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公开(公告)号：TWI620235B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW104112708
申请日：2015-04-21
发明人： 谷田一真 , TANIDA, KAZUMASA , 吉田貴光 , YOSHIDA, TAKAMITSU , 內海邦朗 , UTSUMI, KUNIAKI , 川崎敦子 , KAWASAKI, ATSUKO
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/498 , H01L25/065
CPC分类号： H01L21/4853 , H01L21/76885 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/14643 , H01L2224/03462 , H01L2224/03616 , H01L2224/03831 , H01L2224/05547 , H01L2224/05557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/08059 , H01L2224/08111 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80203 , H01L2224/80345 , H01L2224/80365 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TW201810567A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106111378
申请日：2017-04-05
申请人： 高通公司 , QUALCOMM INCORPORATED
发明人： 謝靜 , XIE, JING , 沙瑪迪 坎畢茲 , SAMADI, KAMBIZ , 卡莫爾 普雷尤胥 , KAMAL, PRATYUSH , 杜 楊 , DU, YANG , 賈法里 賈維德 , JAFFARI, JAVID
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , G06F17/5072 , G06F17/5081 , G06F2217/78 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/5286 , H01L24/13 , H01L25/16 , H01L27/0688 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2924/13091 , H01L2924/141 , H01L2924/1431 , H01L2924/14335 , H01L2924/1434
摘要： 本發明揭示三維(3D)積體電路(IC) (3DIC)中之功率閘配置技術。本發明之例示性態樣預期將功率閘控電路或單元固結至一3DIC內之一單一階層中。再者，該等功率閘控電路固結在最接近於一電壓源之一階層中。此最接近階層可包括允許該電壓源與該等功率閘控電路之間的一距離最小化的一背側金屬層。藉由最小化該電壓源與該等功率閘控電路之間的該距離，最小化來自其間之路由元件之功率損耗。另外，藉由將該等功率閘控電路固結在一單一階層中，可最小化該等功率閘控電路與下游元件之間的路由距離，且最小化來自彼等路由元件之功率損耗。同樣藉由根據本發明之例示性態樣配置該等功率閘控電路來實現其他優勢。
简体摘要： 本发明揭示三维(3D)集成电路(IC) (3DIC)中之功率闸配置技术。本发明之例示性态样预期将功率闸控电路或单元固结至一3DIC内之一单一阶层中。再者，该等功率闸控电路固结在最接近于一电压源之一阶层中。此最接近阶层可包括允许该电压源与该等功率闸控电路之间的一距离最小化的一背侧金属层。借由最小化该电压源与该等功率闸控电路之间的该距离，最小化来自其间之路由组件之功率损耗。另外，借由将该等功率闸控电路固结在一单一阶层中，可最小化该等功率闸控电路与下游组件之间的路由距离，且最小化来自彼等路由组件之功率损耗。同样借由根据本发明之例示性态样配置该等功率闸控电路来实现其他优势。
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公开(公告)号：TWI618223B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW105107160
申请日：2016-03-09
申请人： 聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人： 林子閎 , LIN, TZU HUNG , 蕭景文 , HSIAO, CHING WEN , 彭逸軒 , PENG, I HSUAN
IPC分类号： H01L25/16 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/568 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L25/16 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/16265 , H01L2224/32265 , H01L2224/73204 , H01L2224/73209 , H01L2224/92133 , H01L2225/06513 , H01L2225/06558 , H01L2225/06586 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1436 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19104 , H01L2924/014
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公开(公告)号：TWI618210B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW105129279
申请日：2016-09-09
发明人： 吳志偉 , WU, CHIH WEI , 林俊成 , LIN, JING CHENG , 盧思維 , LU, SZU WEI , 施應慶 , SHIH, YING CHING
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76885 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/367 , H01L23/49811 , H01L23/5389 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/25 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/061 , H01L2224/11002 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/211 , H01L2224/215 , H01L2224/24137 , H01L2224/24147 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73217 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06548 , H01L2225/06562 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2924/10253 , H01L2924/1027 , H01L2924/1032 , H01L2924/141 , H01L2924/1421 , H01L2924/143 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1461 , H01L2924/3511 , H01L2224/83
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公开(公告)号：TWI616956B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105122581
申请日：2016-07-18
发明人： 余振華 , YU, CHEN HUA , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 余國寵 , YEE, KUO CHUNG , 郭庭豪 , KUO, TIN HAO
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/295 , H01L23/3128 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/14181 , H01L2224/16227 , H01L2224/16265 , H01L2224/24137 , H01L2224/24147 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73217 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/9222 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2224/214 , H01L2224/83 , H01L2224/19 , H01L2224/83005
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公开(公告)号：TW201807761A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105138222
申请日：2016-11-22
发明人： 鄭余任 , CHENG, YU JEN , 黃育智 , HUANG, YU CHIH , 陳志華 , CHEN, CHIH HUA , 陳玉芬 , CHEN, YU FENG , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/56 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68359 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81815 , H01L2224/83005 , H01L2224/92125 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/18161 , H01L2224/83
摘要： 本揭露之實施例提供封裝結構及其形成方法，此方法包含提供第一積體電路晶粒並形成重佈線結構於第一積體電路晶粒上方，形成基底層於重佈線結構上方，基底層具有複數個第一開口和複數個第二開口，且第一開口寬於第二開口，形成複數個第一凸塊於重佈線結構上方，第一凸塊具有下部填入第一開口中。此外，此方法包含透過具有下部填入第二開口中的複數個第二凸塊將第二積體電路晶粒接合至重佈線結構，在第二積體電路晶粒與基底層之間有一空間。此方法也包含形成模塑化合物層於基底層上方，模塑化合物層填入此空間中並圍繞第一凸塊和第二凸塊。
简体摘要： 本揭露之实施例提供封装结构及其形成方法，此方法包含提供第一集成电路晶粒并形成重布线结构于第一集成电路晶粒上方，形成基底层于重布线结构上方，基底层具有复数个第一开口和复数个第二开口，且第一开口宽于第二开口，形成复数个第一凸块于重布线结构上方，第一凸块具有下部填入第一开口中。此外，此方法包含透过具有下部填入第二开口中的复数个第二凸块将第二集成电路晶粒接合至重布线结构，在第二集成电路晶粒与基底层之间有一空间。此方法也包含形成模塑化合物层于基底层上方，模塑化合物层填入此空间中并围绕第一凸块和第二凸块。
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公开(公告)号：TW201804586A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106137819
申请日：2013-04-03
发明人： 高柳浩二 , TAKAYANAGI,KOJI
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L22/34 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/06596 , H01L2924/00014 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2224/05552
摘要： 根據本發明之一半導體裝置包含：一穿通導通體，其經形成以穿透一半導體基板；第一及第二緩衝器電路；一佈線形成層，其形成於該半導體基板之一上部層中；一連接佈線部分，假定自該半導體基板至該佈線形成層之一方向係一向上方向，則該連接佈線部分係形成於該穿通導通體之一上部部分中，形成於面向該穿通導通體之一端面處之該半導體基板之上部部分之一晶片內端面上；一第一路徑，其連接該第一緩衝器電路與該穿通導通體；及一第二路徑，其連接該第二緩衝器電路與該穿通導通體。該第一路徑及該第二路徑透過該連接佈線部分而電連接。
简体摘要： 根据本发明之一半导体设备包含：一穿通导通体，其经形成以穿透一半导体基板；第一及第二缓冲器电路；一布线形成层，其形成于该半导体基板之一上部层中；一连接布线部分，假定自该半导体基板至该布线形成层之一方向系一向上方向，则该连接布线部分系形成于该穿通导通体之一上部部分中，形成于面向该穿通导通体之一端面处之该半导体基板之上部部分之一芯片内端面上；一第一路径，其连接该第一缓冲器电路与该穿通导通体；及一第二路径，其连接该第二缓冲器电路与该穿通导通体。该第一路径及该第二路径透过该连接布线部分而电连接。
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公开(公告)号：TW201721770A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105121366
申请日：2016-07-06
发明人： 余振華 , YU, CHEN HUA , 陳志華 , CHEN, CHIH HUA , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 陳玉芬 , CHEN, YU FENG
IPC分类号： H01L21/50 , H01L23/28 , H01L23/485 , H01L25/16
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/4846 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76898 , H01L23/13 , H01L23/49811 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L35/34 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73267 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/1421 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1461 , H01L2224/83 , H01L2224/45099
摘要： 本發明描述封裝結構及形成封裝結構之方法。一種方法包括將一第一封裝置放於一第一基板之一凹槽內。該第一封裝包括一第一晶粒。該方法進一步包括將一第一感測器附接至該第一封裝及該第一基板。該第一感測器電耦合至該第一封裝及該第一基板。
简体摘要： 本发明描述封装结构及形成封装结构之方法。一种方法包括将一第一封设备放于一第一基板之一凹槽内。该第一封装包括一第一晶粒。该方法进一步包括将一第一传感器附接至该第一封装及该第一基板。该第一传感器电耦合至该第一封装及该第一基板。
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公开(公告)号：TW201719857A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105121525
申请日：2016-07-07
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 索比斯基 丹尼爾 , SOBIESKI, DANIEL , 達爾瑪維卡塔 克里斯多夫 , DARMAWIKARTA, KRISTOF , 波野帕提 斯里倫加 S. , BOYAPATI, SRI RANGA SAI , 切雷克庫爾 莫維 , CELIKKOL, MERVE , 李奎五 , LEE, KYU OH , 艾根 肯麥爾 , AYGUN, KEMAL , 錢治國 , QIAN, ZHIGUO
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/18
CPC分类号： H01L25/18 , H01L23/147 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L25/0655 , H01L2224/16227 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/157 , H01L2924/3511
摘要： 本發明大體上論述用於包括一無機中介件之多晶片封裝之方法及裝置。一種裝置可包括：一基體，該基體於其中包括低密度互連電路；該基體上之一無機中介件，該無機中介件包括電連接至該低密度互連電路之高密度互連電路，該無機中介件包括無機材料；以及兩個或兩個以上晶片，其電連接至該無機中介件，該等兩個或兩個以上晶片經由該高密度互連電路彼此電連接。
简体摘要： 本发明大体上论述用于包括一无机中介件之多芯片封装之方法及设备。一种设备可包括：一基体，该基体于其中包括低密度互连电路；该基体上之一无机中介件，该无机中介件包括电连接至该低密度互连电路之高密度互连电路，该无机中介件包括无机材料；以及两个或两个以上芯片，其电连接至该无机中介件，该等两个或两个以上芯片经由该高密度互连电路彼此电连接。
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公开(公告)号：TW201714259A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105128083
申请日：2016-08-31
申请人： 聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人： 劉乃瑋 , LIU, NAI WEI , 林子閎 , LIN, TZU HUNG , 彭逸軒 , PENG, I HSUAN , 蕭景文 , HSIAO, CHING WEN , 黃偉哲 , HUANG, WEI CHE
IPC分类号： H01L23/28
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/3142 , H01L23/49805 , H01L23/49816 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/03011 , H01L2224/03502 , H01L2224/036 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/06136 , H01L2224/06146 , H01L2224/06156 , H01L2224/06166 , H01L2224/10126 , H01L2224/12105 , H01L2224/16235 , H01L2224/17136 , H01L2224/17146 , H01L2224/17156 , H01L2224/17166 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/06572 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/10253 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/214 , H01L2924/00
摘要： 本發明提供了一種半導體封裝結構及其形成方法。該半導體封裝結構包括：一半導體主體；一互連結構，設置在該半導體主體的表面上；一模塑料，圍繞該半導體主體及該互連結構；以及一重分佈層結構，設置在該互連結構及該模塑料上。其中，該模塑料的一部分在該重分佈層結構及該半導體主體之間延伸，並且該部分的模塑料係位於該半導體主體的表面的正下方。
简体摘要： 本发明提供了一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括：一半导体主体；一互链接构，设置在该半导体主体的表面上；一模塑料，围绕该半导体主体及该互链接构；以及一重分布层结构，设置在该互链接构及该模塑料上。其中，该模塑料的一部分在该重分布层结构及该半导体主体之间延伸，并且该部分的模塑料系位于该半导体主体的表面的正下方。
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