公开(公告)号：TWI642197B

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：TW106138174

申请日：2010-10-20

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  廣瀨篤志 ,  HIROSE, ATSUSHI ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI

IPC: H01L29/786

公开(公告)号：TWI612675B

公开(公告)日：2018-01-21

申请号：TW106103299

申请日：2011-05-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 遠藤佑太 ,  ENDO, YUTA ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI ,  佐藤瑞穗 ,  SATO, MIZUHO ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  遠藤俊彌 ,  ENDO, TOSHIYA

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

公开(公告)号：TWI609493B

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：TW106100059

申请日：2012-03-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 中林土肇 ,  NAKANO, TADASHI ,  杉川舞 ,  SUGIKAWA, MAI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

公开(公告)号：TWI604428B

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW104139926

申请日：2010-10-14

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G09G3/3611 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3674 ,  G09G3/3677 ,  G09G5/18 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2320/103 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/022 ,  G09G2330/027 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201737493A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW106112396

申请日：2011-11-02

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 遠藤佑太 ,  ENDO, YUTA ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/28 ,  H01L21/425 ,  H01L21/477 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

Abstract: 一種半導體裝置，使用將氧化物半導體包括在通道區域中且較不可能由於短通道效應而在電特徵中導致變異的電晶體製造。該半導體裝置包括氧化物半導體膜，具有包括氮的一對氮氧化物半導體區域及夾於該對氮氧化物半導體區域之間的氧化物半導體區域、閘極絕緣膜、以及閘極電極，以該閘極絕緣膜置於其間的方式設置在該氧化物半導體區域上方。在本文中，該對氮氧化物半導體區域係作為該電晶體的源極區域及汲極區域使用，且該氧化物半導體區域係作為該電晶體的通道區域使用。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，使用将氧化物半导体包括在信道区域中且较不可能由于短信道效应而在电特征中导致变异的晶体管制造。该半导体设备包括氧化物半导体膜，具有包括氮的一对氮氧化物半导体区域及夹于该对氮氧化物半导体区域之间的氧化物半导体区域、闸极绝缘膜、以及闸极电极，以该闸极绝缘膜置于其间的方式设置在该氧化物半导体区域上方。在本文中，该对氮氧化物半导体区域系作为该晶体管的源极区域及汲极区域使用，且该氧化物半导体区域系作为该晶体管的信道区域使用。

公开(公告)号：TW201732768A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW106116700

申请日：2010-10-13

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI

IPC: G09G3/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G09G3/20 ,  G09G3/2092 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3291 ,  G09G3/36 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2300/08 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0267 ,  G09G2310/0275 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G11C19/184 ,  G11C19/28 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/7869 ,  H03K17/161 ,  H03K19/00315 ,  H03K19/096

Abstract: 降低電晶體的漏電流，使得邏輯電路的故障可受抑制。該邏輯電路包括電晶體，其包括氧化物半導體層，該氧化物半導體層具有通道形成層之功能且在其中截止電流為每微米通道寬度1×10-13A。將作為輸入訊號之第一訊號、第二訊號、以及係時脈訊號的第三訊號輸入。將作為輸出訊號之彼等的電壓狀態係依據已輸入之該等第一至第三訊號設定的第四及第五訊號輸出。

Abstract in simplified Chinese: 降低晶体管的漏电流，使得逻辑电路的故障可受抑制。该逻辑电路包括晶体管，其包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层具有信道形成层之功能且在其中截止电流为每微米信道宽度1×10-13A。将作为输入信号之第一信号、第二信号、以及系时脉信号的第三信号输入。将作为输出信号之彼等的电压状态系依据已输入之该等第一至第三信号设置的第四及第五信号输出。

公开(公告)号：TWI594537B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW102111183

申请日：2013-03-28

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 野村真澄 ,  NOMURA, MASUMI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI

IPC: H02H7/18 ,  H01M10/44

CPC classification number: H02J7/0031 ,  H02J7/0068 ,  H02J2007/0037

公开(公告)号：TW201727766A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW106109562

申请日：2011-08-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 野田耕生 ,  NODA, KOSEI ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L22/10 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明係關於半導體裝置的製造方法。製造具有優良的電特性的電晶體。在基板之上形成氧化物絕緣膜，在該氧化物絕緣膜之上形成氧化物半導體膜，然後在使氧化物半導體膜中所含有的氫脫附並且使氧化物絕緣膜中所含有的部分氧脫附的溫度下執行熱處理，然後將所加熱的氧化物半導體膜蝕刻成預定形狀以形成島形氧化物半導體膜，在該島形氧化物半導體膜之上形成電極對，在該電極對和島形氧化物半導體膜之上形成閘極絕緣膜，以及在閘極絕緣膜之上形成閘極電極。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于半导体设备的制造方法。制造具有优良的电特性的晶体管。在基板之上形成氧化物绝缘膜，在该氧化物绝缘膜之上形成氧化物半导体膜，然后在使氧化物半导体膜中所含有的氢脱附并且使氧化物绝缘膜中所含有的部分氧脱附的温度下运行热处理，然后将所加热的氧化物半导体膜蚀刻成预定形状以形成岛形氧化物半导体膜，在该岛形氧化物半导体膜之上形成电极对，在该电极对和岛形氧化物半导体膜之上形成闸极绝缘膜，以及在闸极绝缘膜之上形成闸极电极。

公开(公告)号：TWI577024B

公开(公告)日：2017-04-01

申请号：TW105102870

申请日：2012-03-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 中林土肇 ,  NAKANO, TADASHI ,  杉川舞 ,  SUGIKAWA, MAI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

公开(公告)号：TWI570882B

公开(公告)日：2017-02-11

申请号：TW099136686

申请日：2010-10-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 鹽野入豐 ,  SHIONOIRI, YUTAKA ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1225