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    濺鍍靶材
    24.
    发明专利
    濺鍍靶材 审中-公开
    溅镀靶材

    公开(公告)号：TW201607914A

    公开(公告)日：2016-03-01

    申请号：TW104127070

    申请日：2015-08-20

    申请人： 日立金屬股份有限公司 ,  HITACHI METALS, LTD.

    发明人： 福島英子 ,  FUKUSHIMA, HIDEKO ,  上坂修治郎 ,  UESAKA, SHUJIRO ,  玉田悠 ,  TAMADA, YU

    IPC分类号： C04B35/453 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

    摘要： 本發明提供一種在濺鍍成膜時、特別是藉由直流濺鍍法的成膜時，在靶材的放電面難以產生結節的濺鍍靶材。本發明是一種濺鍍靶材，其包含氧化物燒結體，所述氧化物燒結體包含Zn、Sn、O、及Al，且所述氧化物燒結體中，以[（Al的質量）/（氧化物燒結體的總質量）×100（%）]表示的Al的含有比率為0.005%～0.2%，所述濺鍍靶材的放電面的電子束顯微分析儀（EPMA）的面分析結果的數位圖像中所顯示的含有Al的區域均收斂於[x]×[y]（x=75 μm、y=75 μm）的範圍。

    简体摘要： 本发明提供一种在溅镀成膜时、特别是借由直流溅镀法的成膜时，在靶材的放电面难以产生结节的溅镀靶材。本发明是一种溅镀靶材，其包含氧化物烧结体，所述氧化物烧结体包含Zn、Sn、O、及Al，且所述氧化物烧结体中，以[（Al的质量）/（氧化物烧结体的总质量）×100（%）]表示的Al的含有比率为0.005%～0.2%，所述溅镀靶材的放电面的电子束显微分析仪（EPMA）的面分析结果的数码图像中所显示的含有Al的区域均收敛于[x]×[y]（x=75 μm、y=75 μm）的范围。

    被覆工具的製造方法
    25.
    发明专利
    被覆工具的製造方法 审中-公开
    被覆工具的制造方法

    公开(公告)号：TW201606112A

    公开(公告)日：2016-02-16

    申请号：TW104124665

    申请日：2015-07-30

    申请人： 日立金屬股份有限公司 ,  HITACHI METALS, LTD.

    发明人： 阿布斯艾力克 薩利赫 ,  ABUSUILIK, SALEH

    IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/32 ,  C23C16/52

    CPC分类号： B21D37/01 ,  B21D37/20 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/32

    摘要： 本發明的被覆工具的製造方法是藉由過濾電弧離子鍍法在基材的表面形成類鑽碳皮膜的被覆工具的製造方法，其包括：第一步驟，將對所述基材施加的負偏壓設為-2500 V以上且-1500 V以下，向爐內導入含有氫氣的混合氣體，而對所述基材的表面進行氣體撞擊處理；及第二步驟，在所述氣體撞擊處理後向所述爐內導入氮氣，於石墨靶材中投入電流而於所述基材的表面形成類鑽碳皮膜，且在所述第二步驟中，包括減少所述氮氣的流量的步驟、及增加於所述石墨靶材中投入的所述電流的步驟。

    简体摘要： 本发明的被覆工具的制造方法是借由过滤电弧离子镀法在基材的表面形成类钻碳皮膜的被覆工具的制造方法，其包括：第一步骤，将对所述基材施加的负偏压设为-2500 V以上且-1500 V以下，向炉内导入含有氢气的混合气体，而对所述基材的表面进行气体撞击处理；及第二步骤，在所述气体撞击处理后向所述炉内导入氮气，于石墨靶材中投入电流而于所述基材的表面形成类钻碳皮膜，且在所述第二步骤中，包括减少所述氮气的流量的步骤、及增加于所述石墨靶材中投入的所述电流的步骤。

    半導體裝置之製造方法及半導體裝置
    26.
    发明专利
    半導體裝置之製造方法及半導體裝置 审中-公开
    半导体设备之制造方法及半导体设备

    公开(公告)号：TW201601215A

    公开(公告)日：2016-01-01

    申请号：TW104120731

    申请日：2015-06-26

    申请人： 日立金屬股份有限公司 ,  HITACHI METALS, LTD.

    发明人： 內山博幸 ,  UCHIYAMA, HIROYUKI ,  谷口文 ,  TANIGUCHI, TAKAFUMI ,  矢部秀 ,  YAKABE, HIDETAKA

    IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

    摘要： 本發明係一種半導體裝置之製造方法及半導體裝置，其課題為在蝕刻加工將鋅作為主成分之氧化物半導體時，加以蝕刻氧化物半導體表面層，而招致過大的側蝕刻。 解決手段為經由可選擇性僅蝕刻存在於氧化物半導體表面之氧化鋅相的前處理液，而於事前處理氧化物半導體表面之時，抑制形成於光致抗蝕劑與氧化物半導體界面之空隙，進而抑制氧化物半導體蝕刻加工後之側蝕刻量。

    简体摘要： 本发明系一种半导体设备之制造方法及半导体设备，其课题为在蚀刻加工将锌作为主成分之氧化物半导体时，加以蚀刻氧化物半导体表面层，而招致过大的侧蚀刻。 解决手段为经由可选择性仅蚀刻存在于氧化物半导体表面之氧化锌相的前处理液，而于事前处理氧化物半导体表面之时，抑制形成于光致抗蚀剂与氧化物半导体界面之空隙，进而抑制氧化物半导体蚀刻加工后之侧蚀刻量。