公开(公告)号：TW559990B

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：TW091120863

申请日：2002-09-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一 ,  呂新賢 ,  黎麗萍 ,  柯忠祁 ,  宋金穎 ,  章勳明

IPC: H01L

Abstract: 一種低介電常數材料之保護層的形成方法，包括下列步驟：沈積一低介電常數材料於一半導體基底上而形成一介電層；以及施行一電漿處理程序，以形成一保護層，其中上述電漿處理程序可以碳氫氣體或是碳氫氣體與氫氣之混合氣體之電漿處理，或是上述處理後再加上一氫氣之電漿處理。

Abstract in simplified Chinese: 一种低介电常数材料之保护层的形成方法，包括下列步骤：沉积一低介电常数材料于一半导体基底上而形成一介电层；以及施行一等离子处理进程，以形成一保护层，其中上述等离子处理进程可以碳氢气体或是碳氢气体与氢气之混合气体之等离子处理，或是上述处理后再加上一氢气之等离子处理。

公开(公告)号：TW497215B

公开(公告)日：2002-08-01

申请号：TW090117003

申请日：2001-07-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一 ,  鄭雙銘 ,  章勳明 ,  余振華 ,  李崑池

IPC: H01L

Abstract: 在沉積氮化矽蝕刻停止層後，銅凸丘的產生會降低整個製程的可靠度，並影響缺陷偵測工具的偵測結果，銅凸丘產生的原因不外乎沉積的環境影響敏感的銅鑲嵌金屬表面，以及氧化銅的形成。本發明之(a)銅預熱程序，以 SiO2預覆鍍膜於真空腔壁，較其他之預覆材料有較佳之銅晶粒形成；(b)氨電漿比習知技藝之高溫氨氣有較高的氧化銅縮減速率，乃是因為有較多的氫原子產生，並且無高溫氨氣所產生的胺類殘渣，加上將Q-time控制在十二小時之內，避免氧化反應而降低氧化銅的生成，因此較不易產生銅凸丘。

Abstract in simplified Chinese: 在沉积氮化硅蚀刻停止层后，铜凸丘的产生会降低整个制程的可靠度，并影响缺陷侦测工具的侦测结果，铜凸丘产生的原因不外乎沉积的环境影响敏感的铜镶嵌金属表面，以及氧化铜的形成。本发明之(a)铜预热进程，以 SiO2预覆镀膜于真空腔壁，较其他之预覆材料有较佳之铜晶粒形成；(b)氨等离子比习知技艺之高温氨气有较高的氧化铜缩减速率，乃是因为有较多的氢原子产生，并且无高温氨气所产生的胺类残渣，加上将Q-time控制在十二小时之内，避免氧化反应而降低氧化铜的生成，因此较不易产生铜凸丘。

公开(公告)号：TW459314B

公开(公告)日：2001-10-11

申请号：TW089121866

申请日：2000-10-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一 ,  張文 ,  章勳明

IPC: H01L

Abstract: 此處揭露了一種避免在進行化學機械研磨程序中，於晶圓邊緣產生剝落之方法。首先，塗佈第一介電層於晶圓上，且塗佈第二介電層於第一介電層上。並且，藉著使用洗邊程序(EBR)，可使第二介電層的邊緣，與第一介電層的邊緣間，具有大於200μm的間隔。接著，可沉積金屬層於第二介電層上，且填充於第二介電層與第一介電層的開口圖案中。其中，此金屬層會覆蓋住第一介電層與第二介電層之邊緣側壁。然後，對金屬層進行化學機械研磨程序，以移除位於第二介電層上表面之部份金屬層。

Abstract in simplified Chinese: 此处揭露了一种避免在进行化学机械研磨进程中，于晶圆边缘产生剥落之方法。首先，涂布第一介电层于晶圆上，且涂布第二介电层于第一介电层上。并且，借着使用洗边进程(EBR)，可使第二介电层的边缘，与第一介电层的边缘间，具有大于200μm的间隔。接着，可沉积金属层于第二介电层上，且填充于第二介电层与第一介电层的开口图案中。其中，此金属层会覆盖住第一介电层与第二介电层之边缘侧壁。然后，对金属层进行化学机械研磨进程，以移除位于第二介电层上表面之部份金属层。

公开(公告)号：TW414978B

公开(公告)日：2000-12-11

申请号：TW088110542

申请日：1999-06-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一 ,  章勳明

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭示一種改善銅與介電材之附著性的方法，該方法係在沈積介電層之前，利用一道熱處理改善銅的表面性質，藉由此熱處理程序可減輕銅表面的應力，並可形成穩定的晶格結構，有利於後續介電層的附著。此外，熱理處過後可以NH3電漿去除氧化銅，進一步改善銅與介電材之間的附著性。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种改善铜与介电材之附着性的方法，该方法系在沉积介电层之前，利用一道热处理改善铜的表面性质，借由此热处理进程可减轻铜表面的应力，并可形成稳定的晶格结构，有利于后续介电层的附着。此外，热理处过后可以NH3等离子去除氧化铜，进一步改善铜与介电材之间的附着性。