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公开(公告)号：TW201740470A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW105140134
申请日：2016-12-05
发明人： 董 志航 , TUNG, CHIH-HANG , 楊素純 , YANG, SU-CHUN , 邵棟樑 , SHAO, TUNG-LIANG , 余振華 , YU, CHEN-HUA
IPC分类号： H01L21/50 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/29078 , H01L2224/83054 , H01L2224/83085 , H01L2224/83359 , H01L2224/94 , H01L2225/06513
摘要： 一種用於製造堆疊半導體裝置之代表性系統及方法包含在接合之前將一水性鹼溶液放置於一第一半導體裝置與一第二半導體裝置之間。在一代表性實施方案中，第一半導體裝置及第二半導體裝置可彼此混合接合，其中該第一半導體裝置之介電構件接合至該第二半導體裝置之介電構件，且該第一半導體裝置之金屬構件接合至該第二半導體裝置之金屬構件。如此形成之浸潤接合證實與接合缺陷相關聯之一實質上較低脫層發生率。
简体摘要： 一种用于制造堆栈半导体设备之代表性系统及方法包含在接合之前将一水性碱溶液放置于一第一半导体设备与一第二半导体设备之间。在一代表性实施方案中，第一半导体设备及第二半导体设备可彼此混合接合，其中该第一半导体设备之介电构件接合至该第二半导体设备之介电构件，且该第一半导体设备之金属构件接合至该第二半导体设备之金属构件。如此形成之浸润接合证实与接合缺陷相关联之一实质上较低脱层发生率。
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公开(公告)号：TW201729362A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105134641
申请日：2016-10-26
发明人： 邵棟樑 , SHAO, TUNG-LIANG , 董 志航 , TUNG, CHIH-HANG , 余振華 , YU, CHEN-HUA
CPC分类号： H01L25/18 , H01L21/02282 , H01L21/6835 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/5226 , H01L24/11 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/0401 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548
摘要： 本揭露係關於一種半導體裝置及其製造方法。用於製造半導體裝置之該方法包含：將載體晶圓附接至頂部晶粒晶圓之前側；薄化該頂部晶粒晶圓之背側，該頂部晶粒晶圓之該背側與該頂部晶粒晶圓之該前側相對；單粒化該載體晶圓及該頂部晶粒晶圓，藉此形成附接至經單粒化載體晶粒之經單粒化晶粒；及將該等經單粒化晶粒中之每一者之背側接合至底部晶粒晶圓之前側。
简体摘要： 本揭露系关于一种半导体设备及其制造方法。用于制造半导体设备之该方法包含：将载体晶圆附接至顶部晶粒晶圆之前侧；薄化该顶部晶粒晶圆之背侧，该顶部晶粒晶圆之该背侧与该顶部晶粒晶圆之该前侧相对；单粒化该载体晶圆及该顶部晶粒晶圆，借此形成附接至经单粒化载体晶粒之经单粒化晶粒；及将该等经单粒化晶粒中之每一者之背侧接合至底部晶粒晶圆之前侧。
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公开(公告)号：TWI560787B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW103116348
申请日：2014-05-08
发明人： 陳孟澤 , CHEN, MENG TSE , 林修任 , LIN, HSIU JEN , 林志偉 , LIN, CHIH WEI , 鄭明達 , CHENG, MING DA , 董志航 , TUNG, CHIH-HANG , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/06 , H01L21/56 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/0558 , H01L2224/05666 , H01L2224/1134 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/119 , H01L2224/11906 , H01L2224/13005 , H01L2224/13014 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/13582 , H01L2224/16058 , H01L2224/16238 , H01L2224/16501 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81895 , H01L2225/1058 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TW201508850A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103116348
申请日：2014-05-08
发明人： 陳孟澤 , CHEN, MENG TSE , 林修任 , LIN, HSIU JEN , 林志偉 , LIN, CHIH WEI , 鄭明達 , CHENG, MING DA , 董志航 , TUNG, CHIH-HANG , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/06 , H01L21/56 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/0558 , H01L2224/05666 , H01L2224/1134 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/119 , H01L2224/11906 , H01L2224/13005 , H01L2224/13014 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/13582 , H01L2224/16058 , H01L2224/16238 , H01L2224/16501 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81895 , H01L2225/1058 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 一種傳導互連結構包含一接觸墊，一導電體之一第一端與該接觸墊相連，以及一導電層位於該導電體之一第二端。該導電體具有一縱向垂直於該接觸墊之一表面。該導電體具有一位於橫截面(面A)之平均粒徑(a)，該橫截面之法線垂直於該導電體之縱向。該導電層包含位於面A之一平均粒徑(b)。該導電體及該導電層皆是由相同材料組成，且該平均粒徑(a)大於該平均粒徑(b)。
简体摘要： 一种传导互链接构包含一接触垫，一导电体之一第一端与该接触垫相连，以及一导电层位于该导电体之一第二端。该导电体具有一纵向垂直于该接触垫之一表面。该导电体具有一位于横截面(面A)之平均粒径(a)，该横截面之法线垂直于该导电体之纵向。该导电层包含位于面A之一平均粒径(b)。该导电体及该导电层皆是由相同材料组成，且该平均粒径(a)大于该平均粒径(b)。
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