公开(公告)号：KR101823805B1

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：KR1020167013499

申请日：2014-01-10

申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

发明人： 이치카와게이타로 ,  시카노다케토시

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/49568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 방열성을가능한한 유지하면서, 전력반도체장치의저비용화를실현가능한기술을제공하는것을목적으로한다. 전력반도체장치는, 리드프레임(1a)과, 리드프레임(1a)의상면상에설치된전력반도체소자(2)와, 리드프레임(1a)의하면상에설치된절연층(6)을구비한다. 상술한하면에서절연층(6)이설치된영역의외주선의적어도일부의선이, 상술한상면에서전력반도체소자(2)가설치된영역의외주선을, 리드프레임(1a)의두께만큼넓힌경우에얻어지는확대외주선의적어도일부의선과상면에서보아일치한다.

摘要翻译： 同时保持尽可能的热辐射，其目的在于提供一种功率半导体器件，该技术可行的成本。 功率半导体器件包括引线框架1a，设置在引线框架1a的顶表面上的功率半导体元件2以及设置在引线框架1a的表面上的绝缘层6。 在其中在上述方式设置在绝缘层6的区域的线的至少一部分的外周线，加宽的区域令人惊讶您安排提供在上述hansangmyeon的功率半导体器件（2），通过在引线框架的厚度的情况下变焦得到（1a）的 并且与外周和上表面的至少一部分线重合。

公开(公告)号：KR1020170134982A

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：KR1020177034028

申请日：2016-04-21

申请人： 인벤사스 코포레이션

发明人： 코레이날도 ,  수비도윌마 ,  응옌흐엉 ,  카라마저리 ,  조니웰 ,  래틴크리스토퍼더블유.

IPC分类号： B81B7/00

CPC分类号： H01L24/49 ,  B81B7/007 ,  B81B7/0074 ,  B81B2207/05 ,  B81C1/00301 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/05599

摘要： 장치는일반적으로마이크로전자기계시스템구성요소에관한것이다. 그러한장치에서, 마이크로전자기계시스템구성요소는하부표면, 상부표면, 제1 측부표면들및 제2 측부표면들을갖는다. 제1 측부표면들의표면적이제2 측부표면들의표면적보다크다. 마이크로전자기계시스템구성요소는제1 측부표면들중 제1 측부표면에부착되어제1 측부표면으로부터멀어지게연장되는복수의와이어본드와이어들을갖는다. 와이어본드와이어들은자립형이고제1 측부표면들중 제1 측부표면에대해외팔보식으로지지된다.

摘要翻译： 该设备通常涉及微机电系统组件。 在这样的布置中，微机电系统部件具有下表面，上表面，第一侧表面和第二侧表面。 第一侧表面的表面积现在大于两个侧表面的表面积。 微机电系统组件具有附接到第一侧表面中的第一侧表面并远离第一侧表面延伸的多个接线键合线。 丝焊线是自支撑的并且相对于第一侧面中的第一个是悬臂式的。

公开(公告)号：KR1020170063926A

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：KR1020177012007

申请日：2014-11-07

申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

发明人： 가와시마히로시 ,  사카모토겐 ,  곤도사토시 ,  시카노다케토시 ,  다카이요시히로 ,  펠리키아니클라우디오

IPC分类号： H01L23/50 ,  H01L25/18 ,  H01L25/07 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/49537 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48108 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/50 ,  H01L21/56

摘要： 전력용반도체소자와, 제어소자와, 전력용반도체소자와, 제어소자를각각유지하고있는제 1 및제 2 리드프레임과, 전력용반도체소자와제 1 리드프레임을접속하는제 1 금속배선과, 전력용반도체소자와제어소자를접속하는제 2 금속배선과, 이들을덮는밀봉체를구비하며, 제 1 리드프레임은전력용반도체소자를탑재하고있는탑재면을가지는다이패드와, 제 1 금속배선의한쪽단부가접속된접속면을가지는제 1 이너리드를포함하고, 밀봉체의표면중 탑재면에따른방향으로교차하는측면에서, 제 1 및제 2 리드프레임이돌출되지않은측면부분에는, 다른영역보다표면거칠기가거친수지주입구자국이형성되어있고, 수지주입구자국은탑재면에따른방향에서보았을때에접속면에대해제 1 금속배선이위치하는측과는반대측에형성되어있다.

摘要翻译： 第一引线框架和第二引线框架各自保持功率半导体元件，控制元件，功率半导体元件和控制元件，连接功率半导体元件和第一引线框架的第一金属布线， 和第二金属布线连接所述半导体元件和控制元件，用于覆盖这些设置有密封构件，第一引线框架和具有配备有用于电力的半导体器件中，金属线的第一侧上的安装面的管芯焊盘 上跨越沿表面的安装面的方向上的侧端部分，所述第一mitje侧部2，该引线框架中不包括具有连接接触表面的第一内部引线突出，并且所述密封元件，该表面比其他区域的 当从沿着安装表面的方向观察时，树脂注入口迹线相对于连接表面形成在与第一金属迹线所在的一侧相反的一侧。

公开(公告)号：KR1020170002373A

公开(公告)日：2017-01-06

申请号：KR1020167026776

申请日：2015-06-02

申请人： 가부시키가이샤 노다스크린

发明人： 오야마다세이세이

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L23/498 ,  H01L23/13 ,  H01L23/522 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L25/0652 ,  G11C5/063 ,  G11C5/14 ,  G11C7/04 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/228 ,  H01G4/33 ,  H01G4/40 ,  H01L21/565 ,  H01L23/12 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L25/00 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/14361 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 반도체기억장치(1)는센터패드영역(14)을제외하고, 메모리칩(10)의회로면(11)에대향한위치에설치된박막커패시터(30)를구비한다. 박막커패시터(30)는제1면전극(31), 상유전체또는강유전체의박막유전체층(33) 및제2면전극(32)을포함한다. 제1면전극은메모리칩으로의일방의극성의전원전압이공급되는제1 전원입력부(31Gin)와, 일방의극성의전원전압을센터패드(13)에출력하기위해서센터패드영역의근방에설치된제1 전원출력부(31Gout)를포함한다. 제2면전극은박막유전체층상에형성되고, 메모리칩으로의타방의극성의전원전압이공급되는제2 전원입력부(32Vin)와, 타방의극성의전원전압을센터패드에인가하기위해서센터패드영역의근방에설치된제2 전원출력부(32Vout)를포함한다.

摘要翻译： 半导体存储器件包括设置在除了中心焊盘区域之外的与存储芯片的电路表面相对的位置处的薄膜电容器。 薄膜电容器包括第一平面电极，薄膜电介质层和第二平面电极。 第一平面电极包括设置有一个极性的电源电压的第一电源输入部分和设置在中心焊盘区域附近的第一电源输出部分，以将一个极性的电源电压输出到中心焊盘。 第二平面电极形成在电介质层上，并且包括设置有另一极性的电源电压的第二电源输入部分和设置在中心焊盘区域附近的第二电源输出部分，以施加电源电压 另一极性的中心垫。

公开(公告)号：KR101680511B1

公开(公告)日：2016-11-28

申请号：KR1020157037045

申请日：2013-06-13

申请人： 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드

发明人： 첸,하워드,이. ,  구오,이판 ,  호앙,딘푸옥,부 ,  자나니,메흐란 ,  코,틴,민트 ,  레톨라,필립,존 ,  로비안코,안토니,제임스 ,  모디,하르딕,부펜드라 ,  응우옌,호앙,몽 ,  오잘라스,매튜,토마스 ,  페티-위크스,산드라,루이스 ,  리드,매튜,션 ,  리지,젠스,알브레히트 ,  리플리,데이비드,스티븐 ,  샤오,홍시아오 ,  센,홍 ,  선,웨이민 ,  선,흐시앙-치흐 ,  웰치,패트릭,로렌스 ,  잠파디,피터,제이.,주니어 ,  장,구오하오

IPC分类号： H03F1/02 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8252 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/665 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85416 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/565 ,  H03F3/187 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F3/347 ,  H03F3/45 ,  H03F3/60 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/48 ,  H03F2200/555 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 본기재의일 특징은, 전력증폭기와수동컴포넌트를포함하는제1 다이 - 전력증폭기는콜렉터, 콜렉터에인접한베이스, 및에미터를갖는쌍극성트랜지스터를포함하고, 콜렉터는베이스와의인터페이스에서적어도약 3x10cm의도핑농도를가지며, 콜렉터는또한, 베이스로부터멀어질수록도핑농도가증가하는계조를가짐 - ; 및제1 다이의수동컴포넌트의전기적속성의표시(indication)에적어도부분적으로기초하여바이어스신호를생성하고바이어스신호를전력증폭기에제공하도록구성된바이어스회로를포함하는제2 다이를포함하는전력증폭기모듈이다. 모듈의다른실시예들이그의관련된방법들및 컴포넌트들과함께제공된다.

摘要翻译： 功率放大器模块包括功率放大器，其包括具有集电极的GaAs双极晶体管，邻接集电极的基极和发射极，该集电极在与基极的连接处具有至少约3×1016cm-3的掺杂浓度， 所述收集器还具有至少第一分级，其中掺杂浓度从所述基底增加; 以及由功率放大器驱动的RF传输线，RF传输线包括在导电层上的导电层和精整电镀，精加工镀层包括金层，接近金层的钯层和靠近金层的扩散阻挡层 钯层，扩散阻挡层包括镍，并且其厚度小于0.9GHz处的镍的趋肤深度。 模块的其他实施例与其相关方法和组件一起提供。

公开(公告)号：KR1020160127176A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：KR1020167029941

申请日：2011-09-30

申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

发明人： 가나자와,다까미쯔 ,  아끼야마,사또루

IPC分类号： H01L21/64 ,  H01L21/822 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L21/8213 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/3702 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/40145 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/84

摘要： 반도체장치의신뢰성을향상할수 있는기술을제공한다. 본발명에있어서는, 반도체칩 CHP1의표면에형성되어있는게이트패드 GPj가, 그밖의리드(드레인리드 DL이나게이트리드 GL)보다도소스리드 SL에근접하도록배치되어있게된다. 이결과, 본발명에의하면, 게이트패드 GPj와소스리드 SL 사이의거리를짧게할 수있기때문에, 게이트패드 GPj와소스리드 SL을접속하는와이어 Wgj의길이를짧게할 수있다. 이러한점에서, 본발명에의하면, 와이어 Wgj에존재하는기생인덕턴스를충분히저감할수 있다.

摘要翻译： 并提供了用于提高半导体器件的可靠性的技术。 在本发明中，形成在半导体芯片CHP1的表面上的栅极焊盘GPj被设置为比其他引线（漏极引线DL或栅极引线GL）更靠近源极引线SL。 根据yigyeol本发明，可以缩短栅极焊盘和所述源极引线SL GPJ，GPJ栅极焊盘和所述线之间的距离为源极引线SL WGJ连接uigil它能够减少它。 在这方面，根据本发明，可以充分降低导线Wgj中存在的寄生电感。

公开(公告)号：KR1020160046325A

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：KR1020160044139

申请日：2016-04-11

申请人： 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤

发明人： 후꾸나까도시아끼 ,  가사마쯔아라따

IPC分类号： H01L43/06 ,  H01L43/04 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/18165 ,  H01L43/06 ,  H01L43/04 ,  H01L43/065 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14 ,  H01L2924/00014

摘要： 아일랜드리스구조의홀 센서에있어서 GaAs홀소자를소형박형화한경우에도, 누설전류의증대를방지할수 있도록한 홀센서를제공한다. GaAs 기판(11) 상에설치된감자부(12)와, 전극(13a 내지 13d)과, GaAs 기판(11)의전극(13a 내지 13d)이설치되어있는면과는반대측의면측에설치된보호층(40)을갖는 GaAs홀소자(10)와, GaAs홀소자(10)의주위에배치된리드단자(22 내지 25)와, 전극(13a 내지 13d)과리드단자(22 내지 25)를각각전기적으로접속하는금속세선(31 내지 34)과, 이들을몰드하는몰드부재(50)를구비한다. 보호층(40) 및리드단자(22 내지 25)의제1 면(즉, 금속세선(31 내지 34)과접속하고있는면과는반대측의면)은, 몰드부재(50)의동일한면으로부터노출되어있다. GaAs 기판(11)의저항률은 5.0×10Ω·㎝이상이다.

摘要翻译： 在具有无孤岛结构的霍尔传感器中，提供了一种霍尔传感器，该霍尔传感器防止在GaAs霍尔器件以小型和薄型形式配置的情况下的漏电流增加。 霍尔传感器包括：GaAs霍尔器件（10），其包括安装在GaAs衬底（11）上的退磁单元（12），电极（13a至13d）和保护层（40），所述保护层安装在与 GaAs衬底（11）的电极（13a至13d）的表面; 引线端子（22〜25），其布置在GaAs霍尔器件（10）周围; 分别将电极（13a〜13d）与引线端子（22〜25）电连接的金属细线（31〜34） 以及模制上述元件的模具构件（50）。 与保护层（40）和引线端子（22〜25）的金属细线（31〜34）接触的表面相对的表面的第一表面从 模具构件（50）。 GaAs衬底（11）的电阻率等于或高于5.0×10 ^7Ω·cm。

公开(公告)号：KR1020160029037A

公开(公告)日：2016-03-14

申请号：KR1020157037293

申请日：2014-07-02

申请人： 로젠버거 호흐프리쿠벤츠테흐닉 게엠베하 운트 코. 카게

发明人： 카힐,션,에스. ,  산후안,에릭,에이.

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/367 ,  H01L23/66 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10 ,  H01Q1/28

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L23/367 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/85935 ,  H01L2224/85939 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q1/283 ,  H01Q23/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

摘要： 본발명은다이상호연결시스템에관한것으로, 시스템은복수의연결패드들을갖는제1 다이, 및제1 다이로연장하는리본연결선을포함하고, 리본연결선은코어직경을갖는복수의금속코어들, 및유전체두께로금속코어를둘러싸는유전체층을포함하고, 유전체의적어도일부는복수의금속코어들의길이를따라인접하는금속코어들사이에서융합되고, 외부금속층은접지원에부착된다.

摘要翻译： 一种芯片互连系统，具有具有多个连接焊盘的第一裸片和从第一裸片延伸的色带引线，所述色带引线具有多个具有芯直径的金属芯，以及围绕所述金属芯的电介质层， 电介质的至少一部分沿着多个金属芯的长度熔合在相邻的金属芯之间，以及附着在地面上的外部金属层。

公开(公告)号：KR1020160029035A

公开(公告)日：2016-03-14

申请号：KR1020157037287

申请日：2014-07-02

申请人： 로젠버거 호흐프리쿠벤츠테흐닉 게엠베하 운트 코. 카게

发明人： 카힐,션,에스. ,  산후안,에릭,에이.

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495 ,  H01L23/50 ,  H01L23/66

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L21/568 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/64 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/85931 ,  H01L2224/85935 ,  H01L2224/85939 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

摘要： 본발명은다이패키지(10)에관한것으로, 다이패키지(10)는복수의연결패드들을포함하는다이(30), 설정된코어직경을갖는금속코어들(18), 및상기금속코어들을둘러싸며설정된유전체두께를갖는유전체층(16)을, 각각, 포함하는복수의연결선들(12, 14), 상기다이(30) 및하나이상의금속코어(18)에연결된복수의연결선들(12, 14)을덮는몰드화합물(35) 내에유지되는하나이상의제1 연결패드(34), 및상기다이(30) 및하나이상의금속코어(18)에연결된복수의연결선들(12, 14)을덮는몰드화합물(35) 내에유지되는하나이상의제2 연결패드(34)를포함한다. 또한, 본발명은기판절감다이패키지를제조하는방법에관한것이다.

摘要翻译： 一种模具封装，具有具有多个连接焊盘的芯片，具有限定的芯直径的金属芯的多个导线引线和围绕具有限定的电介质厚度的金属芯的介电层，至少一个第一连接焊盘，其保持在 覆盖模具的模具化合物和连接到至少一个金属芯的多个引线，以及保持在覆盖模具的模具化合物中的至少一个第二连接垫和连接到至少一个金属芯的多个引线。 此外，本发明涉及一种用于制造基板少量封装的方法。

公开(公告)号：KR101543970B1

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：KR1020140130983

申请日：2014-09-30

申请人： 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤

发明人： 후꾸나까도시아끼 ,  하세가와히데노리

IPC分类号： G01R33/07

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 박형화된펠릿에있어서전류를역방향으로흐르게한 경우라도, 리크전류의증대를방지할수 있고, 반대로설치해도리크전류의증대를억제할수 있게한 자기센서를제공한다. 아일랜드(11) 및상기아일랜드(11)의주위에배치된복수의리드단자(12 내지 15)를갖는리드프레임(10)과, 아일랜드(11) 상에접착층을개재하여설치된펠릿(20)과, 펠릿(20)이갖는복수의전극부(23a 내지 23d)와복수의리드단자(12 내지 15)를각각전기적으로접속하는복수의금속세선(41 내지 44)을구비한다. 리드단자(12)는아일랜드(11)에전기적으로접속된아일랜드단자이다. 또한, 접착층은아일랜드(11)와펠릿(20) 사이를절연하는절연페이스트(30), 또는, 다이어태치필름(150)의점착층(130)이다.