半導體結構及其製造方法
    6.
    发明专利
    半導體結構及其製造方法 审中-公开
    半导体结构及其制造方法

    公开(公告)号:TW201428858A

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:TW102143394

    申请日:2013-11-28

    CPC classification number: B81C1/00238 B81B7/0038 B81B2207/017 B81C2203/0792

    Abstract: 一種半導體結構,包括:一第一裝置,包括具有一第一接合層形成於其上之一第一表面,以及一第二裝置,包括具有一第二接合層形成於其上之一第一表面。該第一接合層可形成至該第一裝置內之至少一電子元件處之一導電路徑。該第二接合層可形成至該第二裝置內之至少一電子元件處之一導電路徑。該第一裝置或該第二裝置其中之一可包括微機電系統電子元件。第一接合層及/或第二接合層可由一吸氣材料所形成,其可用於逸氣的吸收。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构,包括:一第一设备,包括具有一第一接合层形成于其上之一第一表面,以及一第二设备,包括具有一第二接合层形成于其上之一第一表面。该第一接合层可形成至该第一设备内之至少一电子组件处之一导电路径。该第二接合层可形成至该第二设备内之至少一电子组件处之一导电路径。该第一设备或该第二设备其中之一可包括微机电系统电子组件。第一接合层及/或第二接合层可由一吸气材料所形成,其可用于逸气的吸收。

    半導體裝置與其製法
    7.
    发明专利
    半導體裝置與其製法 审中-公开
    半导体设备与其制法

    公开(公告)号:TW201344892A

    公开(公告)日:2013-11-01

    申请号:TW102111824

    申请日:2013-04-02

    Abstract: 本發明提供一種半導體裝置,包括:背照式影像感測晶片,其中背照式影像感測晶片包括:第一電晶體相鄰於背照式影像感測晶片之第一側;第一接合墊形成於背照式影像感測晶片之第一側中;以及光主動區域相鄰於背照式影像感測晶片之第二側;以及第二晶片,其中第二晶片包括:第二電晶體;輸入/輸出墊形成於第二晶片之第二側上;第二導通孔耦合第二電晶體與輸入/輸出墊;以及一第二接合墊形成於第二晶片之一第一側,其中第二晶片與背照式影像感測晶片面對面接合在一起,且其中第一接合墊電性耦合第二接合墊。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备,包括:背照式影像传感芯片,其中背照式影像传感芯片包括:第一晶体管相邻于背照式影像传感芯片之第一侧;第一接合垫形成于背照式影像传感芯片之第一侧中;以及光主动区域相邻于背照式影像传感芯片之第二侧;以及第二芯片,其中第二芯片包括:第二晶体管;输入/输出垫形成于第二芯片之第二侧上;第二导通孔耦合第二晶体管与输入/输出垫;以及一第二接合垫形成于第二芯片之一第一侧,其中第二芯片与背照式影像传感芯片面对面接合在一起,且其中第一接合垫电性耦合第二接合垫。

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