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    半導體裝置及顯示裝置
    86.
    发明专利
    半導體裝置及顯示裝置 审中-公开
    半导体设备及显示设备

    公开(公告)号：TW202005096A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108122347

    申请日：2013-07-18

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 肥栃純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  林克明 ,  TOCHIBAYASHI, KATSUAKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/31

    摘要： 本發明的一個方式抑制在將氧化物半導體用於半導體膜的電晶體上包括層間絕緣膜的半導體裝置的電特性的變動。本發明的一個方式包括：在半導體膜上的由源極電極及汲極電極形成的步階區域具有空隙部，且作為成分包含氧化矽的第一絕緣膜；以及以堵住第一絕緣膜的空隙部的方式與第一絕緣膜接觸地設置且作為成分包含氮化矽的第二絕緣膜。藉由採用該結構，可以防止產生在第一絕緣膜中的空隙部進一步擴大到外側。

    简体摘要： 本发明的一个方式抑制在将氧化物半导体用于半导体膜的晶体管上包括层间绝缘膜的半导体设备的电特性的变动。本发明的一个方式包括：在半导体膜上的由源极电极及汲极电极形成的步阶区域具有空隙部，且作为成分包含氧化硅的第一绝缘膜；以及以堵住第一绝缘膜的空隙部的方式与第一绝缘膜接触地设置且作为成分包含氮化硅的第二绝缘膜。借由采用该结构，可以防止产生在第一绝缘膜中的空隙部进一步扩大到外侧。