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公开(公告)号：TW201432679A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102146352
申请日：2013-12-16
Inventor： 李伯浩 , LEE, BRUCE , 鄒宗成 , CHOU, CHUNG CHENG
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/1659 , G11C11/1677 , G11C11/1693 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0066 , G11C2213/79
Abstract: 一種記憶體控制方法，包括下列步驟：將一位元線設定為一第一電位位準，其中該位元線係耦接至一記憶體單元之一電阻元件，其中該電阻元件具有一第一電阻值或一第二電阻值；將一源極線設定為一第二電位位準，其中該源極線係藉由一存取電晶體選擇性地耦接至該記憶體單元；施加一字元線信號，以提供跨越該電阻元件之一第一偏壓電位，其中提供之該第一偏壓電位係用於初始化該記憶體單元之一第一寫入操作；以及在一可變時間後，解除該字元線信號，其中該可變時間係根據該第一寫入操作期間通過該電阻元件之一電流之一偵測結果而決定。
Abstract in simplified Chinese: 一种内存控制方法，包括下列步骤：将一比特线设置为一第一电位位准，其中该比特线系耦接至一内存单元之一电阻组件，其中该电阻组件具有一第一电阻值或一第二电阻值；将一源极线设置为一第二电位位准，其中该源极线系借由一存取晶体管选择性地耦接至该内存单元；施加一字符线信号，以提供跨越该电阻组件之一第一偏压电位，其中提供之该第一偏压电位系用于初始化该内存单元之一第一写入操作；以及在一可变时间后，解除该字符线信号，其中该可变时间系根据该第一写入操作期间通过该电阻组件之一电流之一侦测结果而决定。
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Patent Agency Ranking12.发明专利記憶體元件以及記憶體元件存取之方法 MEMORY DEVICE AND METHOD OF ACCESSING MEMORY DEVICE 审中-公开内存组件以及内存组件存取之方法 MEMORY DEVICE AND METHOD OF ACCESSING MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TW201232540A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100120311
申请日：2011-06-10
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: G11C
CPC classification number: G11C8/08 , G11C7/12 , G11C8/14 , G11C11/418 , G11C11/419
Abstract: 一種記憶體元件,包括:位元單元列,包括複數第一位元單元以及複數第二位元單元;第一字元線區段驅動器,電性連接至複數第一位元單元,以及第二字元線區段驅動器,電性連接複數至第二位元單元,第一字元線區段驅動器和第二字元線區段驅動器在一時間選擇性操作以致能複數第一位元單元和複數第二位元單元之一者,以排除未致能之複數第一位元單元和複數第二位元單元之另一者;共用感測放大器,用以接收在一既定時間由個別對應之字元線區段驅動器所致能之第一位元單元或第二位元單元之一者所輸出之信號。
Abstract in simplified Chinese: 一种内存组件,包括:比特单元列,包括复数第一比特单元以及复数第二比特单元;第一字符线区段驱动器,电性连接至复数第一比特单元,以及第二字符线区段驱动器,电性连接复数至第二比特单元,第一字符线区段驱动器和第二字符线区段驱动器在一时间选择性操作以致能复数第一比特单元和复数第二比特单元之一者,以排除未致能之复数第一比特单元和复数第二比特单元之另一者;共享传感放大器,用以接收在一既定时间由个别对应之字符线区段驱动器所致能之第一比特单元或第二比特单元之一者所输出之信号。
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13.发明专利電荷泵系統 A CHARGE PUMP SYSTEM WITH SMOOTH VOLTAGE OUTPUT 有权电荷泵系统 A CHARGE PUMP SYSTEM WITH SMOOTH VOLTAGE OUTPUT
公开(公告)号：TWI323568B
公开(公告)日：2010-04-11
申请号：TW095134010
申请日：2006-09-14
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
CPC classification number: H02M3/07
Abstract: 本發明係有關於一電荷泵(charge pump)系統。該系統包括：一個或複數個電荷泵元件，用以提供一輸出電壓；一環型振盪器，連接至上述電荷泵元件，並且提供一振盪器輸出；以及一多重準位偵測元件，用以偵測該輸出電壓，並且控制上述電荷泵元件以穩定該輸出電壓。 A method and system is disclosed for an improved charge pump system. The system comprises one or more charge pump devices for providing an output voltage, a ring oscillator coupled with the charge pump devices for providing an oscillator output, and a multiple level detection device for detecting the output voltage and controlling the charge pump for stabilizing the output voltage. 【創作特點】 本發明提供一電荷泵(charge pump)系統，該電荷泵系統使得其電荷泵電路輸出平整的電壓準位，以最佳化能量管理並且改善資料健全性。
根據本發明一實施例，一電荷泵系統包括：一個或複數個電荷泵元件，用以提供一輸出電壓；一環型振盪器，連接至上述電荷泵元件，並且提供一振盪器輸出；以及一多重準位偵測元件，用以偵測該輸出電壓，並且控制上述電荷泵元件以穩定該輸出電壓。
接下來的實施方式將列舉數個實施例，同時配合圖例詳細說明本發明之內容、操作方法、其他的功能、以及優點。Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关于一电荷泵(charge pump)系统。该系统包括：一个或复数个电荷泵组件，用以提供一输出电压；一环型振荡器，连接至上述电荷泵组件，并且提供一振荡器输出；以及一多重准位侦测组件，用以侦测该输出电压，并且控制上述电荷泵组件以稳定该输出电压。 A method and system is disclosed for an improved charge pump system. The system comprises one or more charge pump devices for providing an output voltage, a ring oscillator coupled with the charge pump devices for providing an oscillator output, and a multiple level detection device for detecting the output voltage and controlling the charge pump for stabilizing the output voltage. 【创作特点】 本发明提供一电荷泵(charge pump)系统，该电荷泵系统使得其电荷泵电路输出平整的电压准位，以最优化能量管理并且改善数据健全性。 根据本发明一实施例，一电荷泵系统包括：一个或复数个电荷泵组件，用以提供一输出电压；一环型振荡器，连接至上述电荷泵组件，并且提供一振荡器输出；以及一多重准位侦测组件，用以侦测该输出电压，并且控制上述电荷泵组件以稳定该输出电压。 接下来的实施方式将枚举数个实施例，同时配合图例详细说明本发明之内容、操作方法、其他的功能、以及优点。
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公开(公告)号：TW201821776A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106132834
申请日：2017-09-25
Inventor： 呂士濂 , LU, SHIH-LIEN LINUS , 李嘉富 , LEE, CHIA-FU , 史毅駿 , SHIH, YI-CHUN , 鄒宗成 , CHOU, CHUNG-CHENG , 池育德 , CHIH, YUE-DER
Abstract: 本發明實施例揭露一種溫度計電路，其經組態以估計一監測溫度。該電路包含：一可調電阻器，其呈現獨立於溫度之一第一電阻值及相依於溫度之一第二電阻值，其中當該電阻器呈現該第一電阻值時，橫跨該電阻器傳導一第一電流信號，且當該電阻器呈現該第二電阻值時，橫跨該電阻器傳導一第二電流信號；複數個閘控導體，其等耦合至該電阻器；及一控制電路，其耦合至該電阻器及該複數個閘控導體且經組態以選擇性地停用該複數個閘控導體之至少一者來比較該第一電流信號與該第二電流信號以估計該監測溫度。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例揭露一种温度计电路，其经组态以估计一监测温度。该电路包含：一可调电阻器，其呈现独立于温度之一第一电阻值及相依于温度之一第二电阻值，其中当该电阻器呈现该第一电阻值时，横跨该电阻器传导一第一电流信号，且当该电阻器呈现该第二电阻值时，横跨该电阻器传导一第二电流信号；复数个闸控导体，其等耦合至该电阻器；及一控制电路，其耦合至该电阻器及该复数个闸控导体且经组态以选择性地停用该复数个闸控导体之至少一者来比较该第一电流信号与该第二电流信号以估计该监测温度。
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公开(公告)号：TW201804468A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106114703
申请日：2017-05-03
Inventor： 鄒宗成 , CHOU, CHUNG-CHENG , 池育德 , CHIH, YU-DER , 朱文定 , CHU, WEN-TING
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/005 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0028 , G11C13/0033 , G11C13/0035 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/79 , H01L23/522 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1616
Abstract: 本揭露係關於一種記憶體架構，其包括：一第一記憶體巨集，其包括第一複數個記憶體單元；一第二記憶體巨集，其包括第二複數個記憶體單元；及一控制邏輯，其耦合至該第一記憶體巨集及該第二記憶體巨集。該控制邏輯經組態以藉由分別使用第一信號位準及第二信號位準而將一邏輯狀態寫入至該第一複數個記憶體單元及該第二複數個記憶體單元之各者，藉此引起該第一記憶體巨集及該第二記憶體巨集分別用於第一應用及第二應用中，該第一信號位準與該第二信號位準不同且該第一應用與該第二應用不同。該第一記憶體巨集及該第二記憶體巨集形成於一單一晶片上，且其中該第一複數個該等記憶體單元及該第二複數個該等記憶體單元包括使用一單一程序配方形成之一可變電阻介電層。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露系关于一种内存架构，其包括：一第一内存宏，其包括第一复数个内存单元；一第二内存宏，其包括第二复数个内存单元；及一控制逻辑，其耦合至该第一内存宏及该第二内存宏。该控制逻辑经组态以借由分别使用第一信号位准及第二信号位准而将一逻辑状态写入至该第一复数个内存单元及该第二复数个内存单元之各者，借此引起该第一内存宏及该第二内存宏分别用于第一应用及第二应用中，该第一信号位准与该第二信号位准不同且该第一应用与该第二应用不同。该第一内存宏及该第二内存宏形成于一单一芯片上，且其中该第一复数个该等内存单元及该第二复数个该等内存单元包括使用一单一进程配方形成之一可变电阻介电层。
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公开(公告)号：TW201729188A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105134634
申请日：2016-10-26
Inventor： 李伯浩 , LEE, PO-HAO , 鄒宗成 , CHOU, CHUNG-CHENG , 李嘉富 , LEE, CHIA-FU
IPC: G11C7/22
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C11/1697 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C13/0064 , G11C29/52 , G11C2013/0066 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2029/0409
Abstract: 本發明實施例揭示一種用於對具有可程式化阻值之記憶體單元進行程式化之電路，該電路包含開關。該電路經組態以當該開關處於第一狀態中時將程式化電壓施加於該記憶體單元。該電路經組態以當該開關處於第二狀態中時將程式化電流施加於該記憶體單元。該記憶體單元之該阻值基於將該程式化電壓或該程式化電流施加於該記憶體單元而自第一阻值狀態變為第二阻值狀態。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例揭示一种用于对具有可进程化阻值之内存单元进行进程化之电路，该电路包含开关。该电路经组态以当该开关处于第一状态中时将进程化电压施加于该内存单元。该电路经组态以当该开关处于第二状态中时将进程化电流施加于该内存单元。该内存单元之该阻值基于将该进程化电压或该进程化电流施加于该内存单元而自第一阻值状态变为第二阻值状态。
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