公开(公告)号：TWI555710B

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW104117825

申请日：2011-07-11

申请人： 康寧公司 ,  CORNING INCORPORATED

发明人： 德奈卡馬修約翰 ,  DEJNEKA, MATTHEW JOHN ,  漢森班傑明傑恩 ,  HANSON, BENJAMIN ZAIN ,  凱撤湯瑪斯戴爾 ,  KETCHAM, THOMAS DALE

IPC分类号： C03B17/06 ,  C03B5/43 ,  C04B35/107

CPC分类号： C03B17/064 ,  C03B5/43 ,  C03C3/091 ,  C04B35/10 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/95 ,  Y02P40/57

公开(公告)号：TWI535083B

公开(公告)日：2016-05-21

申请号：TW102130264

申请日：2013-08-23

申请人： 佳能股份有限公司 ,  CANON KABUSHIKI KAISHA

发明人： 渡邉之 ,  WATANABE, TAKAYUKI ,  村上俊介 ,  MURAKAMI, SHUNSUKE ,  上田未紀 ,  UEDA, MIKI

IPC分类号： H01L41/187 ,  C04B35/495

CPC分类号： H01L41/1873 ,  B06B1/0611 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/85 ,  G02B27/0006 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/273 ,  H01L41/277 ,  H01L41/297 ,  H01L41/333 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163 ,  H02N2/183 ,  H04N5/2171 ,  H04N5/23209

公开(公告)号：TWI527784B

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW100106464

申请日：2011-02-25

申请人： 康寧公司 ,  CORNING INCORPORATED

发明人： 藍伯森麗莎安 ,  LAMBERSON, LISA ANN ,  莫雷納羅伯特麥可 ,  MORENA, ROBERT MICHAEL

IPC分类号： C04B35/505 ,  C04B35/657 ,  C03B17/00

CPC分类号： C04B35/447 ,  C03B17/064 ,  C03C3/16 ,  C03C14/004 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96

公开(公告)号：TW201527231A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103141036

申请日：2014-11-26

申请人： 康寧公司 ,  CORNING INCORPORATED

发明人： 柯達希拉瑞湯尼 ,  GODARD, HILARY TONY ,  凱撤湯瑪斯戴爾 ,  KETCHAM, THOMAS DALE ,  洛詩德詹姆士羅柏 ,  RUSTAD, JAMES ROBERT ,  湯納卡麥隆韋恩 ,  TANNER, CAMERON WAYNE ,  賈維思史考特麥可 ,  JARVIS, SCOTT MICHAEL

IPC分类号： C03B17/06 ,  C03B5/26 ,  C04B35/447 ,  C04B35/16 ,  C03B5/43

CPC分类号： C03B5/43 ,  C03B17/064 ,  C04B35/447 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/9669

摘要： 一種玻璃形成設備包含經配置以由一定量熔融玻璃形成玻璃帶之形成裝置。玻璃形成設備包括包含獨居石(REPO4)之耐火材料。在另一實例中，一種使用玻璃形成設備形成玻璃帶之方法包括以下步驟：使用包含含獨居石(REPO4)之耐火材料之耐火部件支撐一定量熔融玻璃。該方法進一步包括由一定量熔融玻璃形成玻璃帶之步驟。

简体摘要： 一种玻璃形成设备包含经配置以由一定量熔融玻璃形成玻璃带之形成设备。玻璃形成设备包括包含独居石(REPO4)之耐火材料。在另一实例中，一种使用玻璃形成设备形成玻璃带之方法包括以下步骤：使用包含含独居石(REPO4)之耐火材料之耐火部件支撑一定量熔融玻璃。该方法进一步包括由一定量熔融玻璃形成玻璃带之步骤。

公开(公告)号：TW201410903A

公开(公告)日：2014-03-16

申请号：TW102125629

申请日：2013-07-17

申请人： 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

发明人： 江端一晃 ,  EBATA, KAZUAKI ,  西村麻美 ,  NISHIMURA, MAMI ,  但馬望 ,  TAJIMA, NOZOMI

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 本發明係一種濺鍍靶材，其包含含有銦元素(In)、錫元素(Sn)、鋅元素(Zn)及鋁元素(Al)之氧化物，且包含以InAlO3(ZnO)m(m為0.1~10)所表示之同源結構化合物，上述銦元素、錫元素、鋅元素及鋁元素之原子比滿足特定之必要條件。

简体摘要： 本发明系一种溅镀靶材，其包含含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(Al)之氧化物，且包含以InAlO3(ZnO)m(m为0.1~10)所表示之同源结构化合物，上述铟元素、锡元素、锌元素及铝元素之原子比满足特定之必要条件。

公开(公告)号：TW201309616A

公开(公告)日：2013-03-01

申请号：TW101130510

申请日：2012-08-22

申请人： 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

发明人： 西村麻美 ,  NISHIMURA, MAMI ,  矢野公規 ,  YANO, KOKI ,  糸瀨將之 ,  ITOSE, MASAYUKI ,  笠見雅司 ,  KASAMI, MASASHI

IPC分类号： C04B35/01 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6455 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/94 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： 本發明之氧化物燒結體以下述區域(A)及(B)中所包含之原子比含有In、Ga、Sn及Zn。區域(A) 0.38≦In/(In+Ga+Sn)

简体摘要： 本发明之氧化物烧结体以下述区域(A)及(B)中所包含之原子比含有In、Ga、Sn及Zn。区域(A) 0.38≦In/(In+Ga+Sn)<0.70 0.05

公开(公告)号：TW201129709A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：TW099132611

申请日：2010-09-27

申请人： 烏明克公司

发明人： 麥德弗多夫斯基 尤金 ,  洋科夫 歐嘉 ,  斯普西 克里斯多夫

IPC分类号： C23C

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/34 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/784 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/9607 ,  C23C14/3414

摘要： 本發明說明一種濺射靶材，其包含具有氧化錫作為主要成分及介於0.5與15重量%之至少兩種其他氧化物之陶瓷體，該兩種其他氧化物中之一為氧化銻，靶材具有至少90％且較佳為至少95％之理論密度(TD)的密度及少於50歐姆‧公分之電阻係數，且靶材具有平面或旋轉組態，該組態具有至少10平方公分且較佳為至少20平方公分之濺射面積。亦說明一種根據包含以下步驟製造此濺射靶材之方法：-提供包含氧化錫及該至少兩種其他氧化物之漿料，-從該漿料成形生坯，且將該生坯乾燥，-將該生坯在介於1050與1250℃之溫度下燒成，藉此獲得預成形靶材，及-將該預成形靶材研磨成其最終尺寸。

简体摘要： 本发明说明一种溅射靶材，其包含具有氧化锡作为主要成分及介于0.5与15重量%之至少两种其他氧化物之陶瓷体，该两种其他氧化物中之一为氧化锑，靶材具有至少90％且较佳为至少95％之理论密度(TD)的密度及少于50欧姆‧公分之电阻系数，且靶材具有平面或旋转组态，该组态具有至少10平方公分且较佳为至少20平方公分之溅射面积。亦说明一种根据包含以下步骤制造此溅射靶材之方法：-提供包含氧化锡及该至少两种其他氧化物之浆料，-从该浆料成形生坯，且将该生坯干燥，-将该生坯在介于1050与1250℃之温度下烧成，借此获得预成形靶材，及-将该预成形靶材研磨成其最终尺寸。

公开(公告)号：TW201038506A

公开(公告)日：2010-11-01

申请号：TW098145081

申请日：2009-12-25

申请人： 住友化學股份有限公司

发明人： 魚江康輔 ,  鈴木敬一郎 ,  菅雅博 ,  吉野朝

IPC分类号： C04B

CPC分类号： C04B35/478 ,  C04B35/6264 ,  C04B38/0006 ,  C04B2111/00793 ,  C04B2111/0081 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3472 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B38/068

摘要： 本發明之目的為,提供製造具有優良耐熱分解性及較高機械强度,由鈦酸鋁系陶瓷形成的燒成體之方法。本發明為具備將含有鋁源粉末及鈦源粉末之原料混合物的成形體進行燒成的步驟,又該鋁源粉末符合下述式(1)之鈦酸鋁系燒成體的製造方法。式中,D90為相當於體積基準之累積百分率90%的粒徑,D10為相當於體積基準之累積百分率10%的粒徑,此等係由利用雷射繞射法測定之鋁源粉末的粒度分布求取。(D90/D10)1/2≧2 (1)

简体摘要： 本发明之目的为,提供制造具有优良耐热分解性及较高机械强度,由钛酸铝系陶瓷形成的烧成体之方法。本发明为具备将含有铝源粉末及钛源粉末之原料混合物的成形体进行烧成的步骤,又该铝源粉末符合下述式(1)之钛酸铝系烧成体的制造方法。式中,D90为相当于体积基准之累积百分率90%的粒径,D10为相当于体积基准之累积百分率10%的粒径,此等系由利用激光绕射法测定之铝源粉末的粒度分布求取。(D90/D10)1/2≧2 (1)

公开(公告)号：TW200948746A

公开(公告)日：2009-12-01

申请号：TW098100654

申请日：2009-01-09

申请人： 住友化學股份有限公司

发明人： 真木一 ,  當間哲朗 ,  鳴海雅之

IPC分类号： C04B

CPC分类号： C01G23/003 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/12 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/14 ,  C04B35/478 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/6269 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3472 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/81

摘要： 本發明係以追求微粒鈦酸鋁系陶瓷的有效利用、得到BET比表面積小，且碎解為粉末狀時，細孔容量為小的鈦酸鋁系陶瓷為目的。使微粒鈦酸鋁系陶瓷、二氧化鈦源及氧化鋁源、依情況混和有氧化鎂源或二氧化矽源的前驅物混合物、或微粒鈦酸鋁系陶瓷粉末本身，較佳為進行成形後，以粉末狀態或成形體狀態進行燒成以製造鈦酸鋁系陶瓷。

简体摘要： 本发明系以追求微粒钛酸铝系陶瓷的有效利用、得到BET比表面积小，且碎解为粉末状时，细孔容量为小的钛酸铝系陶瓷为目的。使微粒钛酸铝系陶瓷、二氧化钛源及氧化铝源、依情况混和有氧化镁源或二氧化硅源的前驱物混合物、或微粒钛酸铝系陶瓷粉末本身，较佳为进行成形后，以粉末状态或成形体状态进行烧成以制造钛酸铝系陶瓷。

公开(公告)号：TW200946693A

公开(公告)日：2009-11-16

申请号：TW098102298

申请日：2009-01-21

申请人： 住友化學股份有限公司

发明人： 當間哲朗 ,  鈴木敬一郎 ,  岩戶聰子 ,  八手又梨奈

IPC分类号： C22C

CPC分类号： C01G23/003 ,  C01P2006/32 ,  C04B35/478 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3472 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/9607

摘要： 目的以提供一種可於低於1500℃之燒成溫度下，製造熱膨脹係數小的鈦酸鋁鎂之方法。本發明之製造方法，其特徵為將含有二氧化鈦源粉末、氧化鋁源粉末、氧化鎂源粉末及二氧化矽源粉末的前驅體混合物保持在1100℃～1350℃的溫度範圍3小時以上後，升溫至1400℃以上的溫度，且於同溫度下進行燒成。二氧化矽源粉末以鹼長石的粉末為佳。藉由本發明之製造方法製得鈦酸鋁鎂，且將所得之鈦酸鋁鎂予以粉碎可製造鈦酸鋁鎂粉末。

简体摘要： 目的以提供一种可于低于1500℃之烧成温度下，制造热膨胀系数小的钛酸铝镁之方法。本发明之制造方法，其特征为将含有二氧化钛源粉末、氧化铝源粉末、氧化镁源粉末及二氧化硅源粉末的前驱体混合物保持在1100℃～1350℃的温度范围3小时以上后，升温至1400℃以上的温度，且于同温度下进行烧成。二氧化硅源粉末以碱长石的粉末为佳。借由本发明之制造方法制得钛酸铝镁，且将所得之钛酸铝镁予以粉碎可制造钛酸铝镁粉末。