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公开(公告)号：TWI539220B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW104124248
申请日：2010-10-05
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 荒澤亮 , ARASAWA, RYO , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 野田耕生 , NODA, KOSEI
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L29/786 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3614 , G02F1/133553 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F2201/123 , G02F2202/10 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2300/08 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G09G2330/021 , H01L21/02164 , H01L21/02266 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/467 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TW201613108A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104135828
申请日：2011-02-15
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 野田耕生 , NODA, KOSEI
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/00
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/156
Abstract: 盡可能減少在帶隙中之帶尾能態及缺陷，藉此減少在帶隙附近或少於或等於帶隙之能量的光學吸收。在該情況中，不藉由僅優化製造氧化物半導體膜之條件，但藉由使氧化物半導體為實質上本質半導體或極接近實質上本質半導體，減少照射光作用於其上之缺陷並基本上減少光照射的效應。亦即，即使在以1×1013光子/cm2‧sec傳遞具有350nm之波長的光之情況中，使用氧化物半導體來形成之電晶體的通道區域，其中臨限電壓之變動量的絕對值少於或等於0.65V。
Abstract in simplified Chinese: 尽可能减少在带隙中之带尾能态及缺陷，借此减少在带隙附近或少于或等于带隙之能量的光学吸收。在该情况中，不借由仅优化制造氧化物半导体膜之条件，但借由使氧化物半导体为实质上本质半导体或极接近实质上本质半导体，减少照射光作用于其上之缺陷并基本上减少光照射的效应。亦即，即使在以1×1013光子/cm2‧sec传递具有350nm之波长的光之情况中，使用氧化物半导体来形成之晶体管的信道区域，其中临限电压之变动量的绝对值少于或等于0.65V。
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公开(公告)号：TWI527223B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW100117406
申请日：2011-05-18
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 野田耕生 , NODA, KOSEI , 佐藤瑞穗 , SATO, MIZUHO
CPC classification number: H01L21/02554 , H01L21/02488 , H01L21/02664 , H01L27/1225 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TWI518914B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW100104910
申请日：2011-02-15
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 野田耕生 , NODA, KOSEI
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/00
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/156
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公开(公告)号：TW201603147A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104129345
申请日：2011-08-04
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 野田耕生 , NODA, KOSEI , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02164 , H01L21/465 , H01L21/477 , H01L22/10 , H01L29/401 , H01L29/4908 , H01L29/78603 , H01L29/7869
Abstract: 本發明係關於半導體裝置的製造方法。製造具有優良的電特性的電晶體。在基板之上形成氧化物絕緣膜，在該氧化物絕緣膜之上形成氧化物半導體膜，然後在使氧化物半導體膜中所含有的氫脫附並且使氧化物絕緣膜中所含有的部分氧脫附的溫度下執行熱處理，然後將所加熱的氧化物半導體膜蝕刻成預定形狀以形成島形氧化物半導體膜，在該島形氧化物半導體膜之上形成電極對，在該電極對和島形氧化物半導體膜之上形成閘極絕緣膜，以及在閘極絕緣膜之上形成閘極電極。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于半导体设备的制造方法。制造具有优良的电特性的晶体管。在基板之上形成氧化物绝缘膜，在该氧化物绝缘膜之上形成氧化物半导体膜，然后在使氧化物半导体膜中所含有的氢脱附并且使氧化物绝缘膜中所含有的部分氧脱附的温度下运行热处理，然后将所加热的氧化物半导体膜蚀刻成预定形状以形成岛形氧化物半导体膜，在该岛形氧化物半导体膜之上形成电极对，在该电极对和岛形氧化物半导体膜之上形成闸极绝缘膜，以及在闸极绝缘膜之上形成闸极电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201547031A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104129178
申请日：2010-10-08
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 高橋圭 , TAKAHASHI, KEI , 豐高耕平 , TOYOTAKA, KOUHEI , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 野田耕生 , NODA, KOSEI , 桑原秀明 , KUWABARA, HIDEAKI
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/20
CPC classification number: H01L29/26 , G06K19/07758 , G11C7/00 , G11C19/28 , H01L21/8236 , H01L23/66 , H01L27/0883 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78609 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L2223/6677 , H02M3/07
Abstract: 本發明的課題之一是降低用於LSI、CPU或記憶體的電晶體的漏電流及寄生電容。使用如下薄膜電晶體來製造LSI、CPU或記憶體等的半導體積體電路，在上述薄膜電晶體中，去掉氧化物半導體中的成為電子給體(施體)的雜質，利用所得到的本徵或者實際上本徵的其能隙大於矽半導體的氧化物半導體來形成通道區。使用氫濃度被充分地降低而被高純度化的氧化物半導體層形成的薄膜電晶體可以實現由漏電流引起的耗電少的半導體裝置。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题之一是降低用于LSI、CPU或内存的晶体管的漏电流及寄生电容。使用如下薄膜晶体管来制造LSI、CPU或内存等的半导体集成电路，在上述薄膜晶体管中，去掉氧化物半导体中的成为电子给体(施体)的杂质，利用所得到的本征或者实际上本征的其能隙大于硅半导体的氧化物半导体来形成信道区。使用氢浓度被充分地降低而被高纯度化的氧化物半导体层形成的薄膜晶体管可以实现由漏电流引起的耗电少的半导体设备。
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公开(公告)号：TW201541166A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104124248
申请日：2010-10-05
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 荒澤亮 , ARASAWA, RYO , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 野田耕生 , NODA, KOSEI
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L29/786 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3614 , G02F1/133553 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F2201/123 , G02F2202/10 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2300/08 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G09G2330/021 , H01L21/02164 , H01L21/02266 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/467 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/7869
Abstract: 在於顯示部中包括複數像素而用以於複數框週期中執行顯示的液晶顯示裝置中，每一該框週期包括寫入週期及保持週期，及在影像信號於該寫入週期中輸入至每一該複數像素之後，每一該複數像素中所包括之電晶體被關閉，且該影像信號於該保持週期中保持達至少30秒。該像素包括具氧化物半導體層之半導體層，且該氧化物半導體層具有少於1×1014/cm3之載子濃度。
Abstract in simplified Chinese: 在于显示部中包括复数像素而用以于复数框周期中运行显示的液晶显示设备中，每一该框周期包括写入周期及保持周期，及在影像信号于该写入周期中输入至每一该复数像素之后，每一该复数像素中所包括之晶体管被关闭，且该影像信号于该保持周期中保持达至少30秒。该像素包括具氧化物半导体层之半导体层，且该氧化物半导体层具有少于1×1014/cm3之载子浓度。
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公开(公告)号：TW201445744A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW103128650
申请日：2010-09-28
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 野田耕生 , NODA, KOSEI
CPC classification number: H01L27/1225 , B82Y30/00 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/45 , H01L29/4908
Abstract: 所揭示的係為高度可靠的半導體裝置及其製造方法，其藉由使用具有令人滿意的電特性和高度可靠性之電晶體作為交換元件來達成。該半導體裝置包括驅動器電路部和像素部在一基板上，及該像素部包含透光底閘極電晶體。該透光底閘極電晶體包含：透明閘極電極層；氧化物半導體層，其在該閘極電極層上，該氧化物半導體層的表層包含奈米晶體的微晶群；以及源極和汲極電極層，其形成在該氧化物半導體層上，該源極和汲極電極層包含透光氧化物導電層。
Abstract in simplified Chinese: 所揭示的系为高度可靠的半导体设备及其制造方法，其借由使用具有令人满意的电特性和高度可靠性之晶体管作为交换组件来达成。该半导体设备包括驱动器电路部和像素部在一基板上，及该像素部包含透光底闸极晶体管。该透光底闸极晶体管包含：透明闸极电极层；氧化物半导体层，其在该闸极电极层上，该氧化物半导体层的表层包含奈米晶体的微晶群；以及源极和汲极电极层，其形成在该氧化物半导体层上，该源极和汲极电极层包含透光氧化物导电层。
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公开(公告)号：TW201415439A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102142999
申请日：2010-10-13
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 野田耕生 , NODA, KOSEI
IPC: G09G3/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1255 , G09G3/20 , G09G3/2092 , G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G3/36 , G09G3/3648 , G09G2300/0439 , G09G2300/08 , G09G2300/0842 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G11C19/184 , G11C19/28 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869 , H03K17/161 , H03K19/00315 , H03K19/096
Abstract: 降低電晶體的漏電流，使得邏輯電路的故障可受抑制。該邏輯電路包括電晶體，其包括氧化物半導體層，該氧化物半導體層具有通道形成層之功能且在其中截止電流為每微米通道寬度1×10-13A。將作為輸入訊號之第一訊號、第二訊號、以及係時脈訊號的第三訊號輸入。將作為輸出訊號之彼等的電壓狀態係依據已輸入之該等第一至第三訊號設定的第四及第五訊號輸出。
Abstract in simplified Chinese: 降低晶体管的漏电流，使得逻辑电路的故障可受抑制。该逻辑电路包括晶体管，其包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层具有信道形成层之功能且在其中截止电流为每微米信道宽度1×10-13A。将作为输入信号之第一信号、第二信号、以及系时脉信号的第三信号输入。将作为输出信号之彼等的电压状态系依据已输入之该等第一至第三信号设置的第四及第五信号输出。
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公开(公告)号：TW201351833A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102111183
申请日：2013-03-28
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 野村真澄 , NOMURA, MASUMI , 野田耕生 , NODA, KOSEI
CPC classification number: H02J7/0031 , H02J7/0068 , H02J2007/0037
Abstract: 本發明的目的之一是提供一種降低了電池組的保護電路中的電流截斷用開關所使用的電晶體的洩漏電流的安全且長使用壽命的保護電路模塊及電池組。本發明的一個方式是一種保護電路模塊，其包括保護電路、充電控制用開關以及放電控制用開關。充電控制用開關及放電控制用開關與保護電路電連接。保護電路檢測二次電池的電壓並將其與預定電壓進行比較，並根據上述比較結果對充電控制用開關或放電控制用開關輸出控制信號，以便使充電控制用開關或放電控制用開關變為開啟或關閉。充電控制用開關及放電控制用開關具有：包括氧化物半導體的電晶體；以及與包括氧化物半導體的電晶體並聯的二極管。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是提供一种降低了电池组的保护电路中的电流截断用开关所使用的晶体管的泄漏电流的安全且长使用寿命的保护电路模块及电池组。本发明的一个方式是一种保护电路模块，其包括保护电路、充电控制用开关以及放电控制用开关。充电控制用开关及放电控制用开关与保护电路电连接。保护电路检测二次电池的电压并将其与预定电压进行比较，并根据上述比较结果对充电控制用开关或放电控制用开关输出控制信号，以便使充电控制用开关或放电控制用开关变为打开或关闭。充电控制用开关及放电控制用开关具有：包括氧化物半导体的晶体管；以及与包括氧化物半导体的晶体管并联的二极管。
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