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公开(公告)号：TWI614905B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW105122073
申请日：2010-03-05
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC: H01L29/786 , H01L29/40 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42356 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TWI613829B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106129028
申请日：2010-07-27
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 桑原秀明 , KUWABARA, HIDEAKI
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78606 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/1345 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F1/167 , G02F2001/13606 , G02F2201/123 , G09G3/344 , G09G3/3677 , G09G2300/0426 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1274 , H01L27/3262 , H01L29/45 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TWI605601B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW106108355
申请日：2010-07-27
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 桑原秀明 , KUWABARA, HIDEAKI
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78606 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/1345 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F1/167 , G02F2001/13606 , G02F2201/123 , G09G3/344 , G09G3/3677 , G09G2300/0426 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1274 , H01L27/3262 , H01L29/45 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TWI604594B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106103316
申请日：2010-07-26
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI , 高橋辰也 , TAKAHASHI, TATSUYA
IPC: H01L27/088 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L21/84 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/32 , H01L27/3248 , H01L29/45
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公开(公告)号：TW201739058A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106122257
申请日：2009-12-17
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小山潤 , KOYAMA, JUN , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 丸山哲紀 , MARUYAMA, TETSUNORI , 井本裕己 , IMOTO, YUKI , 淺野裕治 , ASANO, YUJI , 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L49/02 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L28/20 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 在用作電阻器(354)的氧化物半導體層(905)上直接接觸地設置利用使用含有矽烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氫化合物的氣體的電漿CVD法而形成的氮化矽層(910)，並且在用作薄膜電晶體(355)的氧化物半導體層(906)上隔著用作緩衝層的氧化矽層(909)地設置氮化矽層(910)。因此，對氧化物半導體層(905)引入比氧化物半導體層(906)更高濃度的氫。其結果，用作電阻器(354)的氧化物半導體層(905)的電阻值低於用作薄膜電晶體(355)的氧化物半導體層(906)的電阻值。
Abstract in simplified Chinese: 在用作电阻器(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作缓冲层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻器(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI602304B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW105127071
申请日：2010-12-09
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 丸山哲紀 , MARUYAMA, TETSUNORI , 井本裕己 , IMOTO, YUKI
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/124 , H01L29/24
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公开(公告)号：TWI596706B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW105103565
申请日：2010-09-13
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 渡邊了介 , WATANABE, RYOSUKE , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC: H01L21/77 , H01L29/04 , H01L21/786 , H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/00
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TW201727923A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW106108355
申请日：2010-07-27
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 桑原秀明 , KUWABARA, HIDEAKI
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78606 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/1345 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F1/167 , G02F2001/13606 , G02F2201/123 , G09G3/344 , G09G3/3677 , G09G2300/0426 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1274 , H01L27/3262 , H01L29/45 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本發明的目的之一是提供一種具備可以有效地降低佈線之間的寄生電容的結構的半導體裝置。在使用氧化物半導體層的底閘結構的薄膜電晶體中，以與重疊於閘極電極層的氧化物半導體層的一部分上接觸的方式形成用作通道保護層的氧化物絕緣層，當形成該氧化物絕緣層時形成覆蓋氧化物半導體層的疊層的邊緣部(包括側面)的氧化物絕緣層。另外，不與通道保護層重疊地形成源極電極層及汲極電極層，以採用源極電極層及汲極電極層上的絕緣層與氧化物半導體層接觸的結構。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是提供一种具备可以有效地降低布线之间的寄生电容的结构的半导体设备。在使用氧化物半导体层的底闸结构的薄膜晶体管中，以与重叠于闸极电极层的氧化物半导体层的一部分上接触的方式形成用作信道保护层的氧化物绝缘层，当形成该氧化物绝缘层时形成覆盖氧化物半导体层的叠层的边缘部(包括侧面)的氧化物绝缘层。另外，不与信道保护层重叠地形成源极电极层及汲极电极层，以采用源极电极层及汲极电极层上的绝缘层与氧化物半导体层接触的结构。
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公开(公告)号：TWI585856B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105106316
申请日：2009-11-11
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU
IPC: H01L21/316 , H01L21/283 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L21/28079 , H01L21/28158 , H01L29/04 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78693
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公开(公告)号：TWI582855B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104135834
申请日：2010-06-28
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 大原宏樹 , OHARA, HIROKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC: H01L21/336 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02664 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696
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