公开(公告)号：KR1020170081706A

公开(公告)日：2017-07-12

申请号：KR1020177017797

申请日：2014-09-26

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 메이어토르스텐 ,  야비넨파울리 ,  패튼리차드

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49 ,  H01L23/528 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/96 ,  H01L25/07 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3178 ,  H01L25/065 ,  H01L2224/023

摘要： 본발명의실시예들은제1 캡슐화층에적어도부분적으로내장되는제1 다이및 제2 캡슐화층에적어도부분적으로내장되는제2 다이를포함하는집적회로(IC) 패키지에관한것이다. 제1 다이는제1 캡슐화층의제1 측부에배치되는복수의제1 다이레벨상호접속부구조체를가질수 있다. IC 패키지는또한제1 캡슐화층에적어도부분적으로내장되는복수의전기적라우팅피처를포함하고제1 캡슐화층의제1 측부와제2 측부간에전기신호들을라우팅하도록구성되는복수의전기적라우팅피처를포함할수 있다. 제2 측부는제1 측부에대향하여배치된다. 제2 다이는접합배선들에의해적어도복수의전기적라우팅피처의서브세트와전기적으로결합될수 있는복수의제2 다이레벨상호접속부구조체를가질수 있다.

摘要翻译： 本发明的实施例涉及集成电路（IC）封装，其包括至少部分地嵌入到第一管芯和第二封装层，其至少部分地嵌入在所述第一封装层上的第二管芯。 第一管芯可具有设置在第一封装层的第一侧上的多个第一管芯级互连结构。 是IC封装还包括多个的电气布线，其包括多个被至少部分地嵌入在所述第一封装层和传送电信号的第一侧和第一封装层的第二侧之间电气布线 有。 第二面与第一面相对设置。 第二管芯可以具有多个第二管芯级互连结构，该多个第二管芯级互连结构可以通过接线布线电耦合到至少多个电布线特征的子集。

公开(公告)号：KR101665963B1

公开(公告)日：2016-10-24

申请号：KR1020100011105

申请日：2010-02-05

申请人： 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤

发明人： 기무라노리유키

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85423 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 반도체소자와, 내부단자면과외부단자면을표리일체로구비하는복수의마이크로볼과, 상기반도체소자와상기내부단자면을전기적으로접속하는금속와이어와, 상기반도체소자, 상기복수의단자부의일부, 및, 상기금속와이어를봉지수지로봉지시키는봉지체를구비한반도체장치로서, 상기반도체소자의이면이상기봉지체로부터노출되고, 또한, 상기복수의마이크로볼의일부가외부단자면으로서상기봉지체의바닥면으로부터돌기상에노출된구성으로한다.

摘要翻译： 1。一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体元件;多个微球，其具有在所述表背面一体形成的内侧端子面和外侧端子面;金属线，其与所述半导体元件和所述内侧端子面电连接; 以及用密封树脂密封金属线的插头，其中半导体器件从半导体元件的背面异常突起暴露，并且多个微球的一部分暴露为外部端子表面， 并暴露于基板底面的突出表面。

公开(公告)号：KR1020160041767A

公开(公告)日：2016-04-18

申请号：KR1020150135441

申请日：2015-09-24

申请人： 에피스타 코포레이션

发明人： 허구안-루 ,  예주이-헝 ,  후앙케빈티와이 ,  첸치-청

IPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/36 ,  H01L21/78 ,  H01L21/76 ,  H01L21/683 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/64 ,  H01L24/66 ,  H01L24/69 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/89 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/153 ,  H01L33/36 ,  H01L33/486 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/29194 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/64 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8085 ,  H01L2224/80862 ,  H01L2224/80874 ,  H01L2224/84439 ,  H01L2224/84444 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84455 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/89 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/32 ,  H01L2224/69 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

摘要： 연장가능한금속배선의패턴을통해서로전기적으로접속되도록 LED 칩을사전배선되는그룹으로서탑재하는통합방법을용이하게하는 LED 칩패키징어셈블리가제공된다. 연장가능한금속배선을통해서로전기적으로접속되는 LED 칩이픽앤드플레이스탑재및 LED 칩각각의와이어본딩공정을대체한다. 웨이퍼레벨 MEMS 기술은다양한컨택패드에현수되어접속되는병렬배선을형성하는데활용된다. LED 칩을접속시키는와이어본딩은, 스프링형상일수 있는수평으로배열된연장가능한금속배선으로구성되어, 접속된 LED 칩들간의거리를확장및 수축시킬수 있다. 추가제공되는테이프는 LED 칩에본딩되며, 하나이상의사전배열된거리를초과하는 LED 칩들간의거리를확장시키기위해크기면에서연장된다.

摘要翻译： 提供了一种LED芯片封装组件，其提供了将LED芯片作为预先布线的组件的集成方法，通过可延伸的金属布线的图案彼此电连接。 通过可延伸金属布线彼此电连接的LED芯片分别代替LED芯片的拾取和放置安装以及引线接合工艺。 晶圆级MEMS技术用于形成并联布线，并联连接到各种接触焊盘。 连接LED芯片的接合线被制成水平布置的可延伸的金属布线，其可以是弹簧形状，并且允许连接的LED芯片之间的距离的扩展和收缩。 进一步提供胶带以与LED芯片接合，并且尺寸延伸以扩大LED芯片之间的距离，以超过一个或多个预定距离。

公开(公告)号：KR101612976B1

公开(公告)日：2016-04-15

申请号：KR1020117000059

申请日：2009-05-11

申请人： 내셔널 세미콘덕터 코포레이션

发明人： 웡윌 ,  투응기아툭 ,  바얀제이미 ,  친데이비드

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49582 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/544 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49146 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T428/12438 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00012

摘要： 본발명은, 집적회로패키지내에전기적상호접속부를형성하기위해얇은포일을이용하는방법및 장치에관한것이다. 일실시형태에서, 포일캐리어구조는금속캐리어에도전성포일 (conductive foil) 의부분을초음파적으로접합함으로써형성된다. 접합부분은포일캐리어구조내에패널들을정의한다. 몇몇실시형태에서, 포일캐리어구조가절단되어그 주변을따라서밀봉되는다수의절연패널들을형성한다. 각각의절연패널은대체로종래의리드프레임스트립또는패널의크기일수도있다. 그결과, 기존의패키징장비는패널에다이, 접합배선및 몰딩재료를부가하는데사용될수도있다. 초음파용접은, 이러한프로세싱단계들도중에원치않는물질들이포일캐리어구조를침투하는것을방지하는것을돕는다. 몰딩된포일캐리어구조의캐리어부분이제거된후, 이구조는집적회로패키지로개별화된다. 몇몇실시형태는, 전술한동작들중 몇몇또는모두를활용하는방법에관한것이다. 다른실시형태들은전술한프로세스에서이용되는장치에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020140113429A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020140029135

申请日：2014-03-12

申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

发明人： 가지와라료이찌 ,  나까조다꾸야 ,  아라이가쯔오 ,  야또유이찌 ,  오까히로이 ,  호조지히로시

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/50 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/3011 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45616 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8392 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205

摘要： The present invention is provided to improve the reliability of a semiconductor device which includes a die pad (6), an SiC chip (1) mounted on the die pad (6), a first porous sintered Ag layer (16) bonding the die pad (6) and the SiC chip (1), and a reinforcing resin portion (17) covering the surface of the first sintered Ag layer (16) and formed in a fillet shape. In addition, the semiconductor device includes a source lead (9) electrically connected to a source electrode (2) of the SiC chip (1); a gate lead electrically connected to a gate electrode (3) a drain lead electrically connected to a drain electrode (4); and a sealing body (14) which covers the SiC chip (1), the first sintered Ag layer (16), and a part of the die pad (6). The reinforcing resin portion (17) covers a part of the side surface (1c) of the SiC chip (1).

摘要翻译： 提供本发明以提高包括芯片焊盘（6），安装在芯片焊盘（6）上的SiC芯片（1））的半导体器件的可靠性，第一多孔烧结Ag层（16） （6）和SiC芯片（1）以及覆盖第一烧结Ag层（16）的表面并形成为圆角形状的增强树脂部分（17）。 另外，半导体器件包括与SiC芯片（1）的源电极（2）电连接的源极引线（9）。 电连接到栅电极的栅极引线，电连接到漏电极的漏极引线; 以及覆盖SiC芯片（1），第一烧结Ag层（16）和芯片焊盘（6）的一部分的密封体（14）。 加强树脂部分（17）覆盖SiC芯片（1）的侧表面（1c）的一部分。

公开(公告)号：KR1020110002113A

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：KR1020107028252

申请日：2004-04-15

申请人： 덴카 주식회사

发明人： 요네무라나오미 ,  야시마가투노리 ,  츠지무라요시히코 ,  이시쿠라히데노리 ,  사이키다카시

IPC分类号： H05K1/05 ,  H05K3/44 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45166 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2224/85466 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19051 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/0224 ,  H05K1/024 ,  H05K1/025 ,  H05K3/0061 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/09745 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/4876 ,  H01L2224/4866

摘要： To provide a metal base circuit board excellent in heat dissipation properties, which remarkably reduces malfunction time of a semiconductor which occurs when a hybrid integrated circuit is operated at a high frequency. A metal base circuit board to be use for a hybrid integrated circuit, comprising circuits provided on a metal plate via an insulating layer (A, B), a power semiconductor mounted on the circuit and a control semiconductor to control the power semiconductor, provided on the circuit, wherein a low capacitance portion is embedded under a circuit portion (pad portion) on which the control semiconductor is mounted, preferably, the low capacitance portion is made of a resin containing an inorganic filler and has a dielectric constant of from 2 to 9.

摘要翻译： 为了提供散热特性优异的金属基电路板，显着地减少混合集成电路以高频工作时发生的半导体的故障时间。 一种用于混合集成电路的金属基底电路板，包括经由绝缘层（A，B）设置在金属板上的电路，安装在电路上的功率半导体和控制半导体以控制功率半导体 电路，其中低电容部分嵌入在其上安装有控制半导体的电路部分（焊盘部分）的下方，优选地，低电容部分由含有无机填料的树脂制成，介电常数为2〜 9。

公开(公告)号：KR100896301B1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：KR1020070105384

申请日：2007-10-19

申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤

发明人： 니시무라다카오 ,  나리사와요시아키

IPC分类号： H01L23/28

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0695 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/013

摘要： 본 발명은 배선 기판 위에 적층되는 복수의 반도체칩의 크기나 형상의 자유도를 확보하면서, 반도체칩의 두께를 얇게하지 않고, 박형화를 실현하는 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
배선 기판(41)과, 상기 배선 기판(41) 위에 고착(固着)된 제 1 반도체 소자(42)와, 상기 제 1 반도체 소자(43) 위에 고착된 제 2 반도체 소자(44)를 구비한 반도체 장치(40)는, 상기 제 2 반도체 소자(44)는, 상기 제 2 반도체 소자(44)의 단자(端子) 패드(48)가 상기 제 1 반도체 소자(42)와 중첩되지 않도록, 상기 제 1 반도체 소자(42) 위에 고착되어, 상기 배선 기판(41)의 본딩 패드(47-2)와 제 2 반도체 소자(44)의 상기 패드(48)가, 범프(51)를 포함하는 접속부에 의해 접속되고, 상기 제 2 반도체 소자(44)와 상기 제 1 반도체 소자(42)를 고착하는 접착제(45)가, 상기 접속부를 피복하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
반도체 장치, 배선 기판, 범프, 본딩 와이어, 밀봉 수지, 표면 보호막

公开(公告)号：KR1020080077900A

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：KR1020070124204

申请日：2007-12-03

申请人： 가부시키가이샤 신가와

发明人： 미이다츠나리 ,  도야마도시히코 ,  요시노히로아키

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： B23K20/004 ,  B23K2201/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48487 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2224/4554

摘要： A semiconductor device and a wire bonding method are provided to enhance bonding capability between wires and bumps by bonding the wires at a surface of a wedge having a large attaching area. A semiconductor device includes a bump(21) and a wire(12). The bump formed by bending and stacking the wire on a second bonding point includes a wire bending convex portion opposite to a first bonding point which is connected to the second bonding point using the wire. The wire, which is elongated from the first bonding point to the bump and contacted with an upper surface of the bump, includes a cutting plane smaller than a wire cutting plane at the wire bending convex portion.

摘要翻译： 提供了一种半导体器件和引线接合方法，以通过在具有大的附着区域的楔形物的表面上接合线来增强电线和凸块之间的接合能力。 半导体器件包括凸块（21）和导线（12）。 通过在第二接合点上弯曲并堆叠线而形成的凸块包括与使用导线连接到第二接合点的第一接合点相对的线弯曲凸部。 从第一接合点延伸到凸块并与凸起的上表面接触的线包括在线弯曲凸部处小于线切割平面的切割平面。

公开(公告)号：KR100825797B1

公开(公告)日：2008-04-28

申请号：KR1020060130837

申请日：2006-12-20

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 김경만 ,  양선모 ,  한창훈

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/301

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/48451 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78302 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85385 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/4554

摘要： A semiconductor package and a method for manufacturing the same are provided to perform a wire bonding process on a fine finger by bonding a wire at an upper surface and a lateral surface of the finger. A substrate has a finger(111). One or more semiconductor chip having a chip pad is laminated on the substrate. A wire(160) is formed to connect electrically the finger and the chip pad to each other. One end of the wire is bonded with the finger at an upper surface of the finger and a lateral surface of the finger. A protrusion(162) is formed at one end of the wire. In a vertical projection of the substrate, a maximum width of an upper surface of the finger is smaller than a width of the protrusion. In the vertical projection of the substrate, the upper surface of the finger is positioned within a lower surface of the finger.

摘要翻译： 提供半导体封装及其制造方法，通过在手指的上表面和侧表面处接合线来对细指进行引线接合处理。 衬底具有手指（111）。 具有芯片焊盘的一个或多个半导体芯片层叠在基板上。 形成电线（160）以将手指和芯片焊盘彼此电连接。 线的一端在手指的上表面和手指的侧表面上与手指接合。 在导线的一端形成突起（162）。 在基板的垂直投影中，手指的上表面的最大宽度小于突起的宽度。 在基板的垂直投影中，手指的上表面位于手指的下表面内。

公开(公告)号：KR20070078866A

公开(公告)日：2007-08-03

申请号：KR20060009224

申请日：2006-01-31

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

发明人： KIM KIL SOO

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K3/403 ,  H05K2201/09645 ,  H05K2203/049 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A circuit board, a method for manufacturing the same, and a semiconductor package having the same are provided to minimize reduction of an arrangement space by arranging effectively conductive patterns within a narrow arrangement space. An insulating plate(110) includes at least one slot(115). A conductive pattern(120) is formed on the insulating plate. A plug(130) is formed on an inner surface of the slot. The plug is electrically connected with the conductive pattern of the insulating plate. The insulating plate further includes a via hole(117). The via hole is formed on the inner surface of the slot. The plug is stored in the inside of the via hole. The plug has a shape corresponding to an inner circumference of the via hole. The plug has a shape for burying the via hole.

摘要翻译： 提供一种电路板及其制造方法以及具有该电路板的半导体封装件，以通过在狭窄布置空间内有效地布置导电图案来最小化布置空间的减小。 绝缘板（110）包括至少一个槽（115）。 导电图案（120）形成在绝缘板上。 插槽（130）形成在槽的内表面上。 插头与绝缘板的导电图案电连接。 绝缘板还包括通孔（117）。 通孔形成在槽的内表面上。 插头存放在通孔的内部。 插头具有与通孔的内周对应的形状。 插头具有埋入通孔的形状。