公开(公告)号：KR101920091B1

公开(公告)日：2018-11-19

申请号：KR1020137003462

申请日：2011-08-22

申请人： 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤

发明人： 와키오카사야카 ,  니시무라요시오 ,  나카야마아츠시 ,  이양수

IPC分类号： C09J7/20 ,  H01L21/60 ,  H01L21/304 ,  C09J163/00

CPC分类号： C09J163/00 ,  C09J7/29 ,  C09J133/066 ,  C09J133/068 ,  C09J2201/162 ,  C09J2201/61 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/006 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81855 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01029

摘要： 본발명은, 돌기전극의손상및 변형을억제할수 있어, 신뢰성이우수한반도체칩 실장체의제조에바람직하게사용되는접착시트, 및그 접착시트를사용한반도체칩의실장방법을제공하는것을목적으로한다. 본발명은, 표면에돌기전극을갖는반도체칩을기판또는다른반도체칩에실장하기위해서사용되는접착시트로서, 40 ∼ 80 ℃에서의인장저장탄성률이 0.5 ㎬이상인경질층과, 그적어도일방의면에적층되고, 40 ∼ 80 ℃에서의인장저장탄성률이 10 ㎪∼ 9 ㎫인 가교아크릴폴리머로이루어진유연층을갖는수지기재를갖고, 상기유연층상에형성되고, 회전식레오미터를이용하여, 승온속도 5 ℃/분, 주파수 1 ㎐로 40 ∼ 80 ℃에 있어서의용융점도를측정했을경우의최저용융점도가 3000 ㎩·s 보다크고 100000 ㎩·s 이하인열경화성접착제층을갖는접착시트이다.

公开(公告)号：KR101916818B1

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：KR1020170043090

申请日：2017-04-03

申请人： 이화여자대학교 산학협력단

发明人： 이상욱 ,  신동훈

IPC分类号： G03F7/16 ,  H01L51/00

CPC分类号： H05K13/0015 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2223/54426 ,  H05K13/00

摘要： 본발명은전사과정에서효율적인대면적전사가이루어지도록할 수있는전자장치제조방법을위하여, 소스기판상에상호이격되도록위치한복수개의기능층들상에전사막을위치시키는단계와, 전사막상에상호이격된복수개의구멍들을갖는지지틀을부착하는단계와, 전사막의하면에복수개의기능층들이밀착된상태로전사막으로부터소스기판을제거하는단계와, 전사막의하면에복수개의기능층들이밀착된상태로전사막을타겟기판상에위치시키는단계와, 전사막으로부터지지틀을분리하는단계와, 타겟기판으로부터전사막을제거하는단계를포함하는, 전자장치제조방법을제공한다.

公开(公告)号：KR101900153B1

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：KR1020160128200

申请日：2016-10-05

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 린후웨이 ,  쉬치시엔 ,  우위헌 ,  천하이인 ,  왕잉하오 ,  치우위웨이

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L23/544 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L23/544 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70541 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/67282 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433

摘要： 몇몇의실시예들에서, 본발명개시는리소그래피기판마킹툴에관한것이다. 리소그래피기판마킹툴은공유된하우징내에배열되고복수의노광들동안에제1 유형의전자기방사선을생성하도록구성된제1 리소그래피노광툴을갖는다. 이동식레티클은반도체기판위에있는감광성물질내에기판식별마크를노광하도록제1 유형의전자기방사선의일부를차단하도록각각구성된복수의상이한레티클필드들을갖는다. 복수의레티클필드들의개별적인레티클필드들이복수의노광들의개별적인노광들동안에감광성물질상에노광되도록횡단엘리먼트가이동식레티클을이동시키도록구성된다. 이에따라, 이동식레티클은동일한레티클을이용하여감광성물질내에기판식별마크들의상이한문자열들이형성되도록함으로써, 리소그래피기판마킹의경제적장점들을제공한다.

公开(公告)号：KR101853754B1

公开(公告)日：2018-06-20

申请号：KR1020137005325

申请日：2011-08-04

申请人： 오라클 인터내셔날 코포레이션

发明人： 하라다,존에이. ,  더글라스,데이비드씨. ,  드로스트,로버트제이.

IPC分类号： H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0657 ,  G02B6/43 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L29/0657 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16135 ,  H01L2224/16151 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/819 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1015 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/151

摘要： 램프스택칩 패키지가설명된다. 이칩 패키지는수평방향으로서로오프셋된반도체다이또는칩들의수직스택을포함하며, 이로써노출된패드를구비한테라스(terrace)를정의한다. 테라스에대략평행하게위치하는고대역폭램프컴포넌트는노출된패드에전기적으로및 기계적으로결합된다. 예를들어, 램프컴포넌트는솔더(solder), 마이크로스프링(microspring), 및/또는이방성도전필름(anisotropic conducting film)을사용하여반도체다이들에결합될수 있다. 또한, 반도체다이각각은반도체다이각각의엔드세그먼트가그 방향에평행하며, 램프컴포넌트에기계적으로결합되도록고정벤드를포함한다. 이들엔드세그먼트는예를들어, 근접통신(proximity communication)을통해칩들과램프컴포넌트사이의신호의고대역폭통신을용이하게할 수있다.

公开(公告)号：KR1020170134039A

公开(公告)日：2017-12-06

申请号：KR1020160065699

申请日：2016-05-27

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 이은영 ,  손용훈 ,  안재영

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/544 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/1037 ,  H01L2223/544 ,  H01L2223/54426

摘要： 본발명의기술적사상에의한수직형메모리장치는기판상에상기기판의상면과수직한제1 방향으로교대로그리고반복적으로적층된상기상면에평행한게이트전극들및 상기상면에평행한절연막패턴들을포함하는복수개의적층구조체들, 상기적층구조체들중 인접한두 개의상기적층구조체들의사이에개재된적어도하나의구조체간층들, 상기적층구조체들및 상기적어도하나의구조체간층들을상기제1 방향으로관통하여상기기판과연결되는채널구조를포함할수 있다.

摘要翻译： 根据本发明的技术特征的垂直型存储装置中，在上表面上的交替的上表面平行的栅电极和垂直于基片上的基片的第一方向，且重复地堆叠，并且在绝缘膜图案是平行于上表面 至少一个层间结构层在第一方向上介于两个相邻层叠结构，堆叠结构和至少一个层间结构层之间 并且连接到衬底的沟道结构。

公开(公告)号：KR1020170123242A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：KR1020170049580

申请日：2017-04-18

申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스

发明人： 마루타니,히사카즈 ,  카이,미노루 ,  키타노,카즈히코

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/52 ,  H01L23/12 ,  H01L21/268 ,  H01L23/522 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/544 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8201 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/182 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/83

摘要： 메인터넌스빈도가저감된 반도체패키지의제조방법을제공하는것이다. 반도체패키지의제조방법은, 기재에복수의반도체장치를배치하고, 복수의반도체장치를덮는수지절연층을형성하고, 복수의반도체장치의각각을둘러싸는도랑을수지절연층에형성하고, 도랑에대응하는영역에있어서, 기재에레이저를조사하는것으로복수의반도체장치의각각을분리한다. 도랑은기재에이르고있을수 있고, 도랑을형성할때에, 도랑이형성되는위치에대응하여기재에오목부를형성할수도있다.

摘要翻译： 并且提供一种制造维护频率降低的半导体封装的方法。 一种制造半导体封装的方法包括以下步骤：在基板上设置多个半导体器件;形成覆盖多个半导体器件的树脂绝缘层;在树脂绝缘层中形成围绕多个半导体器件中的每一个的沟槽; 在每个对应区域中，通过用激光照射衬底来分离多个半导体器件。 沟槽可以到达衬底，并且当形成沟槽时，可以在与形成沟槽的位置相对应的衬底中形成凹槽。

公开(公告)号：KR1020170123241A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：KR1020170048961

申请日：2017-04-17

申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스

发明人： 이나오카,토시유키 ,  우라츠지,아츠히로

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/268 ,  H01L21/52

CPC分类号： H01L24/27 ,  H01L24/04 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/64 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/03618 ,  H01L2224/03632 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8201 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2224/83

摘要： 반도체장치와배선과의양호한컨택트를얻기위한반도체패키지의제조방법을제공하는것이다. 반도체패키지의제조방법은, 상면에외부단자가마련된반도체장치를기재상에배치하고, 반도체장치를덮는수지절연층을형성하고, 외부단자를노출하는개구부를수지절연층에형성하고, 개구부를형성한후에, 상기개구부의저부에대해서플라스마처리를실시하고, 플라스마처리의후에, 상기개구부의저부에대해서약액처리를실시하고, 개구부에있어서노출된외부단자에접속되는도전체를형성한다.

摘要翻译： 还有一种用于制造用于在半导体器件和布线之间获得良好接触的半导体封装的方法。 一种用于制造半导体封装，将所述半导体器件的方法是在基板上设置在上表面上的外部端子，形成覆盖所述半导体装置，并形成开口以暴露的树脂绝缘层上的外部端子的绝缘树脂层，形成开口 之后，在开口的底部进行等离子体处理，并且在等离子体处理之后对开口的底部进行化学处理，以形成连接到暴露在开口中的外部端子的导体。

公开(公告)号：KR1020170091958A

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：KR1020160012906

申请日：2016-02-02

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 박영식 ,  김이권 ,  구희호 ,  배용국 ,  양가현 ,  최성원

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L23/552

CPC分类号： H01L23/544 ,  G03F7/70633 ,  H01L22/20 ,  H01L23/552 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446

摘要： 본발명에서는반도체소자가개시된다. 본발명의일 실시예에따른반도체소자는적어도 2개의의반도체칩 및상기반도체칩을구획하는스크라이브레인(scribe lane) 영역이존재하는기판; 상기기판상에형성된제 1 광학계측패턴; 상기제 1 광학계측패턴과이격되고, 상기제 1 광학계측패턴의상부층에위치하는제 2 광학계측패턴; 및상기제 1 광학계측패턴을둘러싸고, 도전성물질로이루어지는 3차원의차폐구조;를포함한다.

摘要翻译： 本发明公开了一种半导体器件。 根据本发明实施例的半导体器件包括衬底，在所述衬底上存在至少两个半导体芯片和用于分隔半导体芯片的划道区域; 形成在基板上的第一光学测量图案; 第二光学测量图案，与第一光学测量图案间隔开并位于第一光学测量图案的上层; 以及围绕第一光学测量图案并由导电材料制成的三维屏蔽结构。

公开(公告)号：KR101759770B1

公开(公告)日：2017-07-19

申请号：KR1020140188444

申请日：2014-12-24

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 후앙리시엔 ,  첸시엔웨이 ,  시아오칭웬 ,  예더창 ,  정신푸 ,  유첸후아

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 패키지는디바이스다이, 디바이스다이를몰딩하는몰딩물질, 몰딩물질을관통하는관통-비아(through-via), 및몰딩물질을관통하는정렬마크를포함한다. 재분배라인(redistribution line)이몰딩물질의한 측상에있다. 재분배라인은관통-비아에전기적으로커플링된다.

摘要翻译： 封装包括器件管芯，用于模制器件管芯的模制材料，穿过模制材料的通孔以及穿过模制材料的对准标记。 再分配线位于模制材料的一侧。 再分布线电耦合到通孔。

公开(公告)号：KR1020170077753A

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：KR1020160023422

申请日：2016-02-26

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 린처위 ,  위밍화 ,  리쩌리앙 ,  양찬론

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/544 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453

摘要： 반도체디바이스의활성영역을제조하기위한방법은기판내에서주입영역을형성하는단계를포함한다. 주입영역은기판의상단면에인접해있다. 세정처리가기판의상단면에대해수행된다. 기판의상단면이베이킹된다. 에피택셜층이기판의상단면상에형성된다.

摘要翻译： 一种用于制造半导体器件的有源区的方法包括在衬底中形成注入区。 注入区域与衬底顶面相邻。 在基底薄片部分上执行清洁过程。 基板上表面被烘烤。 在衬底的上表面上形成外延层。