公开(公告)号：TW201415641A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：TW102137076

申请日：2013-10-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY ,  陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/66681 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833

Abstract: 本發明一實施例提供p型場效電晶體結構的形成方法，包括形成遮罩層於半導體基板上，且遮罩層具有開口露出半導體基板的半導體區；經由遮罩層的開口對半導體基板進行n型摻質的離子佈植，以形成n型井於半導體區中；以及經由遮罩層的開口對半導體基板進行鍺通道佈植，以形成鍺通道佈植區於n型井中。

Abstract in simplified Chinese: 本发明一实施例提供p型场效应管结构的形成方法，包括形成遮罩层于半导体基板上，且遮罩层具有开口露出半导体基板的半导体区；经由遮罩层的开口对半导体基板进行n型掺质的离子布植，以形成n型井于半导体区中；以及经由遮罩层的开口对半导体基板进行锗信道布植，以形成锗信道布植区于n型井中。

公开(公告)号：TW201344885A

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：TW102114963

申请日：2013-04-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  朱鳴 ,  ZHU, MING ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HAK-LAY

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/511 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本發明提供了具有位於一基板之不同區域上之五個閘堆疊物之一種半導體裝置及其製造方法。此半導體裝置包括一半導體基板以及複數個隔離元件，以於半導體基板上分隔出複數個區域。上述不同區域包括一p型場效電晶體核心區、一p型場效電晶體輸入/輸出區、一n型場效電晶體核心區、一n型場效電晶體輸入/輸出區以及一高電阻區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了具有位于一基板之不同区域上之五个闸堆栈物之一种半导体设备及其制造方法。此半导体设备包括一半导体基板以及复数个隔离组件，以于半导体基板上分隔出复数个区域。上述不同区域包括一p型场效应管内核区、一p型场效应管输入/输出区、一n型场效应管内核区、一n型场效应管输入/输出区以及一高电阻区。

公开(公告)号：TWI406331B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：TW098123690

申请日：2009-07-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  賴素貞 ,  LAI, SU CHEN ,  沈俊良 ,  SHEN, GARY

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823828 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/823437 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/926

公开(公告)号：TWI393219B

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：TW098130487

申请日：2009-09-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 賴素貞 ,  LAI, SU CHEN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

公开(公告)号：TWI392085B

公开(公告)日：2013-04-01

申请号：TW098124981

申请日：2009-07-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L23/5256 ,  H01L28/20 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201312660A

公开(公告)日：2013-03-16

申请号：TW101128181

申请日：2012-08-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY ,  鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  林煥哲 ,  LIN, HUAN JUST ,  李再春 ,  LI, TSAI CHUN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供之積體電路的形成方法，包括提供具有高介電常數之介電層於其上的基板，與提供多晶矽閘極結構於高介電常數之介電層上。接著進行摻雜製程於緊鄰多晶矽閘極結構的基板上，再將多晶矽閘極結構移除並置換為金屬閘極結構。將層間介電層沉積於金屬閘極結構與摻雜後之基板上，再乾蝕刻以形成溝槽於層間介電層中且露出金屬閘極結構之上表面。在乾蝕刻製程後進行濕蝕刻製程，以形成底切緊鄰金屬閘極結構之上表面。接著將導電材料填入溝槽與底切。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供之集成电路的形成方法，包括提供具有高介电常数之介电层于其上的基板，与提供多晶硅闸极结构于高介电常数之介电层上。接着进行掺杂制程于紧邻多晶硅闸极结构的基板上，再将多晶硅闸极结构移除并置换为金属闸极结构。将层间介电层沉积于金属闸极结构与掺杂后之基板上，再干蚀刻以形成沟槽于层间介电层中且露出金属闸极结构之上表面。在干蚀刻制程后进行湿蚀刻制程，以形成底切紧邻金属闸极结构之上表面。接着将导电材料填入沟槽与底切。

公开(公告)号：TWI559391B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW098131195

申请日：2009-09-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 賴素貞 ,  LAI, SU CHEN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY ,  沈俊良 ,  SHEN, GARY ,  廖舜章 ,  LIAO, SHUN JANG

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/76224 ,  H01L22/12

公开(公告)号：TWI525828B

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：TW102144547

申请日：2013-12-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY ,  郭正誠 ,  KUO, CHENG CHENG ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN ,  朱鳴 ,  ZHU, MING

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

公开(公告)号：TWI525796B

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：TW102116634

申请日：2013-05-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林俊銘 ,  LIN, JYUN MING ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  鍾昇鎭 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HAK-LAY

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/823857

公开(公告)号：TWI523198B

公开(公告)日：2016-02-21

申请号：TW101113429

申请日：2012-04-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY ,  朱鳴 ,  ZHU, MING

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0738 ,  H01L27/092 ,  H01L28/20 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545