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发明专利
保護帶剝離方法及其裝置有权
简体标题：保护带剥离方法及其设备

公开(公告)号：TWI505339B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：TW099126188

申请日：2010-08-06

申请人： 日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION

发明人： 長谷幸敏 , HASE, YUKITOSHI , 山本雅之 , YAMAMOTO, MASAYUKI

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/67132 , Y10T156/1147 , Y10T156/1153 , Y10T156/1158 , Y10T156/1911 , Y10T156/1917

12.

发明专利
剝離裝置、剝離系統、剝離方法及非暫態電腦可讀取之記憶媒體审中-公开
简体标题：剥离设备、剥离系统、剥离方法及非暂态电脑可读取之记忆媒体

公开(公告)号：TW201432838A

公开(公告)日：2014-08-16

申请号：TW103116514

申请日：2012-06-29

申请人： 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 相馬康孝 , SOMA, YASUTAKA , 吉高直人 , YOSHITAKA, NAOTO , 米田洋 , KOMEDA, HIROSHI , 真鍋英二 , MANABE, EIJI , 平河修 , HIRAKAWA, OSAMU , 出口雅敏 , DEGUCHI, MASATOSHI , 田村武 , TAMURA, TAKESHI

IPC分类号： H01L21/67 , B08B3/04 , H01L21/304

CPC分类号： B32B43/006 , B32B38/10 , H01L21/67051 , H01L21/67092 , H01L21/673 , H01L21/67346 , H01L2221/683 , H01L2221/68304 , H01L2221/68318 , Y10T156/1153 , Y10T156/1168 , Y10T156/1911 , Y10T156/1978 , Y10T156/1994

摘要： [課題]適當地洗淨被配置在環狀之框架之內側而藉由該框架和膠帶被保持之狀態之被處理基板的接合面。[解決手段]洗淨裝置具有保持被處理晶圓(W)之晶圓保持部(130)，和具備覆蓋被處理晶圓(W)之接合面(WJ)之供給面(141)的洗淨治具(140)。在洗淨治具(140)設置有對間隙(142)供給溶劑之溶劑供給部(150)，和對間隙(142)供給沖洗液之沖洗液供給部(151)，和對間隙(142)供給惰性氣體之惰性氣體供給部(152)。來自溶劑供給部(150)之溶劑係藉由表面張力和離心力，在接合面(WJ)上擴散，來自沖洗液供給部(151)之沖洗液邊與溶劑混合，邊藉由表面張力和離心力在接合面(WJ)上擴散，接合面(WJ)藉由來自惰性氣體供給部(152)之惰性氣體被乾燥，該接合面(WJ)被洗淨。

简体摘要： [课题]适当地洗净被配置在环状之框架之内侧而借由该框架和胶带被保持之状态之被处理基板的接合面。[解决手段]洗净设备具有保持被处理晶圆(W)之晶圆保持部(130)，和具备覆盖被处理晶圆(W)之接合面(WJ)之供给面(141)的洗净治具(140)。在洗净治具(140)设置有对间隙(142)供给溶剂之溶剂供给部(150)，和对间隙(142)供给冲洗液之冲洗液供给部(151)，和对间隙(142)供给惰性气体之惰性气体供给部(152)。来自溶剂供给部(150)之溶剂系借由表面张力和离心力，在接合面(WJ)上扩散，来自冲洗液供给部(151)之冲洗液边与溶剂混合，边借由表面张力和离心力在接合面(WJ)上扩散，接合面(WJ)借由来自惰性气体供给部(152)之惰性气体被干燥，该接合面(WJ)被洗净。

13.

发明专利
自托持基板移除微機電系統（ＭＥＭＳ）之方法有权
简体标题：自托持基板移除微机电系统（ＭＥＭＳ）之方法

公开(公告)号：TWI430937B

公开(公告)日：2014-03-21

申请号：TW097116657

申请日：2008-05-06

申请人： 尚提克公司 , ZAMTEC LTD.

发明人： 保羅帕沃斯 , PAPWORTH, PAUL ANDREW , 傑森泰蘭德 , THELANDER, JASON MARK , 羅傑富提 , FOOTE, ROGER MERVYN LLOYD , 安德魯維拉 , VELLA, ANDREW LEON , 大衛強斯登 , JOHNSTONE, DAVID MCLEOD , 奇亞席維布魯克 , SILVERBROOK, KIA

IPC分类号： B81C1/00 , B81C3/00 , H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/6838 , Y10T156/1153 , Y10T156/19 , Y10T156/1911

14.

发明专利
剝離暫時黏合之半導體晶圓审中-公开
简体标题：剥离暂时黏合之半导体晶圆

公开(公告)号：TW201335981A

公开(公告)日：2013-09-01

申请号：TW101140041

申请日：2012-10-29

申请人： 蘇斯微科公司 , SUSS MICROTEC INC.

发明人： 喬治葛瑞格 , GEORGE, GREGORY , 羅森索克里斯多夫 , ROSENTHAL, CHRISTOPHER

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/6835 , B32B38/10 , B32B38/1858 , B32B43/006 , B32B2309/105 , B32B2457/14 , H01L21/00 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/67282 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , H01L21/68728 , H01L2221/683 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2221/6839 , Y10T156/11 , Y10T156/1142 , Y10T156/1168 , Y10T156/1179 , Y10T156/1184 , Y10T156/19 , Y10T156/1911 , Y10T156/1961 , Y10T156/1967 , Y10T156/1978

摘要： 描述之方法及裝置對一器件晶圓與一載體晶圓之間之一黏著劑黏合提供一受控微擾。該受控微擾(其可為機械、化學、熱或輻射)在未損壞該器件晶圓之下促進該兩個晶圓之分離。該受控微擾在連結該兩個晶圓之黏著劑內、在該黏著劑層內之一介面處(諸如在一釋放層與該黏著劑之間)或在一晶圓/黏著劑介面處起始一裂縫。可接著使用用於起始該裂縫之前述方法之任何者，或其等之組合而傳播該裂縫。

简体摘要： 描述之方法及设备对一器件晶圆与一载体晶圆之间之一黏着剂黏合提供一受控微扰。该受控微扰(其可为机械、化学、热或辐射)在未损坏该器件晶圆之下促进该两个晶圆之分离。该受控微扰在链接该两个晶圆之黏着剂内、在该黏着剂层内之一界面处(诸如在一释放层与该黏着剂之间)或在一晶圆/黏着剂界面处起始一裂缝。可接着使用用于起始该裂缝之前述方法之任何者，或其等之组合而传播该裂缝。

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发明专利
熱脫離被黏著物之方法及用於熱脫離被黏著物之裝置有权
简体标题：热脱离被黏着物之方法及用于热脱离被黏着物之设备

公开(公告)号：TWI394701B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：TW094112691

申请日：2005-04-21

申请人： 日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION

发明人： 土井知子 , TOMOKO DOI , 谷本正一 , MASAKAZU TANIMOTO , 有滿幸生 , YUKIO ARIMITSU , 下川大輔 , DAISUKE SHIMOKAWA , 川西道朗 , MICHIROU KAWANISHI

IPC分类号： B65H3/44

CPC分类号： H01L21/6835 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2205/11 , C09J2205/302 , H01L21/6836 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68381 , H01L2924/19041 , Y10T156/1147 , Y10T156/1153 , Y10T156/1911

16.

发明专利
剝離方法、電腦記憶媒體、剝離裝置、及剝離系統审中-公开
简体标题：剥离方法、电脑记忆媒体、剥离设备、及剥离系统

公开(公告)号：TW201304066A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：TW101112682

申请日：2012-04-10

申请人： 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 平河修 , HIRAKAWA, OSAMU , 本田勝 , HONDA, MASARU

IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/67

CPC分类号： B32B43/006 , B32B38/10 , H01L21/67092 , H01L21/67109 , H01L21/6715 , H01L21/67748 , Y10T156/1126 , Y10T156/1137 , Y10T156/1153 , Y10T156/1168 , Y10T156/1189 , Y10T156/1911 , Y10T156/1933 , Y10T156/1939 , Y10T156/1972

摘要： 本發明之目的係：於需要加熱處理之被處理基板與支持基板之剝離處理，抑制被處理基板之表面氧化。根據本發明，於第1保持部與前述第2保持部間的處理空間內，且不接觸該第1保持部與該第2保持部之位置，藉由昇降機構以配置重合晶圓，從氣體供給管向處理空間內提供惰性氣體(步驟A1)。之後，藉由移動機構，上昇第2保持部，以第1保持部保持被處理晶圓之同時，以第2保持部保持支持晶圓(步驟A2)。之後，一邊加熱第1保持部所保持的被處理晶圓及第2保持部所保持的支持晶圓，一邊藉由移動機構使第2保持部朝水平方向移動，以將被處理晶圓與支持晶圓剝離(步驟A3)。之後，對於從第1保持部移交到白努利吸盤之被處理晶圓提供惰性氣體(步驟A4)。

简体摘要： 本发明之目的系：于需要加热处理之被处理基板与支持基板之剥离处理，抑制被处理基板之表面氧化。根据本发明，于第1保持部与前述第2保持部间的处理空间内，且不接触该第1保持部与该第2保持部之位置，借由升降机构以配置重合晶圆，从气体供给管向处理空间内提供惰性气体(步骤A1)。之后，借由移动机构，上升第2保持部，以第1保持部保持被处理晶圆之同时，以第2保持部保持支持晶圆(步骤A2)。之后，一边加热第1保持部所保持的被处理晶圆及第2保持部所保持的支持晶圆，一边借由移动机构使第2保持部朝水平方向移动，以将被处理晶圆与支持晶圆剥离(步骤A3)。之后，对于从第1保持部移交到白努利吸盘之被处理晶圆提供惰性气体(步骤A4)。

17.

发明专利
黏著片、半導體晶圓之表面保護方法及工件之加工方法 ADHESIVE SHEET, METHOD FOR PROTECTING SURFACE OF SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR PROCESSING WORK 有权
简体标题：黏着片、半导体晶圆之表面保护方法及工件之加工方法 ADHESIVE SHEET, METHOD FOR PROTECTING SURFACE OF SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR PROCESSING WORK

公开(公告)号：TWI310230B

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：TW093101521

申请日：2004-01-20

申请人： 琳得科股份有限公司 LINTEC CORPORATION

发明人： 堀米克彥 HORIGOME, KATSUHIKO , 泉達矢 IZUMI, TATSUYA , 高橋和弘 TAKAHASHI, KAZUHIRO

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/6836 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , Y10T156/1911 , Y10T428/28

摘要： 本發明之目的在於提供一種應用在包含加熱處理或伴隨有發熱之處理的加工製程中,也不會緊貼在其他裝置等的黏著片。本發明之目的尤其在於提供一種經賦與電路面之保護功能及延伸性等特性,而可作為表面保護片、切割用片(dicing sheet)或拾取用片(pick-up sheet)來使用的具有以往所沒有的高溫耐熱性之半導體晶圓加工用等之黏著片。
本發明之黏著片係具有:將第1硬化性樹脂製成膜並使之硬化而得之基材;在該基材上塗布第2硬化性樹脂並使之硬化而成之頂塗布層;以及形成於與頂塗布層相反的面之黏著劑層。

简体摘要： 本发明之目的在于提供一种应用在包含加热处理或伴随有发热之处理的加工制程中,也不会紧贴在其他设备等的黏着片。本发明之目的尤其在于提供一种经赋与电路面之保护功能及延伸性等特性,而可作为表面保护片、切割用片(dicing sheet)或十取用片(pick-up sheet)来使用的具有以往所没有的高温耐热性之半导体晶圆加工用等之黏着片。本发明之黏着片系具有:将第1硬化性树脂制成膜并使之硬化而得之基材;在该基材上涂布第2硬化性树脂并使之硬化而成之顶涂布层;以及形成于与顶涂布层相反的面之黏着剂层。