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公开(公告)号：TW201351621A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102114135
申请日：2013-04-22
Inventor： 陳愉婷 , CHEN, U TING , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 施宇豪 , SHIH, YU HAO , 王志謙 , WANG, CHIH CHIEN , 周世培 , CHOU, SHIH PEI , 黃爲棟 , HUANG, WEI TUNG , 吳政達 , WU, CHENG TA
CPC classification number: H01L21/0334 , H01L21/0337 , H01L27/14603 , H01L27/1464 , H01L27/14689
Abstract: 本發明提供之影像感測元件的形成方法，包含之基板具有畫素區與周邊區。蝕刻周邊區以形成多個第一溝槽。每一第一溝槽具有深度D1。形成遮罩層於基板上。遮罩層具有多個開口於畫素區中。形成間隔物於每一開口之內表面上。經由畫素區中具有間隔物之每一開口，蝕刻形成多個第二溝槽。每一第二溝槽具有深度D2。深度D1大於深度D2。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供之影像传感组件的形成方法，包含之基板具有像素区与周边区。蚀刻周边区以形成多个第一沟槽。每一第一沟槽具有深度D1。形成遮罩层于基板上。遮罩层具有多个开口于像素区中。形成间隔物于每一开口之内表面上。经由像素区中具有间隔物之每一开口，蚀刻形成多个第二沟槽。每一第二沟槽具有深度D2。深度D1大于深度D2。
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公开(公告)号：TW201347154A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102116150
申请日：2013-05-07
Inventor： 蔡雙吉 , TSAI, SHUANG JI , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 林政賢 , LIN, JENG SHYAN , 洪豐基 , HUNG, FENG CHI
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14687
Abstract: 本發明提供一種半導體元件，包括：一半導體基板，其中該半導體基板具有一前側及一背側；複數個影像感測器設置於該半導體基板的該前側；複數個透明彩色濾光片位於該半導體基板的該背側之上；以及複數個金屬環，其中每一個該些金屬環包圍該些透明彩色濾光片之其中一個。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组件，包括：一半导体基板，其中该半导体基板具有一前侧及一背侧；复数个影像传感器设置于该半导体基板的该前侧；复数个透明彩色滤光片位于该半导体基板的该背侧之上；以及复数个金属环，其中每一个该些金属环包围该些透明彩色滤光片之其中一个。
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公开(公告)号：TW201344916A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102110601
申请日：2013-03-26
Inventor： 高敏峰 , KAO, MIN FENG , 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 許慈軒 , HSU, TZU HSUAN , 洪豐基 , HUNG, FENG CHI
CPC classification number: H01L21/2652 , H01L21/28114 , H01L21/76229 , H01L23/544 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L29/42376 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本發明提供之元件，包括半導體基板與圍繞主動區之元件隔離區。元件隔離區由半導體基板之上表面延伸至半導體基板中。閘極介電層位於半導體基板之主動區上並延伸至元件隔離區上。閘極位於閘極介電層上，其中閘極具有第一刻痕於元件隔離區之第一部份上。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供之组件，包括半导体基板与围绕主动区之组件隔离区。组件隔离区由半导体基板之上表面延伸至半导体基板中。闸极介电层位于半导体基板之主动区上并延伸至组件隔离区上。闸极位于闸极介电层上，其中闸极具有第一刻痕于组件隔离区之第一部份上。
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公开(公告)号：TW201344892A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102111824
申请日：2013-04-02
Inventor： 王子睿 , WANG, TZU JUI , 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN
IPC: H01L27/146 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/14618 , H01L27/14634 , H01L27/1469 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本發明提供一種半導體裝置，包括：背照式影像感測晶片，其中背照式影像感測晶片包括：第一電晶體相鄰於背照式影像感測晶片之第一側；第一接合墊形成於背照式影像感測晶片之第一側中；以及光主動區域相鄰於背照式影像感測晶片之第二側；以及第二晶片，其中第二晶片包括：第二電晶體；輸入/輸出墊形成於第二晶片之第二側上；第二導通孔耦合第二電晶體與輸入/輸出墊；以及一第二接合墊形成於第二晶片之一第一側，其中第二晶片與背照式影像感測晶片面對面接合在一起，且其中第一接合墊電性耦合第二接合墊。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备，包括：背照式影像传感芯片，其中背照式影像传感芯片包括：第一晶体管相邻于背照式影像传感芯片之第一侧；第一接合垫形成于背照式影像传感芯片之第一侧中；以及光主动区域相邻于背照式影像传感芯片之第二侧；以及第二芯片，其中第二芯片包括：第二晶体管；输入/输出垫形成于第二芯片之第二侧上；第二导通孔耦合第二晶体管与输入/输出垫；以及一第二接合垫形成于第二芯片之一第一侧，其中第二芯片与背照式影像传感芯片面对面接合在一起，且其中第一接合垫电性耦合第二接合垫。
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公开(公告)号：TW201344890A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102111829
申请日：2013-04-02
Inventor： 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 趙亦平 , CHAO, CALVIN YI PING , 王子睿 , WANG, TZU JUI , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN
IPC: H01L27/142 , H01L21/98
CPC classification number: H01L27/1469 , H01L25/16 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本發明提供一種感測元件，包括：一基板，其中基板具有一前側與一背側；一第一行畫素，其中第一行畫素包括一第一畫素與一第二畫素於該基板中；以及一第一接合墊位於基板之前側之一頂部金屬層，其中第一接合墊藉由一第一金屬層間金屬線連接到第一畫素與第二畫素。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种传感组件，包括：一基板，其中基板具有一前侧与一背侧；一第一行像素，其中第一行像素包括一第一像素与一第二像素于该基板中；以及一第一接合垫位于基板之前侧之一顶部金属层，其中第一接合垫借由一第一金属层间金属线连接到第一像素与第二像素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201344887A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102111825
申请日：2013-04-02
Inventor： 林政賢 , LIN, JENG SHYAN , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 許慈軒 , HSU, TZU HSUAN , 蔡雙吉 , TSAI, SHUANG JI , 高敏峰 , KAO, MIN FENG
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463
Abstract: 本發明提供影像感測元件及其製造方法。該影像感測元件的製造方法，包含：提供一晶圓，其中該晶圓具有一正面以及一背面；形成一隔離區於該晶圓的正面，其中該隔離區圍繞一光主動區；由該晶圓的背面形成一開口於該隔離區內；以及，覆蓋一氣隙覆蓋層於該開口之上端以形成一氣隙嵌入該晶圓上的該隔離區。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供影像传感组件及其制造方法。该影像传感组件的制造方法，包含：提供一晶圆，其中该晶圆具有一正面以及一背面；形成一隔离区于该晶圆的正面，其中该隔离区围绕一光主动区；由该晶圆的背面形成一开口于该隔离区内；以及，覆盖一气隙覆盖层于该开口之上端以形成一气隙嵌入该晶圆上的该隔离区。
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公开(公告)号：TW201308555A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW100136015
申请日：2011-10-05
Inventor： 林政賢 , LIN, JENG SHYAN , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 王文德 , WANG, WEN DE , 蔡雙吉 , TSAI, SHUANG JI , 林月秋 , LIN, YUEH CHIOU
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/1134 , H01L2224/11916 , H01L2224/451 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/83359 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 本發明揭示一種積體電路結構，其包括一半導體基底及自半導體基底的下表面向上延伸於半導體基底內的一介電襯墊。一低介電常數介電層設置於半導體基底的下方。一第一非低介電常數介電層設置於低介電常數介電層下方。一金屬接墊位於第一非低介電常數介電層下方。一第二低介電常數介電層位於金屬接墊下方。一開口自半導體基底的上表面向下穿過半導體基底、介電襯墊以及低介電常數介電層，其中開口位於金屬接墊的上表面上。一鈍化保護層包括位於開口側壁的一部分，其中去除位於開口底部的一部分的鈍化保護層。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种集成电路结构，其包括一半导体基底及自半导体基底的下表面向上延伸于半导体基底内的一介电衬垫。一低介电常数介电层设置于半导体基底的下方。一第一非低介电常数介电层设置于低介电常数介电层下方。一金属接垫位于第一非低介电常数介电层下方。一第二低介电常数介电层位于金属接垫下方。一开口自半导体基底的上表面向下穿过半导体基底、介电衬垫以及低介电常数介电层，其中开口位于金属接垫的上表面上。一钝化保护层包括位于开口侧壁的一部分，其中去除位于开口底部的一部分的钝化保护层。
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公开(公告)号：TW201208012A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100113655
申请日：2011-04-20
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/78 , H01L23/3157 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本發明提供一種製造半導體裝置的方法,此方法包括提供具有一密封區及一電路區的基板,形成第一密封環結構於此密封區的上方,形成第二密封環結構於此密封區上方且鄰近該第一密封環結構,以及形成第一鈍化層於該第一及第二密封環結構的上方。另外也提供利用上述方法製造之半導體裝置。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种制造半导体设备的方法,此方法包括提供具有一密封区及一电路区的基板,形成第一密封环结构于此密封区的上方,形成第二密封环结构于此密封区上方且邻近该第一密封环结构,以及形成第一钝化层于该第一及第二密封环结构的上方。另外也提供利用上述方法制造之半导体设备。
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59.发明专利包含背照式影像感測元件的裝置及影像感測元件的製造方法 APPARATUS INCLUDING A BACK SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR DEVICE AND FABRICATION METHOD OF IMAGE SENSOR DEVICES 审中-公开包含背照式影像传感组件的设备及影像传感组件的制造方法 APPARATUS INCLUDING A BACK SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR DEVICE AND FABRICATION METHOD OF IMAGE SENSOR DEVICES
公开(公告)号：TW201205793A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100101070
申请日：2011-01-12
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 提供背照式影像感測元件,此影像感測元件包含基底,具有正面以及相對於正面之背面,影像感測元件也包含形成於基底內的輻射偵測元件,輻射偵測元件用於偵測經由背面進入基底的輻射波,影像感測元件還包含深溝槽隔絕特徵,其設置鄰接輻射偵測元件,影像感測元件更包含摻雜層,其以順應性的方式至少部分地圍繞深溝槽隔絕特徵。
Abstract in simplified Chinese: 提供背照式影像传感组件,此影像传感组件包含基底,具有正面以及相对于正面之背面,影像传感组件也包含形成于基底内的辐射侦测组件,辐射侦测组件用于侦测经由背面进入基底的辐射波,影像传感组件还包含深沟槽隔绝特征,其设置邻接辐射侦测组件,影像传感组件更包含掺杂层,其以顺应性的方式至少部分地围绕深沟槽隔绝特征。
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60.发明专利影像感測器及半導體元件的形成方法 IMAGE SENSORS AND METHODS FOR FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE 有权影像传感器及半导体组件的形成方法 IMAGE SENSORS AND METHODS FOR FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI337405B
公开(公告)日：2011-02-11
申请号：TW096106082
申请日：2007-02-16
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/148
Abstract: 本發明提供一種影像感測器，包括：一基底，其具有一前表面及一後表面；複數個感測元件，形成於該基底之該前表面上，該些感測元件係用以接受入射至該後表面的光；以及一鋁摻雜區，形成於該基底中，在水平方向位於相鄰之感測元件之間，在垂直方向位於該後表面及該些感測元件之間。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种影像传感器，包括：一基底，其具有一前表面及一后表面；复数个传感组件，形成于该基底之该前表面上，该些传感组件系用以接受入射至该后表面的光；以及一铝掺杂区，形成于该基底中，在水平方向位于相邻之传感组件之间，在垂直方向位于该后表面及该些传感组件之间。
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