公开(公告)号：TWI266783B

公开(公告)日：2006-11-21

申请号：TW094120739

申请日：2005-06-22

申请人： 日材料股份有限公司 NIKKO MATERIALS CO., LTD.

发明人： 伊森徹 IMORI, TORU ,  鈴木準 SUZUKI, JUN ,  飯田一德 IIDA, KAZUNORI

IPC分类号： C08K ,  C08J ,  C23C

CPC分类号： D07B1/0666 ,  C08K5/16 ,  C09D4/00 ,  C09D7/63 ,  C09D183/08 ,  C23C2222/20 ,  C08G77/26

摘要： 本發明提供可提高橡膠與金屬的接合力之該金屬的表面處理劑。
亦即，提供含有分子中具金屬捕捉性官能基的矽烷耦合劑(silane coupling)及鈷等金屬化合物之促進橡膠與金屬之接合用之該金屬表面處理劑，及含有分子中具有已捕捉鈷等金屬的金屬捕捉性官能基的矽烷耦合劑之促進橡膠與金屬之接合用之該金屬表面處理劑。其中的金屬捕捉性官能基以胺(amino)基、醯胺(amide)基與唑(azole)基較佳。

简体摘要： 本发明提供可提高橡胶与金属的接合力之该金属的表面处理剂。 亦即，提供含有分子中具金属捕捉性官能基的硅烷耦合剂(silane coupling)及钴等金属化合物之促进橡胶与金属之接合用之该金属表面处理剂，及含有分子中具有已捕捉钴等金属的金属捕捉性官能基的硅烷耦合剂之促进橡胶与金属之接合用之该金属表面处理剂。其中的金属捕捉性官能基以胺(amino)基、酰胺(amide)基与唑(azole)基较佳。

公开(公告)号：TW200622018A

公开(公告)日：2006-07-01

申请号：TW094142757

申请日：2005-12-05

申请人： 日材料股份有限公司 NIKKO MATERIALS CO., LTD.

发明人： 高橋秀行 TAKAHASHI, HIDEYUKI

IPC分类号： C23C

CPC分类号： C22C12/00 ,  B22F1/0055 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  B22F9/082 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  B22F9/04

摘要： 本發明之Sb-Te系合金燒結體靶，係使用由Sb-Te系合金之大致球狀粒子所構成之霧化粉而成者；其特徵在於，係由該球狀之霧化粉壓扁成扁平狀之粒子所構成，且扁平粒子中短軸與長軸之比(扁平率)為0.6以下之粒子佔全體之50%以上。本發明之Sb-Te系合金燒結體靶，其長軸方向集中於與靶表面方向成平行至±45°以內之粒子佔全體之60%以上。且，該Sb-Te系合金燒結體靶中之氧濃度為1500ppm以下。本發明，可謀求Sb-Te系合金濺鍍靶組織之均一化及微細化，而抑制燒結靶產生裂縫，並防止濺鍍時電弧之發生。又，可減少因濺蝕產生之表面凹凸，而製得品質良好之Sb-Te系合金濺鍍靶。

简体摘要： 本发明之Sb-Te系合金烧结体靶，系使用由Sb-Te系合金之大致球状粒子所构成之雾化粉而成者；其特征在于，系由该球状之雾化粉压扁成扁平状之粒子所构成，且扁平粒子中短轴与长轴之比(扁平率)为0.6以下之粒子占全体之50%以上。本发明之Sb-Te系合金烧结体靶，其长轴方向集中于与靶表面方向成平行至±45°以内之粒子占全体之60%以上。且，该Sb-Te系合金烧结体靶中之氧浓度为1500ppm以下。本发明，可谋求Sb-Te系合金溅镀靶组织之均一化及微细化，而抑制烧结靶产生裂缝，并防止溅镀时电弧之发生。又，可减少因溅蚀产生之表面凹凸，而制得品质良好之Sb-Te系合金溅镀靶。

公开(公告)号：TW200617193A

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：TW094138344

申请日：2005-11-02

申请人： 日材料股份有限公司 NIKKO MATERIALS CO., LTD.

发明人： 宮下博仁 MIYASHITA, HIROHITO

IPC分类号： C23C

CPC分类号： H01J37/3423 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3435

摘要： 一種濺鍍靶，係形成有濺蝕部及非濺蝕部之板狀靶，其特徵在於，其表面積，超過當假定靶為平面時之表面積的100％、未滿其125％。一種濺鍍靶，係形成有濺蝕部及非濺蝕部之板狀靶，其特徵在於，靶表面區域中具備1或複數個凹部，且其表面積超過當假定靶為平面時之表面積的100％、未滿其125％。當自我濺鍍或高功率濺鍍化時，在靶之使用壽命中，可將靶電路之電氣變動抑制成極小，藉此，可使用電容量小之廉價的電源裝置。

简体摘要： 一种溅镀靶，系形成有溅蚀部及非溅蚀部之板状靶，其特征在于，其表面积，超过当假定靶为平面时之表面积的100％、未满其125％。一种溅镀靶，系形成有溅蚀部及非溅蚀部之板状靶，其特征在于，靶表面区域中具备1或复数个凹部，且其表面积超过当假定靶为平面时之表面积的100％、未满其125％。当自我溅镀或高功率溅镀化时，在靶之使用寿命中，可将靶电路之电气变动抑制成极小，借此，可使用电容量小之廉价的电源设备。

公开(公告)号：TWI255297B

公开(公告)日：2006-05-21

申请号：TW092118302

申请日：2003-07-04

申请人： 日材料股份有限公司 NIKKO MATERIALS CO., LTD.

发明人： 入間田修一 ,  鈴木了

IPC分类号： C23C

CPC分类号： H01L21/28194 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/28167 ,  H01L29/517

摘要： 關於一種閘極氧化膜形成用矽化鉿靶，其特徵在於，係由Hfsi0.82-0.98所構成，且氧含有量為500~10000ppm。係合成出組成為Hfsi0.82-0.98之粉末，將此粉末粉碎成100篩目以下之物，然後以1700℃~2120℃、150~2000kgf/cm2進行熱壓或熱均壓(HIP)，來製造閘極氧化膜形成用矽化鉿靶。可得到一種可做為高介電體閘極絕緣膜(具備取代 SiO2膜以及SiON膜之特性)使用、適於HfsiO膜以及 HfsiON膜形成、富有耐脆化性、粒子產生少、且無靶製造過程中之起火與爆炸的危險之矽化鉿靶及其製造方法。

简体摘要： 关于一种闸极氧化膜形成用硅化铪靶，其特征在于，系由Hfsi0.82-0.98所构成，且氧含有量为500~10000ppm。系合成出组成为Hfsi0.82-0.98之粉末，将此粉末粉碎成100筛目以下之物，然后以1700℃~2120℃、150~2000kgf/cm2进行热压或热均压(HIP)，来制造闸极氧化膜形成用硅化铪靶。可得到一种可做为高介电体闸极绝缘膜(具备取代 SiO2膜以及SiON膜之特性)使用、适于HfsiO膜以及 HfsiON膜形成、富有耐脆化性、粒子产生少、且无靶制造过程中之起火与爆炸的危险之硅化铪靶及其制造方法。

公开(公告)号：TWI254748B

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：TW093102628

申请日：2004-02-05

申请人： 日材料股份有限公司 NIKKO MATERIALS CO., LTD.

发明人： 細野秀雄 HOSONO, HIDEO ,  植田和茂 ,  矢作政隆 ,  高見英生

IPC分类号： C23C

CPC分类号： C04B35/645 ,  C04B35/547 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/3414 ,  Y10T428/12

摘要： 本發明係關於一種主成分為含有La及Cu之含氧硫族化合物之濺鍍靶之製造方法，係將擇自構成元素的單體、氧化物或硫族化合物中至少一種的粉末當作原料進行燒結，且在燒結製程中包含於850℃以下的溫度保持1小時以上之反應步驟，而在該反應步驟後以反應步驟溫度以上的溫度進行加壓燒結。
藉此，可將主成分為含有La及Cu之含氧硫族化合物之P型透明導電材料用靶的密度提昇，可使靶大型化且以低成本來製造，可使該靶中不殘存未反應物，可抑制靶裂痕的產生，故可提昇製品良率，且使用該靶進行濺鍍時可提昇成膜的品質。

简体摘要： 本发明系关于一种主成分为含有La及Cu之含氧硫族化合物之溅镀靶之制造方法，系将择自构成元素的单体、氧化物或硫族化合物中至少一种的粉末当作原料进行烧结，且在烧结制程中包含于850℃以下的温度保持1小时以上之反应步骤，而在该反应步骤后以反应步骤温度以上的温度进行加压烧结。 借此，可将主成分为含有La及Cu之含氧硫族化合物之P型透明导电材料用靶的密度提升，可使靶大型化且以低成本来制造，可使该靶中不残存未反应物，可抑制靶裂痕的产生，故可提升制品良率，且使用该靶进行溅镀时可提升成膜的品质。

公开(公告)号：TWI252875B

公开(公告)日：2006-04-11

申请号：TW092102737

申请日：2003-02-11

申请人： 日材料股份有限公司 NIKKO MATERIALS CO., LTD.

发明人： 新藤 裕一朗 ,  竹本 幸一

IPC分类号： C25C

CPC分类号： C22B3/0005 ,  C22B23/06 ,  C25C1/00 ,  Y02P10/234

摘要： 本發明係關於一種高純度金屬之製造方法，其特徵在於：使用含有金屬之溶液做為電解液進行電解之際，將陽極與陰極以陰離子交換膜來分隔，將陽極電解液間歇或連續地抽出而導入溶劑萃取槽，以該溶劑萃取槽將雜質去除，再將此雜質去除後之高純度金屬電解液以間歇或連續的方式導入陰極側。可提供一種自含有許多鐵、碳、氧等之金屬原料利用含有金屬之溶液進行電解之簡便的方法，可從該原料有效率地製造出純度4N(99.99重量%)或5N(99.999重量%)以上之高純度金屬。

简体摘要： 本发明系关于一种高纯度金属之制造方法，其特征在于：使用含有金属之溶液做为电解液进行电解之际，将阳极与阴极以阴离子交换膜来分隔，将阳极电解液间歇或连续地抽出而导入溶剂萃取槽，以该溶剂萃取槽将杂质去除，再将此杂质去除后之高纯度金属电解液以间歇或连续的方式导入阴极侧。可提供一种自含有许多铁、碳、氧等之金属原料利用含有金属之溶液进行电解之简便的方法，可从该原料有效率地制造出纯度4N(99.99重量%)或5N(99.999重量%)以上之高纯度金属。

公开(公告)号：TWI250225B

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：TW092118287

申请日：2003-07-04

申请人： 日材料股份有限公司 NIKKO MATERIALS CO., LTD.

发明人： 熊谷正志 KUMAGAI, MASASHI ,  花房幹夫 HANAFUSA, MIKIO

IPC分类号： C23C

CPC分类号： C25D7/0614 ,  C25D1/04 ,  C25D3/38 ,  H05K1/09 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/26

摘要： 本發明具有獲得由使用陰極轉筒使得粗糙表面側(光澤表面的對面側)上的表面粗糙度低所製造之電解銅箔所製成之低型材電解銅箔的目的。尤其，本發明具有獲得可被精密地圖案化且在常溫及高溫具有優異之延伸率及拉伸強度之電解銅箔的目的。此目的係藉由使用含有有機硫化合物，及由使胺化合物與其分子中具有一個或多個環氧基之化合物附加地反應至加成反應所得到之具有下述一般式(1)所示之特定骨幹之胺化合物作為添加劑之銅電解液予以達成。
(1)(一般式(1)中，R1及R2係各自選自由羥烷基、醚基、芳香族基、經芳香族基取代之烷基、不飽和烴基、及烷基所組成之組群者，A示環氧化合物殘基，且n示大於或等於1之整數)。

简体摘要： 本发明具有获得由使用阴极转筒使得粗糙表面侧(光泽表面的对面侧)上的表面粗糙度低所制造之电解铜箔所制成之低型材电解铜箔的目的。尤其，本发明具有获得可被精密地图案化且在常温及高温具有优异之延伸率及拉伸强度之电解铜箔的目的。此目的系借由使用含有有机硫化合物，及由使胺化合物与其分子中具有一个或多个环氧基之化合物附加地反应至加成反应所得到之具有下述一般式(1)所示之特定骨干之胺化合物作为添加剂之铜电解液予以达成。 (1)(一般式(1)中，R1及R2系各自选自由羟烷基、醚基、芳香族基、经芳香族基取代之烷基、不饱和烃基、及烷基所组成之组群者，A示环氧化合物残基，且n示大于或等于1之整数)。

公开(公告)号：TWI248471B

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：TW093120546

申请日：2004-07-09

申请人： 日材料股份有限公司 NIKKO MATERIALS CO., LTD.

发明人： 鈴木了

IPC分类号： C23C

CPC分类号： C23C14/3414

摘要： 為提供一種濺鍍用靶，其係以化學式Ra1-xAxBO3-α(Ra：Y, Sc及鑭族元素(lanthanoid)所構成之稀土類元素，A：Ca, Mg, Ba, Sr，B：Mn, Fe, Ni, Co, Cr等過渡金屬元素，O＜x≦0.5)所表示之鈣鈦礦型氧化物。其特徵在於，相對密度在95%以上、純度在3N以上。
本發明之濺鍍用靶，可提高鈣鈦礦型氧化物系陶瓷材料所構成靶之密度、提高強度，並防止靶之製造步驟、搬送步驟或濺鍍操作中之裂痕或裂縫之產生、並提高良率。又，以抑制成膜中粒子之生成、提高品質並減少不良品之發生為主要課題。

简体摘要： 为提供一种溅镀用靶，其系以化学式Ra1-xAxBO3-α(Ra：Y, Sc及镧族元素(lanthanoid)所构成之稀土类元素，A：Ca, Mg, Ba, Sr，B：Mn, Fe, Ni, Co, Cr等过渡金属元素，O＜x≦0.5)所表示之钙钛矿型氧化物。其特征在于，相对密度在95%以上、纯度在3N以上。 本发明之溅镀用靶，可提高钙钛矿型氧化物系陶瓷材料所构成靶之密度、提高强度，并防止靶之制造步骤、搬送步骤或溅镀操作中之裂痕或裂缝之产生、并提高良率。又，以抑制成膜中粒子之生成、提高品质并减少不良品之发生为主要课题。

公开(公告)号：TWI248468B

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：TW093104409

申请日：2004-02-23

申请人： 日材料股份有限公司 NIKKO MATERIALS CO., LTD.

发明人： 岡部岳夫

IPC分类号： C23C

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  H01L21/2855

摘要： 提供一種銅合金濺鍍靶，其特徵在於，含有選自Al或 Sn中至少1種元素0.01~0.5(未滿)重量%，且含有Mn或 Si以總量計0.25重量ppm以下。該銅合金濺鍍靶，可形成半導體元件的配線材，尤其是在銅電鍍時，可安定且均一地形成薄片電阻小、無凝集的底層，且濺鍍成膜特性優異；並提供使用該靶所形成的半導體元件配線。

简体摘要： 提供一种铜合金溅镀靶，其特征在于，含有选自Al或 Sn中至少1种元素0.01~0.5(未满)重量%，且含有Mn或 Si以总量计0.25重量ppm以下。该铜合金溅镀靶，可形成半导体组件的配线材，尤其是在铜电镀时，可安定且均一地形成薄片电阻小、无凝集的底层，且溅镀成膜特性优异；并提供使用该靶所形成的半导体组件配线。

公开(公告)号：TW200604378A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：TW094122033

申请日：2005-06-30

申请人： 日材料股份有限公司 NIKKO MATERIALS CO., LTD.

发明人： 相場玲宏 AIBA, AKIHIRO ,  河村一三 KAWAMURA, KAZUMI

IPC分类号： C23C

CPC分类号： C23C18/54 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/32 ,  Y10T428/31678

摘要： 本發明係提供毒性低，可在中性附近使用，且焊接密接性與被覆膜密接性更良好的非氰系取代型無電解鍍金液。無電解鍍金液的特徵在於含有：非氰系水溶性金化合物、焦亞硫酸化合物、及硫代硫酸化合物。該電鍍液最好更含有亞硫酸化合物、胺基羰酸化合物。焦亞硫酸化合物可使用如：焦亞硫酸、或其鹼金屬鹽、鹼土族金屬、銨鹽等。

简体摘要： 本发明系提供毒性低，可在中性附近使用，且焊接密接性与被覆膜密接性更良好的非氰系取代型无电解镀金液。无电解镀金液的特征在于含有：非氰系水溶性金化合物、焦亚硫酸化合物、及硫代硫酸化合物。该电镀液最好更含有亚硫酸化合物、胺基羰酸化合物。焦亚硫酸化合物可使用如：焦亚硫酸、或其碱金属盐、碱土族金属、铵盐等。