-
公开(公告)号：KR1020170123241A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020170048961
申请日：2017-04-17
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
IPC分类号： H01L23/00 , H01L21/56 , H01L23/12 , H01L23/522 , H01L21/268 , H01L21/52
CPC分类号： H01L24/27 , H01L24/04 , H01L24/11 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/64 , H01L24/97 , H01L2223/54426 , H01L2224/03001 , H01L2224/03618 , H01L2224/03632 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/8201 , H01L2224/82039 , H01L2224/83132 , H01L2224/83192 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/15159 , H01L2224/83
摘要： 반도체장치와배선과의양호한컨택트를얻기위한반도체패키지의제조방법을제공하는것이다. 반도체패키지의제조방법은, 상면에외부단자가마련된반도체장치를기재상에배치하고, 반도체장치를덮는수지절연층을형성하고, 외부단자를노출하는개구부를수지절연층에형성하고, 개구부를형성한후에, 상기개구부의저부에대해서플라스마처리를실시하고, 플라스마처리의후에, 상기개구부의저부에대해서약액처리를실시하고, 개구부에있어서노출된외부단자에접속되는도전체를형성한다.
摘要翻译： 还有一种用于制造用于在半导体器件和布线之间获得良好接触的半导体封装的方法。 一种用于制造半导体封装，将所述半导体器件的方法是在基板上设置在上表面上的外部端子，形成覆盖所述半导体装置，并形成开口以暴露的树脂绝缘层上的外部端子的绝缘树脂层，形成开口 之后，在开口的底部进行等离子体处理，并且在等离子体处理之后对开口的底部进行化学处理，以形成连接到暴露在开口中的外部端子的导体。
-
公开(公告)号：KR101699292B1
公开(公告)日：2017-01-24
申请号：KR1020127032956
申请日：2011-05-18
申请人： 인벤사스 코포레이션
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3171 , H01L23/3185 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/18 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/0235 , H01L2224/02371 , H01L2224/03002 , H01L2224/03318 , H01L2224/0332 , H01L2224/03632 , H01L2224/03848 , H01L2224/05016 , H01L2224/05017 , H01L2224/0529 , H01L2224/05553 , H01L2224/24051 , H01L2224/24145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/94 , H01L2225/06551 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/01327 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/03
摘要： 프로세싱의웨이퍼레벨에서다이패드들상에커넥터들을형성하는방법들은, 다이패드들위에경화가능한전기전도성물질의스팟들을형성하고이를상호연결다이에지로또는그 위로연장하는단계; 상기전도성물질을경화시키는단계; 및그 후에웨이퍼절단단계에서그 스팟들을절단하는단계를포함한다. 또한, 그러한방법들에의해 z-상호연결커넥터들로의다이패드들이형성되며, 따라서형태가이루어지고크기가결정된다. 또한, 적층된다이어셈블리들및 적층된다이패키지들은그러한방법들에따라준비되는다이를포함하고, 그러한방법들에의해형성되고그에따라형태가이루어지고디멘젼이결정되는 z-상호연결커넥터들로의다이패드를갖는다.
摘要翻译： 在晶片级处理中在芯片焊盘上形成连接器的方法包括在芯片焊盘上形成可固化的导电材料的点并且延伸到互连芯片边缘上或之上; 固化导电材料; 并且在切割步骤之后切断斑点。 而且，通过这些方法形成的管芯焊盘到z-互连连接器，并相应地成形和尺寸。 而且，堆叠的模具组件和包含根据方法制备的模具的堆叠模具组件，并且具有通过所述方法形成并且形状和尺寸的模具垫到z互连连接器。
-
公开(公告)号：KR1020130113334A
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020127032956
申请日：2011-05-18
申请人： 인벤사스 코포레이션
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3171 , H01L23/3185 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/18 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/0235 , H01L2224/02371 , H01L2224/03002 , H01L2224/03318 , H01L2224/0332 , H01L2224/03632 , H01L2224/03848 , H01L2224/05016 , H01L2224/05017 , H01L2224/0529 , H01L2224/05553 , H01L2224/24051 , H01L2224/24145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/94 , H01L2225/06551 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/01327 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L23/12 , H01L23/48 , H01L25/043
摘要： 프로세싱의 웨이퍼 레벨에서 다이 패드들 상에 커넥터들을 형성하는 방법들은, 다이 패드들 위에 경화가능한 전기 전도성 물질의 스팟들을 형성하고 이를 상호연결 다이 에지로 또는 그 위로 연장하는 단계; 상기 전도성 물질을 경화시키는 단계; 및 그 후에 웨이퍼 절단 단계에서 그 스팟들을 절단하는 단계를 포함한다. 또한, 그러한 방법들에 의해 z-상호연결 커넥터들로의 다이패드들이 형성되며, 따라서 형태가 이루어지고 크기가 결정된다. 또한, 적층된 다이 어셈블리들 및 적층된 다이 패키지들은 그러한 방법들에 따라 준비되는 다이를 포함하고, 그러한 방법들에 의해 형성되고 그에따라 형태가 이루어지고 디멘젼이 결정되는 z-상호연결 커넥터들로의 다이 패드를 갖는다.
摘要翻译： 在晶片级处理中在芯片焊盘上形成连接器的方法包括在芯片焊盘上形成可固化的导电材料的点并且延伸到互连芯片边缘上或之上; 固化导电材料; 并且在切割步骤之后切断斑点。 而且，通过这些方法形成的管芯焊盘到z-互连连接器，并相应地成形和尺寸。 而且，堆叠的模具组件和包含根据方法制备的模具的堆叠模具组件，并且具有通过所述方法形成并且形状和尺寸的模具垫到z互连连接器。
-
-
搜索结果
3 条记录 (耗时 0.01 秒)
