晶片承載器及其晶片封裝結構 CHIP CARRIER AND CHIP PACKAGE STRUCTURE USING THE SAME
    2.
    发明专利
    晶片承載器及其晶片封裝結構 CHIP CARRIER AND CHIP PACKAGE STRUCTURE USING THE SAME 审中-公开
    芯片承载器及其芯片封装结构 CHIP CARRIER AND CHIP PACKAGE STRUCTURE USING THE SAME

    公开(公告)号:TW200939408A

    公开(公告)日:2009-09-16

    申请号:TW097107616

    申请日:2008-03-05

    IPC分类号: H01L

    摘要: 本發明揭露一種晶片承載器及晶片封裝結構。晶片承載器包含可撓性基材層、第一引腳、第二引腳、第一以及第二測試墊。可撓性基材層包含功能區、晶片接合區、第一以及第二測試墊區。第一測試墊區設置於功能區之二相對側邊,且第一測試墊相鄰排列於第一測試墊區內。第一引腳由晶片接合區內延伸至第一測試墊區內分別連接第一測試墊。第二測試墊區設置於第一測試墊區外側,較第一測試墊區遠離功能區,且第二測試墊相鄰排列於第二測試墊區內。此外,第二引腳由晶片接合區內延伸經過第一測試墊區至第二測試墊區內分別連接第二測試墊。

    简体摘要: 本发明揭露一种芯片承载器及芯片封装结构。芯片承载器包含可挠性基材层、第一引脚、第二引脚、第一以及第二测试垫。可挠性基材层包含功能区、芯片接合区、第一以及第二测试垫区。第一测试垫区设置于功能区之二相对侧边,且第一测试垫相邻排列于第一测试垫区内。第一引脚由芯片接合区内延伸至第一测试垫区内分别连接第一测试垫。第二测试垫区设置于第一测试垫区外侧,较第一测试垫区远离功能区,且第二测试垫相邻排列于第二测试垫区内。此外,第二引脚由芯片接合区内延伸经过第一测试垫区至第二测试垫区内分别连接第二测试垫。

    整合RFID的晶圓測試系統及其測試方法 A WAFER TESTING SYSTEM INTEGRATED WITH RFID TECHNIQUES AND TESTING METHOD THEREOF
    3.
    发明专利
    整合RFID的晶圓測試系統及其測試方法 A WAFER TESTING SYSTEM INTEGRATED WITH RFID TECHNIQUES AND TESTING METHOD THEREOF 审中-公开
    集成RFID的晶圆测试系统及其测试方法 A WAFER TESTING SYSTEM INTEGRATED WITH RFID TECHNIQUES AND TESTING METHOD THEREOF

    公开(公告)号:TW200935533A

    公开(公告)日:2009-08-16

    申请号:TW097105113

    申请日:2008-02-14

    IPC分类号: H01L

    CPC分类号: G01R31/01 G01R31/2893

    摘要: 本發明揭露一種整合無線射頻辨識(RFID)之晶圓測試系統及其測試方法,此整合RFID之晶圓測試系統至少包括:一晶圓待測區,存放具有多個晶圓之載具,而載具設置有RFID標籤;一探針機台,至少具有一運動平台、一探針卡夾持機構與一探針卡,運動平台係提供X-Y-Z三軸之移動以承載一受測之晶圓,探針卡係夾持固定於探針卡夾持機構;一測試機台,輸入測試信號至探針機台以進行晶圓之測試,測試完後呼叫一介面程式以將晶圓之測試結果轉換為一特定資料格式之檔案;其特徵在於上述載具設置有至少一RFID標籤;上述探針機台設置有一RFID讀取機,以讀取來自RFID標籤所儲存之標籤訊息;一RFID中介平台,藉由讀取標籤訊息,並呼叫相關應用程式以產生一對應之晶圓訊息;一資料分析系統,接收來自介面程式所轉換之特定資料格式之檔案,加以運算處理以產生晶圓測試後之良率訊息;以及一製程資訊系統,用以整合該RFID中介平台之晶圓訊息及EDA系統之良率訊息,據此可即時監控以晶圓為主之製程與良率。

    简体摘要: 本发明揭露一种集成无线射频辨识(RFID)之晶圆测试系统及其测试方法,此集成RFID之晶圆测试系统至少包括:一晶圆待测区,存放具有多个晶圆之载具,而载具设置有RFID标签;一探针机台,至少具有一运动平台、一探针卡夹持机构与一探针卡,运动平台系提供X-Y-Z三轴之移动以承载一受测之晶圆,探针卡系夹持固定于探针卡夹持机构;一测试机台,输入测试信号至探针机台以进行晶圆之测试,测试完后调用一界面进程以将晶圆之测试结果转换为一特定数据格式之文档;其特征在于上述载具设置有至少一RFID标签;上述探针机台设置有一RFID读取机,以读取来自RFID标签所存储之标签消息;一RFID中介平台,借由读取标签消息,并调用相关应用进程以产生一对应之晶圆消息;一数据分析系统,接收来自界面进程所转换之特定数据格式之文档,加以运算处理以产生晶圆测试后之良率消息;以及一制程信息系统,用以集成该RFID中介平台之晶圆消息及EDA系统之良率消息,据此可实时监控以晶圆为主之制程与良率。

    具有凸塊之晶圓結構及形成方法 WAFER WITH BUMP STRUCTURE AND THE FORMING METHOD THEREOF
    4.
    发明专利
    具有凸塊之晶圓結構及形成方法 WAFER WITH BUMP STRUCTURE AND THE FORMING METHOD THEREOF 审中-公开
    具有凸块之晶圆结构及形成方法 WAFER WITH BUMP STRUCTURE AND THE FORMING METHOD THEREOF

    公开(公告)号:TW200933853A

    公开(公告)日:2009-08-01

    申请号:TW097102605

    申请日:2008-01-24

    IPC分类号: H01L

    CPC分类号: H01L2224/11

    摘要: 一種具有凸塊之晶圓結構,包含:一晶圓,其上配置有複數個晶粒及每一顆晶粒上具有複數個焊墊;複數個高分子凸塊,係配置在每一顆晶粒之焊墊上並曝露出部份的焊墊;一UBM層,形成在每一高分子凸塊上及覆蓋住曝露出部份的該焊墊;及一導電層,包覆在UBM層的表面上,且藉由UBM層與複數個焊墊形成電性連接。

    简体摘要: 一种具有凸块之晶圆结构,包含:一晶圆,其上配置有复数个晶粒及每一颗晶粒上具有复数个焊垫;复数个高分子凸块,系配置在每一颗晶粒之焊垫上并曝露出部份的焊垫;一UBM层,形成在每一高分子凸块上及覆盖住曝露出部份的该焊垫;及一导电层,包覆在UBM层的表面上,且借由UBM层与复数个焊垫形成电性连接。

    覆晶式四方扁平無引腳型態封裝結構及其製程 FLIP CHIP QUAD FLAT NON-LEADED PACKAGE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    5.
    发明专利
    覆晶式四方扁平無引腳型態封裝結構及其製程 FLIP CHIP QUAD FLAT NON-LEADED PACKAGE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
    覆晶式四方扁平无引脚型态封装结构及其制程 FLIP CHIP QUAD FLAT NON-LEADED PACKAGE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

    公开(公告)号:TW200933846A

    公开(公告)日:2009-08-01

    申请号:TW097103470

    申请日:2008-01-30

    IPC分类号: H01L

    CPC分类号: H01L2224/16225

    摘要: 一種覆晶式四方扁平無引腳型態封裝製程。首先,提供一輔助基板。然後,在輔助基板上形成多個引腳。接著,形成一介電層,以覆蓋輔助基板,且至少暴露出這些引腳的上表面。之後,在介電層上形成重配置線路層,而重配置線路層包含多個焊墊以及多條連接這些焊墊和這些引腳的上表面的導線。隨後,形成一防焊層,覆蓋重配置線路層、介電層與這些引腳,且防焊層暴露出這些焊墊的表面。繼之,在防焊層上形成黏著層。之後,提供一晶片,晶片上具有凸塊。而且,藉由黏著層使晶片貼附於防焊層上,以使各凸塊分別與其中一個焊墊電性連接。

    简体摘要: 一种覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程。首先,提供一辅助基板。然后,在辅助基板上形成多个引脚。接着,形成一介电层,以覆盖辅助基板,且至少暴露出这些引脚的上表面。之后,在介电层上形成重配置线路层,而重配置线路层包含多个焊垫以及多条连接这些焊垫和这些引脚的上表面的导线。随后,形成一防焊层,覆盖重配置线路层、介电层与这些引脚,且防焊层暴露出这些焊垫的表面。继之,在防焊层上形成黏着层。之后,提供一芯片,芯片上具有凸块。而且,借由黏着层使芯片贴附于防焊层上,以使各凸块分别与其中一个焊垫电性连接。

    用於一半導體裝置之成形方法及半導體裝置 MANUFACTURING METHOD ADAPTED FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
    6.
    发明专利
    用於一半導體裝置之成形方法及半導體裝置 MANUFACTURING METHOD ADAPTED FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    用于一半导体设备之成形方法及半导体设备 MANUFACTURING METHOD ADAPTED FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

    公开(公告)号:TW200929399A

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:TW096149687

    申请日:2007-12-24

    IPC分类号: H01L

    CPC分类号: H01L2224/16145

    摘要: 本發明係用於一半導體裝置之成形方法,包含下列步驟:形成一導電凸塊於一底材之一表面;形成一介電層於導電凸塊之一周圍表面;設置底材於一基材之一表面,使具有介電層之導電凸塊適容置於基材之一通孔;去除底材。所形成之半導體裝置便包含基材、半導體積體電路及一導電結構。通孔貫設於基材中,半導體積體電路設置於基材中,導電結構設置於通孔中,以與半導體積體電路電性連接。導電結構包含導電凸塊以及介電層。導電凸塊之縱向尺寸大於通孔之縱向尺寸。介電層僅包覆於導電凸塊之周圍表面或更包覆於基材之部分表面上。

    简体摘要: 本发明系用于一半导体设备之成形方法,包含下列步骤:形成一导电凸块于一底材之一表面;形成一介电层于导电凸块之一周围表面;设置底材于一基材之一表面,使具有介电层之导电凸块适容置于基材之一通孔;去除底材。所形成之半导体设备便包含基材、半导体集成电路及一导电结构。通孔贯设于基材中,半导体集成电路设置于基材中,导电结构设置于通孔中,以与半导体集成电路电性连接。导电结构包含导电凸块以及介电层。导电凸块之纵向尺寸大于通孔之纵向尺寸。介电层仅包覆于导电凸块之周围表面或更包覆于基材之部分表面上。

    模組化之多晶粒封裝結構及其方法 MULTICHIP PACKAGE STRUCTURE AND THE FORMING METHOD THEREOF
    9.
    发明专利
    模組化之多晶粒封裝結構及其方法 MULTICHIP PACKAGE STRUCTURE AND THE FORMING METHOD THEREOF 审中-公开
    模块化之多晶粒封装结构及其方法 MULTICHIP PACKAGE STRUCTURE AND THE FORMING METHOD THEREOF

    公开(公告)号:TW200924133A

    公开(公告)日:2009-06-01

    申请号:TW096145579

    申请日:2007-11-30

    IPC分类号: H01L

    摘要: 一種模組化之多晶粒封裝結構,包括:複數個晶粒,每一晶粒具有一主動面且主動面上配置體複數個焊墊;一封裝體,係環覆於每一晶粒之五個面且曝露出每一晶粒之主動面及每一焊墊;複數個圖案化之金屬線段,部份圖案化之金屬線段之兩端電性連接複數個晶粒之主動面上的複數個焊墊,而部份圖案化之金屬線段之一端電性連接複數個晶粒之主動面上之複數個焊墊;一圖案化之保護層,係覆蓋複數個圖案化之金屬線段並曝露部份圖案化之金屬線段之另一端;複數個導電元件,係將複數個導電元件電性連接在已曝露之每一圖案化之金屬線段之另一端上;及一散熱裝置,係形成於封裝體之一背面上。

    简体摘要: 一种模块化之多晶粒封装结构,包括:复数个晶粒,每一晶粒具有一主动面且主动面上配置体复数个焊垫;一封装体,系环覆于每一晶粒之五个面且曝露出每一晶粒之主动面及每一焊垫;复数个图案化之金属线段,部份图案化之金属线段之两端电性连接复数个晶粒之主动面上的复数个焊垫,而部份图案化之金属线段之一端电性连接复数个晶粒之主动面上之复数个焊垫;一图案化之保护层,系覆盖复数个图案化之金属线段并曝露部份图案化之金属线段之另一端;复数个导电组件,系将复数个导电组件电性连接在已曝露之每一图案化之金属线段之另一端上;及一散热设备,系形成于封装体之一背面上。

    晶粒重新配置之封裝結構中使用順應層之製造方法 CDIM-COMPLIANT BUMP ON CDIM STRUCTURE
    10.
    发明专利
    晶粒重新配置之封裝結構中使用順應層之製造方法 CDIM-COMPLIANT BUMP ON CDIM STRUCTURE 审中-公开
    晶粒重新配置之封装结构中使用顺应层之制造方法 CDIM-COMPLIANT BUMP ON CDIM STRUCTURE

    公开(公告)号:TW200919669A

    公开(公告)日:2009-05-01

    申请号:TW096141092

    申请日:2007-10-31

    IPC分类号: H01L

    摘要: 一種晶圓級晶片封裝結構,包括:一晶粒其主動面上配置有複數個焊墊,一封膠體包覆晶粒之五個面、一圖案化之高分子材料層以及複數個圖案化之金屬線段覆蓋部份圖案化之高分子材料層,藉由複數個圖案化之金屬線段電性連接至每一晶粒之主動面上之複數個焊墊,其特徵在於:圖案化之高分子材料層,係於晶粒之主動面上及其外側一部份區域形成一向外延伸(fan out)之一階梯狀結構,其中向外延伸之端點處其階梯結構中具有較高之結構且在相對於晶粒之主動面之複數個焊墊處形成一孔洞,以曝露出每一焊墊;複數個圖案化之金屬線段係形成於圖案化之高分子材料層上,以使每一晶粒之主動面上之複數個焊墊與階梯狀結構之高分子材料層上之複數個圖案化之金屬線段電性連接;及一保護層,以覆蓋複數個圖案化之金屬線段及部份圖案化之高分子材料層,並曝露出階梯結構中位於較高處之圖案化之高分子材料層上之複數個圖案化之金屬線段之一表面。

    简体摘要: 一种晶圆级芯片封装结构,包括:一晶粒其主动面上配置有复数个焊垫,一封胶体包覆晶粒之五个面、一图案化之高分子材料层以及复数个图案化之金属线段覆盖部份图案化之高分子材料层,借由复数个图案化之金属线段电性连接至每一晶粒之主动面上之复数个焊垫,其特征在于:图案化之高分子材料层,系于晶粒之主动面上及其外侧一部份区域形成一向外延伸(fan out)之一阶梯状结构,其中向外延伸之端点处其阶梯结构中具有较高之结构且在相对于晶粒之主动面之复数个焊垫处形成一孔洞,以曝露出每一焊垫;复数个图案化之金属线段系形成于图案化之高分子材料层上,以使每一晶粒之主动面上之复数个焊垫与阶梯状结构之高分子材料层上之复数个图案化之金属线段电性连接;及一保护层,以覆盖复数个图案化之金属线段及部份图案化之高分子材料层,并曝露出阶梯结构中位于较高处之图案化之高分子材料层上之复数个图案化之金属线段之一表面。