公开(公告)号：TW201443200A

公开(公告)日：2014-11-16

申请号：TW103107880

申请日：2014-03-07

申请人： 宇部興產股份有限公司 ,  UBE INDUSTRIES, LTD.

发明人： 岩下和樹 ,  IWASHITA, KAZUKI ,  隅野真央 ,  SUMINO, MAO ,  上田孝之 ,  UEDA, TAKAYUKI ,  藤永昌孝 ,  FUJINAGA, MASATAKA ,  治田慎輔 ,  JIDA, SHINSUKE

IPC分类号： C09K11/08 ,  C09K11/64 ,  C09K11/79 ,  C09K11/80

CPC分类号： C09K11/7734 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7728

摘要： 本發明提供一種由組成控制容易、且螢光特性優異之(Ca,Sr)AlSiN3：Eu螢光體形成之氮化物螢光體。本發明亦提供一種氮化物螢光體之製造方法，係於原料中用有氮化矽粉末，該氮化矽粉末之比表面積為5至35m2/g，且令存在粒子表面至粒子表面正下方3nm間之氧相對於氮化矽粉末之質量比例為FSO(質量%)，令存在粒子表面正下方3nm至內側之氧量相對於氮化矽粉末之質量比例為FIO(質量%)，令比表面積為FS(m2/g)時，FS/FSO((m2/g)/(質量%))係8至53，且FS/FIO((m2/g)/(質量%))係20以上，並且該氮化矽粉末可以(Ca1-x1-x2Srx1Eux2)aAlbSicN2a/3+b+4/3c表示(惟式中，0.49＜x1＜1.0，0.0＜x2＜0.02，0.9≦a≦1.1，0.9≦b≦1.1，0.9≦c≦1.1)。

简体摘要： 本发明提供一种由组成控制容易、且萤光特性优异之(Ca,Sr)AlSiN3：Eu萤光体形成之氮化物萤光体。本发明亦提供一种氮化物萤光体之制造方法，系于原料中用有氮化硅粉末，该氮化硅粉末之比表面积为5至35m2/g，且令存在粒子表面至粒子表面正下方3nm间之氧相对于氮化硅粉末之质量比例为FSO(质量%)，令存在粒子表面正下方3nm至内侧之氧量相对于氮化硅粉末之质量比例为FIO(质量%)，令比表面积为FS(m2/g)时，FS/FSO((m2/g)/(质量%))系8至53，且FS/FIO((m2/g)/(质量%))系20以上，并且该氮化硅粉末可以(Ca1-x1-x2Srx1Eux2)aAlbSicN2a/3+b+4/3c表示(惟式中，0.49＜x1＜1.0，0.0＜x2＜0.02，0.9≦a≦1.1，0.9≦b≦1.1，0.9≦c≦1.1)。

公开(公告)号：TW201348358A

公开(公告)日：2013-12-01

申请号：TW102107293

申请日：2013-03-01

申请人： SCG化學股份有限公司 ,  SCG CHEMICALS CO., LTD. ,  暹羅耐火材料工業股份有限公司 ,  SIAM REFRACTORY INDUSTRY CO., LTD.

发明人： 克雷門朗 頌沙克 ,  KLAMKLANG, SONGSAK ,  洽盧基傑皮帕 桑塔德 ,  CHARUKIJPIPAT, SUNTAD ,  帕拉什波羅 雷納龐 ,  PRASERTPHOL, THANAPONG ,  秦克摩蘇克 頌沙克 ,  CHINKOMOLSUK, SONGSAK ,  綏貝沙魏庫爾 頌凱特 ,  SUEBTHAWILKUL, SOMKEAT ,  佳文庫爾 陳微特 ,  CHAWENGKUL, CHANVIT

IPC分类号： C09D7/12 ,  C09D1/00 ,  C09D5/00

CPC分类号： C09K5/14 ,  C01G23/047 ,  C04B35/10 ,  C04B35/101 ,  C04B35/1015 ,  C04B35/46 ,  C04B35/62222 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/6306 ,  C04B35/6316 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/87 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3817 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C08K2003/2241 ,  C09D1/00 ,  C09D7/61 ,  F27D1/0006 ,  C04B35/00 ,  C04B41/4535 ,  C04B41/5033 ,  C04B41/5035 ,  C04B41/5041 ,  C04B41/5059

摘要： 二氧化鈦係作為高發射率塗層複合物之發射助劑，以增加該高發射率塗層複合物之發射率。本發明某些實施例中，二氧化鈦可自工業廢料來源加以取得，例如：從聚烯烴聚合過程或礦石來源提取之催化劑廢液或礦石來源加以取得；由工業廢料來源提取之二氧化鈦發射助劑可有效降低高發射率塗層複合物之產製成本。

简体摘要： 二氧化钛系作为高发射率涂层复合物之发射助剂，以增加该高发射率涂层复合物之发射率。本发明某些实施例中，二氧化钛可自工业废料来源加以取得，例如：从聚烯烃聚合过程或矿石来源提取之催化剂废液或矿石来源加以取得；由工业废料来源提取之二氧化钛发射助剂可有效降低高发射率涂层复合物之产制成本。

公开(公告)号：TWI369392B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：TW094126174

申请日：2005-08-02

申请人： 同和鑛業股份有限公司

发明人： 後藤昌大 ,  永富晶 ,  坂根堅之 ,  山下修次

IPC分类号： C09K ,  H01L ,  H05B

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/5436 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  H01J29/20 ,  H01J2329/00

摘要： 本發明之目的在於提供電子射線激發用之螢光體，係即便增加螢光體激發用之電子射線的激發密度，仍具有發光效率降低較少，且可維持高輝度。
準備原料的Ca3N2(2N)、AlN(3N)、Sl3N4(3N)、Eu2O3(3N)，且依各元素莫耳比為(Ca＋Eu)：Al：Si＝1：1：1之方式，進行秤取並混合，將該混合物在非活性環境中，於1500℃中保持3小時而進行燒成後，再經粉碎，便製得具有組成式Ca0.985SiAlN3：Eu0.015的螢光體。

简体摘要： 本发明之目的在于提供电子射线激发用之萤光体，系即便增加萤光体激发用之电子射线的激发密度，仍具有发光效率降低较少，且可维持高辉度。 准备原料的Ca3N2(2N)、AlN(3N)、Sl3N4(3N)、Eu2O3(3N)，且依各元素莫耳比为(Ca＋Eu)：Al：Si＝1：1：1之方式，进行秤取并混合，将该混合物在非活性环境中，于1500℃中保持3小时而进行烧成后，再经粉碎，便制得具有组成式Ca0.985SiAlN3：Eu0.015的萤光体。

公开(公告)号：TWI360890B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：TW094104668

申请日：2005-02-17

申请人： 皇家飛利浦電子股份有限公司 ,  飛利浦露明光學公司

发明人： 彼得J 史密特 ,  湯瑪斯 裘司托 ,  漢寧 霍皮 ,  沃夫根 史寧克

IPC分类号： H01L ,  C09K

CPC分类号： C09K11/7721 ,  C04B35/584 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3856 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明關於一種照明系統，其包括一輻射源以及一螢光材料，該材料包含至少一種磷光體(phosphor)，其能夠吸收由該輻射源所發射的光之一部分並且發射不同於該吸收光之波長的波長之光，其中該至少一種磷光體為一般化學式(RE1-z)2-aEAaSi4N6+aC1-a：Cez之一黃紅發射活性鈰碳化氮化矽酸鹽，其中0＜＝a

简体摘要： 本发明关于一种照明系统，其包括一辐射源以及一萤光材料，该材料包含至少一种磷光体(phosphor)，其能够吸收由该辐射源所发射的光之一部分并且发射不同于该吸收光之波长的波长之光，其中该至少一种磷光体为一般化学式(RE1-z)2-aEAaSi4N6+aC1-a：Cez之一黄红发射活性铈碳化氮化硅酸盐，其中0＜＝a<1，0

公开(公告)号：TWI355005B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：TW096106906

申请日：2007-03-01

申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司

发明人： 生澤正克 ,  矢作政隆

IPC分类号： H01B ,  C23C

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C23C14/086 ,  Y10T428/21

摘要： 一種氧化鋅系透明導電體，其特徵在於：以氧化鋅作為主成分，含有小於氧化鋅中之鋅的離子半徑且對氧化鋅為n型摻雜物之元素1~10原子%、及相對於該n型摻雜物之原子數比(氮/n型摻雜物)為0.3~0.6之氮。其目的在於開發不具有原料In(高價且有資源枯竭之虞)之透明導電體時，超越稱為單一摻雜法之習知開發方法的極限，且顯示可用以實現Co－doping理論之具體手段之摻雜物的選擇方針，提供一種低電阻率透明導電體。

简体摘要： 一种氧化锌系透明导电体，其特征在于：以氧化锌作为主成分，含有小于氧化锌中之锌的离子半径且对氧化锌为n型掺杂物之元素1~10原子%、及相对于该n型掺杂物之原子数比(氮/n型掺杂物)为0.3~0.6之氮。其目的在于开发不具有原料In(高价且有资源枯竭之虞)之透明导电体时，超越称为单一掺杂法之习知开发方法的极限，且显示可用以实现Co－doping理论之具体手段之掺杂物的选择方针，提供一种低电阻率透明导电体。

公开(公告)号：TW201033155A

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：TW098142556

申请日：2009-12-11

申请人： 住友化學股份有限公司

发明人： 魚江康輔 ,  鈴木敬一郎 ,  菅雅博 ,  吉野朝

IPC分类号： C04B ,  B22F

CPC分类号： C04B35/478 ,  B01D39/2075 ,  B01D2239/1241 ,  B01D2239/125 ,  C04B38/0006 ,  C04B2111/00198 ,  C04B2111/00793 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/448 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9615 ,  C04B38/0054 ,  C04B38/0074

摘要： 目的為提供可製造能壓低煅燒時的收縮率(煅燒收縮率)，同時耐熱分解性優異的由鈦酸鋁系陶瓷所成的燒成體之方法。本發明係鈦酸鋁系燒成體之製造方法，其具備將含有鋁源粉末、鈦源粉末及鎂源粉末的原料混合物之成形體煅燒的步驟，該鈦源粉末顯示特定的粒徑分布特性。在該原料混合物中，以Al2O3換算的鋁源粉末之莫耳量與以TiO2換算的鈦源粉末之莫耳量的比係35:65～45:55的範圍內，而且相對於以Al2O3換算的鋁源粉末之莫耳量與以TiO2換算的鈦源粉末之莫耳量的合計而言，以MgO換算的鎂源粉末之莫耳量的比係0.03～0.15的範圍內為佳。

简体摘要： 目的为提供可制造能压低煅烧时的收缩率(煅烧收缩率)，同时耐热分解性优异的由钛酸铝系陶瓷所成的烧成体之方法。本发明系钛酸铝系烧成体之制造方法，其具备将含有铝源粉末、钛源粉末及镁源粉末的原料混合物之成形体煅烧的步骤，该钛源粉末显示特定的粒径分布特性。在该原料混合物中，以Al2O3换算的铝源粉末之莫耳量与以TiO2换算的钛源粉末之莫耳量的比系35:65～45:55的范围内，而且相对于以Al2O3换算的铝源粉末之莫耳量与以TiO2换算的钛源粉末之莫耳量的合计而言，以MgO换算的镁源粉末之莫耳量的比系0.03～0.15的范围内为佳。

公开(公告)号：TW201031616A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：TW098137791

申请日：2009-11-06

申请人： 住友化學股份有限公司

发明人： 真木一 ,  魚江康輔 ,  岩崎健太郎

IPC分类号： C04B

CPC分类号： C04B35/478 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/448 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/9607

摘要： 本發明係以提供一種可製造熱膨脹係數較小的鈦酸鋁系陶瓷之新穎方法為目的。本發明為將含有鈦源粉末、鋁源粉末及矽源粉末之原材料混合物進行燒成製造鈦酸鋁系陶瓷之方法,以前述矽源粉末在體積基準下之累積百分率50%相當粒子徑(D50)為5���m以下為特徵之方法。本發明亦包含前述原材料混合物進一步含有鎂源粉末之方法。

简体摘要： 本发明系以提供一种可制造热膨胀系数较小的钛酸铝系陶瓷之新颖方法为目的。本发明为将含有钛源粉末、铝源粉末及硅源粉末之原材料混合物进行烧成制造钛酸铝系陶瓷之方法,以前述硅源粉末在体积基准下之累积百分率50%相当粒子径(D50)为5���m以下为特征之方法。本发明亦包含前述原材料混合物进一步含有镁源粉末之方法。

公开(公告)号：TW201026631A

公开(公告)日：2010-07-16

申请号：TW098129882

申请日：2009-09-04

申请人： 住友化學股份有限公司

发明人： 真木一 ,  鈴木敬一郎 ,  岩崎健太郎

IPC分类号： C04B

CPC分类号： C04B35/62655 ,  C04B35/478 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62807 ,  C04B35/62813 ,  C04B35/62823 ,  C04B35/632 ,  C04B38/0645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3218 ,  C04B2235/322 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3237 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/448 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9615 ,  C04B38/0054

摘要： 本發明係以提供製造鈦酸鋁、鈦酸鋁鎂等之鈦酸鋁系陶瓷之成形體時，可降低鈦酸鋁系陶瓷之成形體對原材料混合物之成形體之收縮率，降低所得之鈦酸鋁系陶瓷之成形體之熱膨脹係數之方法為目的。本發明係將含鈦源物質及鋁源物質之原材料混合物進行煅燒以製造鈦酸鋁系陶瓷之方法，前述鋁源物質之BET比表面積為0.1m 2 /g以上，5m 2 /g以下之方法。

简体摘要： 本发明系以提供制造钛酸铝、钛酸铝镁等之钛酸铝系陶瓷之成形体时，可降低钛酸铝系陶瓷之成形体对原材料混合物之成形体之收缩率，降低所得之钛酸铝系陶瓷之成形体之热膨胀系数之方法为目的。本发明系将含钛源物质及铝源物质之原材料混合物进行煅烧以制造钛酸铝系陶瓷之方法，前述铝源物质之BET比表面积为0.1m 2 /g以上，5m 2 /g以下之方法。

公开(公告)号：TW200927884A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：TW097133496

申请日：2008-09-01

申请人： 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

发明人： 彼得J 史密特 SCHMIDT, PETER J. ,  安德魯 塔克斯 TUECKS, ANDREAS

IPC分类号： C09K ,  H01L

CPC分类号： H05B33/14 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/6265 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/80 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734

摘要： 本發明係關於一種發光裝置,尤其具有基本組合物M1-yA2-xBxO2-2xN2+x:Euy的陶瓷複合材料之LED,其中M係選自包含Sr、Ca、Ba、Mg或其混合物之群,A係選自包含Si、Ge或其混合物之群,B係選自包含Al、B、Ga或其混合物之群,且x與y分別選自>0至≦1。經發現該材料為一種兩相組合物,一相係發琥珀色至紅色光之相,另一相係發青綠色至綠色光之相。

简体摘要： 本发明系关于一种发光设备,尤其具有基本组合物M1-yA2-xBxO2-2xN2+x:Euy的陶瓷复合材料之LED,其中M系选自包含Sr、Ca、Ba、Mg或其混合物之群,A系选自包含Si、Ge或其混合物之群,B系选自包含Al、B、Ga或其混合物之群,且x与y分别选自>0至≦1。经发现该材料为一种两相组合物,一相系发琥珀色至红色光之相,另一相系发青绿色至绿色光之相。

公开(公告)号：TW200746180A

公开(公告)日：2007-12-16

申请号：TW096106906

申请日：2007-03-01

申请人： 日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.

发明人： 生澤正克 IKISAWA, MASAKATSU ,  矢作政隆 YAHAGI, MASATAKA

IPC分类号： H01B ,  C23C

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C23C14/086 ,  Y10T428/21

摘要： 一種氧化鋅系透明導電體,其特徵在於:以氧化鋅作為主成分,含有小於氧化鋅中之鋅的離子半徑且對氧化鋅為n型摻雜物之元素1~10原子%、及相對於該n型摻雜物之原子數比(氮/n型摻雜物)為0.3~0.6之氮。其目的在於開發不具有原料In(高價且有資源枯竭之虞)之透明導電體時,超越稱為單一摻雜法之習知開發方法的極限,且顯示可用以實現Co-doping理論之具體手段之摻雜物的選擇方針,提供一種低電阻率透明導電體。

简体摘要： 一种氧化锌系透明导电体,其特征在于:以氧化锌作为主成分,含有小于氧化锌中之锌的离子半径且对氧化锌为n型掺杂物之元素1~10原子%、及相对于该n型掺杂物之原子数比(氮/n型掺杂物)为0.3~0.6之氮。其目的在于开发不具有原料In(高价且有资源枯竭之虞)之透明导电体时,超越称为单一掺杂法之习知开发方法的极限,且显示可用以实现Co-doping理论之具体手段之掺杂物的选择方针,提供一种低电阻率透明导电体。