K3/423 ,  H05K2201/0723 ,  H05K2201/09545 ,  H05K2201/0959 ,  H05K2201/09645

摘要： 상호연결구조체를제조하기위한방법과상호연결구조체가제공된다. 본방법은, 기판내에개구를형성하는단계; 개구내에로우-k 유전체블록을형성하는단계; 로우-k 유전체블록내에적어도하나의제1 비아를형성하는단계; 및비아내에도전체를형성하는단계를포함한다. 상호연결구조체는기판, 유전체블록, 및도전체를포함한다. 기판은내부에개구를갖는다. 유전체블록은기판의개구내에존재한다. 유전체블록은내부에적어도하나의비아를갖는다. 유전체블록은기판의유전상수보다작은유전상수를갖는다. 도전체는유전체블록의비아내에존재한다.

摘要翻译： 提供了用于制造互连结构的方法和互连结构。 该方法包括在衬底中形成开口; 在开口中形成低k介质块; 在低k介质块中形成至少一个第一通孔; 并形成整个身体的一个步骤。 互连结构包括衬底，电介质块和导体。 衬底在其中具有开口。 介质块存在于衬底的开口中。 介质块在内部具有至少一个通孔。 介电块的介电常数小于衬底的介电常数。 导体存在于介质块的通孔中。

公开(公告)号：KR101674322B1

公开(公告)日：2016-11-08

申请号：KR1020150162075

申请日：2015-11-18

申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사

发明人： 정진숙 ,  성경술 ,  심기동 ,  김계령 ,  권영익

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/28 ,  H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49811 ,  H01L2021/60022 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311

摘要： 본발명의일 실시예는반도체디바이스및 그제조방법에관한것이다. 본발명은회로기판과, 회로기판에전기적으로접속된반도체다이와, 반도체다이를몰딩하는몰딩부와, 회로기판및 몰딩부를덮는전자기파쉴드층으로이루어진반도체디바이스및 그제조방법을개시한다.

公开(公告)号：KR1020160006257A

公开(公告)日：2016-01-18

申请号：KR1020157037048

申请日：2013-06-13

申请人： 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드

发明人： 첸,하워드,이. ,  구오,이판 ,  호앙,딘푸옥,부 ,  자나니,메흐란 ,  코,틴,민트 ,  레톨라,필립,존 ,  로비안코,안토니,제임스 ,  모디,하르딕,부펜드라 ,  응우옌,호앙,몽 ,  오잘라스,매튜,토마스 ,  페티-위크스,산드라,루이스 ,  리드,매튜,션 ,  리지,젠스,알브레히트 ,  리플리,데이비드,스티븐 ,  샤오,홍시아오 ,  센,홍 ,  선,웨이민 ,  선,흐시앙-치흐 ,  웰치,패트릭,로렌스 ,  잠파디,피터,제이.,주니어 ,  장,구오하오

IPC分类号： H03F3/19 ,  H03F3/24 ,  H01L23/00 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L29/08 ,  H01L29/205

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8252 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/665 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85416 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/565 ,  H03F3/187 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F3/347 ,  H03F3/45 ,  H03F3/60 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/48 ,  H03F2200/555 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 본기재의일 특징은, 무선주파수(RF) 신호를증폭하도록구성된전력증폭기를포함하는전력증폭기다이 - 전력증폭기는이종접합쌍극성트랜지스터(HBT) 및 p-타입전계효과트랜지스터(PFET)를포함하고, PFET 은 HBT의콜렉터의층과실질적으로동일한재료를포함하는반도체세그먼트를포함하고, 반도체세그먼트는 PFET의채널에대응함 - ; 전력증폭기의출력에전기적으로접속되고 RF 신호의기본주파수에서임피던스정합을제공하도록구성된부하선; 및전력증폭기의출력에전기적으로접속되고 RF 신호의고조파주파수에대응하는위상에서종단하도록구성된고조파종단회로를포함하는전력증폭기모듈이다. 모듈의다른실시예들이그의관련된방법들및 컴포넌트들과함께제공된다.

摘要翻译： 功率放大器模块包括功率放大器，其包括具有集电极的GaAs双极晶体管，邻接集电极的基极和发射极，该集电极在与基极的连接处具有至少约3×1016cm-3的掺杂浓度， 所述收集器还具有至少第一分级，其中掺杂浓度从所述基底增加; 以及由功率放大器驱动的RF传输线，RF传输线包括在导电层上的导电层和精整电镀，精加工镀层包括金层，接近金层的钯层和靠近金层的扩散阻挡层 钯层，扩散阻挡层包括镍，并且其厚度小于0.9GHz处的镍的趋肤深度。 模块的其他实施例与其相关方法和组件一起提供。

公开(公告)号：KR1020060130560A

公开(公告)日：2006-12-19

申请号：KR1020067009065

申请日：2004-10-05

申请人： 지에스아이 그룹 코포레이션

发明人： 구,보 ,  스마트,도날드,브이. ,  코딩래이,제임스,제이. ,  이,주한 ,  스배크오프,도날드,제이. ,  존슨,쉬파드,디. ,  이어맨,조나단,에스.

IPC分类号： B23K26/36

CPC分类号： H01S3/2383 ,  B23K26/04 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/361 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/38 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/10 ,  B23K2203/12 ,  B23K2203/172 ,  H01L21/485 ,  H01L21/76894 ,  H01L22/12 ,  H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01S3/0085 ,  H01S3/06758 ,  H01S3/1618 ,  H01S3/23 ,  H05K3/0026 ,  H01L2924/00

摘要： A laser-based system for processing target material within a microscopic region without causing undesirable changes in electrical or physical characteristics of at least one material surrounding the target material, the system includes a seed laser, an optical amplifier, and a beam delivery system. The seed laser for generating a sequence of laser pulses having a first pre-determined wavelength. The optical amplifier for amplifying at least a portion of the sequence of pulses to obtain an amplified sequence of output pulses. The beam delivery system for delivering and focusing at least one pulse of the amplified sequence of pulses onto the target material. The at least one output pulse having a pulse duration in the range of about (10) picoseconds to less than (1) nanosecond. The pulse duration being within a thermal processing range. The at least one focused output pulse having sufficient power density at a location within the target material to reduce the reflectivity of the target material and efficiently couple the focused output into the target material to remove the target material.

摘要翻译： 一种用于在微观区域内处理目标材料而不引起围绕靶材料的至少一种材料的电学或物理特性的不希望的变化的基于激光的系统，该系统包括种子激光器，光学放大器和光束传递系统。 用于产生具有第一预定波长的激光脉冲序列的种子激光器。 用于放大脉冲序列的至少一部分以获得放大的输出脉冲序列的光放大器。 用于将放大的脉冲序列的至少一个脉冲传送和聚焦到目标材料上的光束传送系统。 所述至少一个输出脉冲具有在约（10）皮秒至小于（1）纳秒范围内的脉冲持续时间。 脉冲持续时间在热处理范围内。 所述至少一个聚焦输出脉冲在目标材料内的位置处具有足够的功率密度，以减少目标材料的反射率并有效地将聚焦的输出耦合到目标材料中以去除目标材料。

公开(公告)号：KR100602987B1

公开(公告)日：2006-07-24

申请号：KR1020037012708

申请日：2002-03-28

申请人： 지에스아이 그룹 코포레이션

发明人： 어어만,조너단,에스. ,  코딩글레이,제임즈,제이. ,  스마트,도널드,브이. ,  스베트코프,도널드제이. ,  리주한 ,  존슨,셰파드,던 ,  그리피스,조우지프,제이. ,  필개스,데이비드,엠. ,  다우드,로저

IPC分类号： H01L21/82

CPC分类号： B23K26/0736 ,  B23K26/032 ,  B23K26/04 ,  B23K26/043 ,  B23K26/0613 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0652 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/067 ,  B23K26/082 ,  B23K26/10 ,  B23K26/16 ,  B23K26/361 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/38 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/10 ,  B23K2203/12 ,  B23K2203/172 ,  B23K2203/50 ,  H01L21/485 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76894 ,  H01L22/12 ,  H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/0026 ,  H01L2924/00

摘要： 본 발명은 기판(13) 또는 기타 이 기판위에 형성된 기타 구조의 전기적인 또는 물리적인 특성의 바람직하지 않은 변경을 야기하지 않고 기판위에 형성된 소정의 마이크로스트럭쳐(10)을 국부적으로 처리하는 방법 및 시스템에 관한 것이다. 이 방법은 소정의 기판(10), 기판(13) 및 기타 구조와의 레이저 펄스(13) 상호작용을 기판으로 정보를 제공하는 것을 포함한다. 하나이상의 펄스(13)의 하나이상의 특성은 이 정보를 기반으로 결정된다. 펄스된 레이저 비임(3)은 하나이상의 펄스(3)을 발생한다. 이 방법은 또한 소정의 특성을 가지지는 하나이상의 펄스(3)을 소정의 마이크로스트럭쳐(10)위의 스폿에 방사하는 것을 포함한다. 하나이상의 펄스(3)의 기타 특성과 하나이상의 결정된 특성은 바람직하지 않은 변경을 야기하지 않고 소정의 마이크로스트럭쳐(10)을 국부적으로처리하기에 충분하다.
마이크로스트럭쳐

公开(公告)号：KR100213603B1

公开(公告)日：1999-08-02

申请号：KR1019950058347

申请日：1995-12-27

申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼

发明人： 마루야마시게노부 ,  혼고미끼오 ,  도도로끼사또루 ,  오꾸나까마사아끼 ,  마쯔자끼히데오 ,  니노미야다까노리 ,  요시무라가즈시 ,  이또후미까즈

IPC分类号： G02F1/1343

CPC分类号： G02F1/136286 ,  G02F2001/136254 ,  H01L21/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 전자회로기판의 배선수정방법 및 그 장치와 전자회로기판에 관한것으로서, 배선패턴의 결함의 위치의 특정 또는 검사시간의 단축화를 도모하고 단시간에 결함을 발견하여 수정하는 배선패턴기판의 제조를 실현하고 미세한 배선의 단선 또는 반단선 개소를 배선과 대략 동일 정도의 저항으로 또한 고신뢰도로 접속해서 실제의 제품으로서 사용가능하게 하기 위해서, 배선패턴과 전극을 절연해서 정전적으로 결합시키고, 배선패턴과 전극 사이에 시간적으로 변화하는 전압을 부가해서 배선패턴과 전극 사이에 흐르는 전류를 검출하고, 이 전압인가 및 전류검출을 배선패턴의 여러개의 위치에 대해서 실시하고, 배선패턴에 대해 여러개의 위치에서의 전극과 배선패턴 사이의 검출 전류의 변화를 검출하고 이것에 따라서 결함을 검출하는 구성으로 하고, 또 배선이 단선 또는 반단선된 단선 또는 반단선 개소에 금속착물을 포함한 용액 또는 도포막을 공급하고, 공급된 단선 또는 반단선 개소에 레이저광을 조사해서 금속착물의 열분해 반응에 의해 금속박막을 단선 또는 반단선된 배선의 끝부를 피복하고 끝부 사이에 연속해서 석출시켜 배선 사이를 접속하는 방법을 채택하고 있다.
이렇게 하는 것에 의해서, 전자회로기판의 상품가격을 부활시키고 그 제조효율을 향상시키게 되어 전자회로기판의 가격이 저하하고, 상부배선 및 고밀도프린트기판에 있어서의 단선 또는 반선의 수정을 간편하고 고신뢰도로 실행할 수 있다는 등의 효과가 얻어진다.

公开(公告)号：KR1020170095827A

公开(公告)日：2017-08-23

申请号：KR1020177013517

申请日：2014-12-22

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 차울라,제스미트에스. ,  브레인,루스에이. ,  쉔커,리차드이. ,  싱,콴왈지트 ,  마이어스,앨런엠.

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L23/532 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/485 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2224/16225

摘要： 반도체디바이스를위한교대하는유전체캡(dielectric cap)들및 에칭정지라이너(etchstop liner)를갖는인터커넥트구조물및 이러한디바이스들을제조하기위한방법들이설명된다. 한실시예에따르면, 인터커넥트구조물은, 제1 하드마스크층을갖는층간유전체(ILD)를포함할수 있고, 제1 하드마스크층은 ILD의상부면위에있다. 인터커넥트구조물은또한, ILD 내에하나이상의제1 인터커넥트라인을포함할수 있다. 제1 유전체캡은제1 인터커넥트라인들각각의상부면위에위치할수 있다. 추가실시예들은, 제1 인터커넥트라인들과교대하는패턴으로배열된하나이상의제2 인터커넥트라인들을 ILD 내에포함한다. 제2 유전체캡은제2 인터커넥트라인들각각의상부면위에형성될수 있다. 실시예들은또한, 제1 유전체캡들의상부면들위에형성되는에칭정지라이너를포함할수 있다.

摘要翻译： 描述了具有用于半导体器件的交替电介质帽和蚀刻停止衬垫的互连结构以及用于制造这种器件的方法。 根据一个实施例，互连结构可以包括具有第一硬掩模层的层间电介质（ILD），其中第一硬掩模层位于ILD的上表面上。 互连结构还可以包括ILD中的一个或多个第一互连线。 第一电介质帽可以位于每个第一互连线的上表面上。 另外的实施例包括以与ILD中的第一互连线交替的图案布置的一个或多个第二互连线。 第二电介质帽可以形成在每个第二互连线的上表面上。 实施例还可以包括形成在第一电介质帽的顶表面上方的蚀刻停止衬里。

公开(公告)号：KR1020160006255A

公开(公告)日：2016-01-18

申请号：KR1020157037045

申请日：2013-06-13

申请人： 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드

发明人： 첸,하워드,이. ,  구오,이판 ,  호앙,딘푸옥,부 ,  자나니,메흐란 ,  코,틴,민트 ,  레톨라,필립,존 ,  로비안코,안토니,제임스 ,  모디,하르딕,부펜드라 ,  응우옌,호앙,몽 ,  오잘라스,매튜,토마스 ,  페티-위크스,산드라,루이스 ,  리드,매튜,션 ,  리지,젠스,알브레히트 ,  리플리,데이비드,스티븐 ,  샤오,홍시아오 ,  센,홍 ,  선,웨이민 ,  선,흐시앙-치흐 ,  웰치,패트릭,로렌스 ,  잠파디,피터,제이.,주니어 ,  장,구오하오

IPC分类号： H03F1/02 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8252 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/665 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85416 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/565 ,  H03F3/187 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F3/347 ,  H03F3/45 ,  H03F3/60 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/48 ,  H03F2200/555 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 본기재의일 특징은, 전력증폭기와수동컴포넌트를포함하는제1 다이 - 전력증폭기는콜렉터, 콜렉터에인접한베이스, 및에미터를갖는쌍극성트랜지스터를포함하고, 콜렉터는베이스와의인터페이스에서적어도약 3x10cm의도핑농도를가지며, 콜렉터는또한, 베이스로부터멀어질수록도핑농도가증가하는계조를가짐 - ; 및제1 다이의수동컴포넌트의전기적속성의표시(indication)에적어도부분적으로기초하여바이어스신호를생성하고바이어스신호를전력증폭기에제공하도록구성된바이어스회로를포함하는제2 다이를포함하는전력증폭기모듈이다. 모듈의다른실시예들이그의관련된방법들및 컴포넌트들과함께제공된다.

摘要翻译： 功率放大器模块包括功率放大器，其包括具有集电极的GaAs双极晶体管，邻接集电极的基极和发射极，该集电极在与基极的连接处具有至少约3×1016cm-3的掺杂浓度， 所述收集器还具有至少第一分级，其中掺杂浓度从所述基底增加; 以及由功率放大器驱动的RF传输线，RF传输线包括在导电层上的导电层和精整电镀，精加工镀层包括金层，接近金层的钯层和靠近金层的扩散阻挡层 钯层，扩散阻挡层包括镍，并且其厚度小于0.9GHz处的镍的趋肤深度。 模块的其他实施例与其相关方法和组件一起提供。

公开(公告)号：KR1020150028312A

公开(公告)日：2015-03-13

申请号：KR1020157001695

申请日：2013-06-13

申请人： 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드

发明人： 첸,하워드,이. ,  구오,이판 ,  호앙,딘푸옥,부 ,  자나니,메흐란 ,  코,틴,민트 ,  레톨라,필립,존 ,  로비안코,안토니,제임스 ,  모디,하르딕,부펜드라 ,  응우옌,호앙,몽 ,  오잘라스,매튜,토마스 ,  페티-위크스,산드라,루이스 ,  리드,매튜,션 ,  리지,젠스,알브레히트 ,  리플리,데이비드,스티븐 ,  샤오,홍시아오 ,  센,홍 ,  선,웨이민 ,  선,흐시앙-치흐 ,  웰치,패트릭,로렌스 ,  잠파디,피터,제이.,주니어 ,  장,구오하오

IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F3/189

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8252 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/665 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85416 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/565 ,  H03F3/187 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F3/347 ,  H03F3/45 ,  H03F3/60 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/48 ,  H03F2200/555 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H03F1/30 ,  H03F3/189

摘要： 전력 증폭기 모듈은, 콜렉터, 콜렉터에 인접한 베이스, 및 에미터를 갖는 GaAs 쌍극성 트랜지스터를 포함하는 전력 증폭기 - 콜렉터는 베이스와의 접합부에서 적어도 약 3x10
16 cm
-3 의 도핑 농도를 가지며, 콜렉터는 또한, 베이스로부터 멀어질수록 도핑 농도가 증가하는 적어도 제1 계조를 가짐 - ; 및 전력 증폭기에 의해 구동되는 RF 전송 라인을 포함하고, RF 전송 라인은 도전층과 도전층 상의 마무리 도금을 포함하고, 마무리 도금은 금층, 금층에 근접한 팔라듐층, 및 팔라듐층에 근접한 확산 장벽층을 포함하며, 확산 장벽층은 니켈을 포함하고 0.9 GHz에서 대략 니켈의 표피 깊이보다 작은 두께를 갖는다. 모듈의 다른 실시예들이 그의 관련된 방법들 및 컴포넌트들과 함께 제공된다.

公开(公告)号：KR1020150011851A

公开(公告)日：2015-02-02

申请号：KR1020157000990

申请日：2013-06-13

申请人： 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드

发明人： 첸,하워드,이. ,  구오,이판 ,  호앙,딘푸옥,부 ,  자나니,메흐란 ,  코,틴,민트 ,  레톨라,필립,존 ,  로비안코,안토니,제임스 ,  모디,하르딕,부펜드라 ,  응우옌,호앙,몽 ,  오잘라스,매튜,토마스 ,  페티-위크스,산드라,루이스 ,  리드,매튜,션 ,  리지,젠스,알브레히트 ,  리플리,데이비드,스티븐 ,  샤오,홍시아오 ,  센,홍 ,  선,웨이민 ,  선,흐시앙-치흐 ,  웰치,패트릭,로렌스 ,  잠파디,피터,제이.,주니어 ,  장,구오하오

IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F3/189

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8252 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/665 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85416 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/565 ,  H03F3/187 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F3/347 ,  H03F3/45 ,  H03F3/60 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/48 ,  H03F2200/555 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H03F1/301 ,  H03F3/189

摘要： 전력 증폭기 모듈은, 콜렉터, 콜렉터에 인접한 베이스, 및 에미터를 갖는 GaAs 쌍극성 트랜지스터를 포함하는 전력 증폭기 - 콜렉터는 베이스와의 접합부에서 적어도 약 3x10
16 cm
-3 의 도핑 농도를 가지며, 콜렉터는 또한, 베이스로부터 멀어질수록 도핑 농도가 증가하는 적어도 제1 계조를 가짐 - ; 및 전력 증폭기에 의해 구동되는 RF 전송 라인을 포함하고, RF 전송 라인은 도전층과 도전층 상의 마무리 도금을 포함하고, 마무리 도금은 금층, 금층에 근접한 팔라듐층, 및 팔라듐층에 근접한 확산 장벽층을 포함하며, 확산 장벽층은 니켈을 포함하고 0.9 GHz에서 대략 니켈의 표피 깊이보다 작은 두께를 갖는다. 모듈의 다른 실시예들이 그의 관련된 방법들 및 컴포넌트들과 함께 제공된다.

摘要翻译： 功率放大器模块包括功率放大器，其包括具有集电极的GaAs双极晶体管，邻接集电极的基极和发射极，该集电极在与基极的连接处具有至少约3×1016cm-3的掺杂浓度， 所述收集器还具有至少第一分级，其中掺杂浓度从所述基底增加; 以及由功率放大器驱动的RF传输线，RF传输线包括在导电层上的导电层和精整电镀，精加工镀层包括金层，接近金层的钯层和靠近金层的扩散阻挡层 钯层，扩散阻挡层包括镍，并且其厚度小于0.9GHz处的镍的趋肤深度。 模块的其他实施例与其相关方法和组件一起提供。