公开(公告)号：TW201543686A

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：TW103116571

申请日：2014-05-09

申请人： 大中積體電路股份有限公司 ,  SINOPOWER SEMICONDUCTOR INC.

发明人： 廖顯皜 ,  LIAO, SHIAN HAU ,  楊國良 ,  YANG, GUO LIANG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

摘要： 本發明提供一種溝槽式功率電晶體元件，包括一半導體基底、一絕緣層以及一閘極結構。半導體基底具有至少二溝槽，且溝槽具有不同深度。絕緣層設於各溝槽中，其中位於溝槽之其中一者中之絕緣層之上表面與半導體基底之上表面之間距與位於溝槽之其中另一者中之絕緣層之上表面與半導體基底之上表面之間距相同。閘極結構設於絕緣層上，且填滿溝槽。

简体摘要： 本发明提供一种沟槽式功率晶体管组件，包括一半导体基底、一绝缘层以及一闸极结构。半导体基底具有至少二沟槽，且沟槽具有不同深度。绝缘层设于各沟槽中，其中位于沟槽之其中一者中之绝缘层之上表面与半导体基底之上表面之间距与位于沟槽之其中另一者中之绝缘层之上表面与半导体基底之上表面之间距相同。闸极结构设于绝缘层上，且填满沟槽。

公开(公告)号：TWI430432B

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：TW100103026

申请日：2011-01-27

申请人： 大中積體電路股份有限公司 ,  SINOPOWER SEMICONDUCTOR INC.

发明人： 林偉捷 ,  LIN, WEI CHIEH

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0259 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7808

公开(公告)号：TWI426568B

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：TW099109357

申请日：2010-03-29

申请人： 大中積體電路股份有限公司 ,  SINOPOWER SEMICONDUCTOR INC.

发明人： 戴嵩山 ,  TAI, SUNG-SHAN

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

公开(公告)号：TWI406393B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：TW099129067

申请日：2010-08-30

申请人： 大中積體電路股份有限公司 ,  SINOPOWER SEMICONDUCTOR INC.

发明人： 林偉捷 ,  LIN, WEI CHIEH

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/70

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L28/60 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811

公开(公告)号：TW201232761A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：TW100103026

申请日：2011-01-27

申请人： 大中積體電路股份有限公司

发明人： 林偉捷

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0259 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7808

摘要： 一種具有防靜電結構之功率半導體元件包含有一N型半導體基底、至少一防靜電元件以及至少一溝渠式電晶體元件。N型半導體基底具有至少二溝渠,且防靜電元件設於溝渠之間之N型半導體基底中。防靜電元件包含有一P型第一摻雜區以及設於P型第一摻雜區中之一N型第二摻雜區與一N型第三摻雜區。N型第二摻雜區電性連接至溝渠式電晶體元件之閘極,且N型第三摻雜區電性連接至溝渠式電晶體元件之汲極。

简体摘要： 一种具有防静电结构之功率半导体组件包含有一N型半导体基底、至少一防静电组件以及至少一沟渠式晶体管组件。N型半导体基底具有至少二沟渠,且防静电组件设于沟渠之间之N型半导体基底中。防静电组件包含有一P型第一掺杂区以及设于P型第一掺杂区中之一N型第二掺杂区与一N型第三掺杂区。N型第二掺杂区电性连接至沟渠式晶体管组件之闸极,且N型第三掺杂区电性连接至沟渠式晶体管组件之汲极。

公开(公告)号：TW201212209A

公开(公告)日：2012-03-16

申请号：TW099129674

申请日：2010-09-02

申请人： 大中積體電路股份有限公司

发明人： 林偉捷

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823487 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7835 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 半導體元件包括一具有一第一導電類型之半導體基底、至少一高側電晶體元件以及至少一低側電晶體元件。高側電晶體元件包括一具有一第二導電類型之高側基體摻雜區、一具有第一導電類型之高側源極摻雜區以及一具有第一導電類型之汲極摻雜區。高側基體摻雜區設於半導體基底內,且高側源極摻雜區與汲極摻雜區設於高側基體摻雜區內。高側源極摻雜區電性連接半導體基底,且半導體基底作為低側電晶體元件之一汲極。

简体摘要： 半导体组件包括一具有一第一导电类型之半导体基底、至少一高侧晶体管组件以及至少一低侧晶体管组件。高侧晶体管组件包括一具有一第二导电类型之高侧基体掺杂区、一具有第一导电类型之高侧源极掺杂区以及一具有第一导电类型之汲极掺杂区。高侧基体掺杂区设于半导体基底内,且高侧源极掺杂区与汲极掺杂区设于高侧基体掺杂区内。高侧源极掺杂区电性连接半导体基底,且半导体基底作为低侧晶体管组件之一汲极。

公开(公告)号：TWI487115B

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：TW102120293

申请日：2013-06-07

申请人： 大中積體電路股份有限公司 ,  SINOPOWER SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 李柏賢 ,  LI, PO HSIEN

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

公开(公告)号：TWI453913B

公开(公告)日：2014-09-21

申请号：TW099141893

申请日：2010-12-02

申请人： 大中積體電路股份有限公司 ,  SINOPOWER SEMICONDUCTOR INC.

发明人： 林偉捷 ,  LIN, WEI CHIEH ,  林家福 ,  LIN, JIA FU

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7828 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66666

公开(公告)号：TWI407568B

公开(公告)日：2013-09-01

申请号：TW099140177

申请日：2010-11-22

申请人： 大中積體電路股份有限公司 ,  SINOPOWER SEMICONDUCTOR INC.

发明人： 林偉捷 ,  LIN, WEI CHIEH

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095

公开(公告)号：TW201222816A

公开(公告)日：2012-06-01

申请号：TW099140177

申请日：2010-11-22

申请人： 大中積體電路股份有限公司

发明人： 林偉捷

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095

摘要： 半導體元件包括具有一第一導電類型之一磊晶層以及具有一第二導電類型之至少一第一半導體層與一第二半導體層。第一半導體層位於一週邊區內之磊晶層中，且具有一圓弧部以及從圓弧部之兩端伸出之一第一條狀部與一第二條狀部。第一條狀部指向一主動元件區，且第二條狀部垂直第一條狀部。第二半導體層設於主動元件區與第二條狀部間之週邊區內的磊晶層中，且第二半導體層具有一側壁，面對且平行於第一半導體層。

简体摘要： 半导体组件包括具有一第一导电类型之一磊晶层以及具有一第二导电类型之至少一第一半导体层与一第二半导体层。第一半导体层位于一周边区内之磊晶层中，且具有一圆弧部以及从圆弧部之两端伸出之一第一条状部与一第二条状部。第一条状部指向一主动组件区，且第二条状部垂直第一条状部。第二半导体层设于主动组件区与第二条状部间之周边区内的磊晶层中，且第二半导体层具有一侧壁，面对且平行于第一半导体层。