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    半導體發光裝置
    26.
    发明专利
    半導體發光裝置 审中-公开
    半导体发光设备

    公开(公告)号：TW201701498A

    公开(公告)日：2017-01-01

    申请号：TW105107647

    申请日：2016-03-11

    申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

    发明人： 澤野正和 ,  SAWANO, MASAKAZU ,  勝野弘 ,  KATSUNO, HIROSHI ,  宮部主之 ,  MIYABE, KAZUYUKI

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/36

    CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

    摘要： 本發明之半導體發光裝置具備：發光體，其包含第1、第2半導體層及設置於第1、2半導體層間之發光層；配置於發光體層之第2半導體層側之基板；於基板與發光體之間電性連接於第1半導體層及第2半導體層之任一者的第1金屬層，其自基板與發光體間沿基板向發光體外側延伸；覆蓋位於發光體外側之第1金屬層之延伸部的導電層，其延伸於發光體與第1金屬層間及於基板上與發光體並排設置的第2金屬層，其介隔導電層設置於延伸部；發光體包括：包含第1半導體層之表面的第1面、包含第2半導體層之表面的第2面、包含第1半導體層之外緣的側面；且包括於與第1面平行之方向自側面朝內側凹陷之供設置第2金屬層之凹部，其側壁經由曲面與側面連接。

    简体摘要： 本发明之半导体发光设备具备：发光体，其包含第1、第2半导体层及设置于第1、2半导体层间之发光层；配置于发光体层之第2半导体层侧之基板；于基板与发光体之间电性连接于第1半导体层及第2半导体层之任一者的第1金属层，其自基板与发光体间沿基板向发光体外侧延伸；覆盖位于发光体外侧之第1金属层之延伸部的导电层，其延伸于发光体与第1金属层间及于基板上与发光体并排设置的第2金属层，其介隔导电层设置于延伸部；发光体包括：包含第1半导体层之表面的第1面、包含第2半导体层之表面的第2面、包含第1半导体层之外缘的侧面；且包括于与第1面平行之方向自侧面朝内侧凹陷之供设置第2金属层之凹部，其侧壁经由曲面与侧面连接。

    半導體發光元件、發光裝置及半導體發光元件之製造方法
    27.
    发明专利
    半導體發光元件、發光裝置及半導體發光元件之製造方法 审中-公开
    半导体发光组件、发光设备及半导体发光组件之制造方法

    公开(公告)号：TW201637241A

    公开(公告)日：2016-10-16

    申请号：TW105100701

    申请日：2016-01-11

    申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

    发明人： 勝野弘 ,  KATSUNO, HIROSHI ,  澤野正和 ,  SAWANO, MASAKAZU ,  加賀広持 ,  KAGA, KOJI ,  小池豪 ,  OIKE, GO ,  宮部主之 ,  MIYABE, KAZUYUKI

    IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/60

    CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L2933/0016

    摘要： 本發明之實施形態提供一種提高發光效率之半導體發光元件、發光裝置及半導體發光元件之製造方法。 實施形態之半導體發光元件具備：積層體，其包含第1導電型之第1半導體層、第2導電型之第2半導體層、及設置於上述第1半導體層與第2半導體層之間之發光層；以及第1金屬層，其設置於上述積層體之上述第2半導體層之側，且與上述積層體之上述第2半導體層電性連接。上述第1金屬層具有延伸至上述積層體之外側之第1區域、及與上述第1區域相鄰之第2區域，上述第1區域中之上述第1金屬層之下端與上述第1金屬層之上端之間之距離較上述第2區域中之上述第1金屬層之下端與上述第1金屬層之上端之間之距離短，上述第1區域中之上述第1金屬層之下端與上述第1金屬層之上端和上述第1金屬層之外端連接。

    简体摘要： 本发明之实施形态提供一种提高发光效率之半导体发光组件、发光设备及半导体发光组件之制造方法。 实施形态之半导体发光组件具备：积层体，其包含第1导电型之第1半导体层、第2导电型之第2半导体层、及设置于上述第1半导体层与第2半导体层之间之发光层；以及第1金属层，其设置于上述积层体之上述第2半导体层之侧，且与上述积层体之上述第2半导体层电性连接。上述第1金属层具有延伸至上述积层体之外侧之第1区域、及与上述第1区域相邻之第2区域，上述第1区域中之上述第1金属层之下端与上述第1金属层之上端之间之距离较上述第2区域中之上述第1金属层之下端与上述第1金属层之上端之间之距离短，上述第1区域中之上述第1金属层之下端与上述第1金属层之上端和上述第1金属层之外端连接。