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公开(公告)号：TW201714854A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105124350
申请日：2016-08-01
发明人： 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 宇都野太 , UTSUNO, FUTOSHI , 霍間勇輝 , TSURUMA, YUKI , 笘井重和 , TOMAI, SHIGEKAZU , 江端一晃 , EBATA, KAZUAKI
IPC分类号： C04B35/01 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/203 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： C01G15/00 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/786
摘要： 本發明係一種結晶質氧化物半導體薄膜，其特徵在於：以氧化銦為主成分，且包含具有單一結晶方位之表面晶粒。
简体摘要： 本发明系一种结晶质氧化物半导体薄膜，其特征在于：以氧化铟为主成分，且包含具有单一结晶方位之表面晶粒。
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2.发明专利
公开(公告)号：TWI478347B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW097104670
申请日：2008-02-05
发明人： 矢野公規 , YANO, KOKI , 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 宇都野太 , UTSUNO, FUTOSHI , 笠見雅司 , KASAMI, MASASHI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/13 , G02F1/15
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/086 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TWI460144B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW098131355
申请日：2009-09-17
发明人： 宇都野太 , UTSUNO, FUTOSHI , 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 川嶋浩和 , KAWASHIMA, HIROKAZU , 笠見雅司 , KASAMI, MASASHI , 矢野公規 , YANO, KOKI , 寺井恒太 , TERAI, KOUTA
IPC分类号： C04B35/00 , C23C14/34 , C23C14/08 , H01B5/14 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/242 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3286 , C04B2235/3409 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/449 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/761 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02565 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TW201402844A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102137473
申请日：2007-12-11
发明人： 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 矢野公規 , YANO, KOKI , 宇都野太 , UTSUNO, FUTOSHI
CPC分类号： H01J37/3429 , C01G15/00 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/62655 , C04B35/64 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/725 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J2237/332 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： 本發明係為一種含有銦(In)、鎵(Ga)及鋅(Zn)之氧化物的濺鍍靶，其為含有以ZnGa2O4所示之化合物及InGaZnO4所示之化合物之濺鍍靶。
简体摘要： 本发明系为一种含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)之氧化物的溅镀靶，其为含有以ZnGa2O4所示之化合物及InGaZnO4所示之化合物之溅镀靶。
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公开(公告)号：TWI436959B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW098118184
申请日：2009-06-02
发明人： 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 宇都野太 , UTSUNO, FUTOSHI , 川嶋浩和 , KAWASHIMA, HIROKAZU , 矢野公規 , YANO, KOKI , 笘井重和 , TOMAI, SHIGEKAZU , 笠見雅司 , KASAMI, MASASHI , 寺井恒太 , TERAI, KOUTA
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/64 , C23C14/34 , C23C14/08 , H01L21/3205
CPC分类号： C04B35/01 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/76 , C04B2235/761 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/3414 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TWI427165B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW096147237
申请日：2007-12-11
发明人： 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 矢野公規 , YANO, KOKI , 宇都野太 , UTSUNO, FUTOSHI
CPC分类号： H01J37/3429 , C01G15/00 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/62655 , C04B35/64 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/725 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J2237/332 , H01L21/02565 , H01L21/02631
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公开(公告)号：TW201402852A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102132183
申请日：2009-06-06
发明人： 川嶋浩和 , KAWASHIMA, HIROKAZU , 矢野公規 , YANO, KOKI , 宇都野太 , UTSUNO, FUTOSHI , 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI
CPC分类号： H01L21/02565 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/6262 , C04B35/62655 , C04B35/62695 , C04B37/026 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/40 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/6027 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6586 , C04B2235/661 , C04B2235/76 , C04B2235/761 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2235/9661 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02631 , H01L29/7869 , Y10T428/31507
摘要： 本發明係提供可抑制使用濺鍍法之氧化物半導體膜在成膜時產生異常放電，可連續安定成膜的濺鍍靶。提供具有稀土氧化物C型的結晶結構、表面無白點(濺鍍靶表面上所產生之凹凸等的外觀不良)之濺鍍靶用的氧化物。本發明提供具有方鐵錳礦結構，含有氧化銦、氧化鎵、氧化鋅之氧化物燒結體，銦(In)、鎵(Ga)及鋅(Zn)之組成量為以原子%表示滿足下式的組成範圍的燒結體。In/(In+Ga+Zn)＜0.75
简体摘要： 本发明系提供可抑制使用溅镀法之氧化物半导体膜在成膜时产生异常放电，可连续安定成膜的溅镀靶。提供具有稀土氧化物C型的结晶结构、表面无白点(溅镀靶表面上所产生之凹凸等的外观不良)之溅镀靶用的氧化物。本发明提供具有方铁锰矿结构，含有氧化铟、氧化镓、氧化锌之氧化物烧结体，铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)之组成量为以原子%表示满足下式的组成范围的烧结体。In/(In+Ga+Zn)＜0.75
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公开(公告)号：TW201806908A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106113998
申请日：2017-04-26
发明人： 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 宇都野太 , UTSUNO, FUTOSHI , 笘井重和 , TOMAI, SHIGEKAZU , 柴田雅敏 , SHIBATA, MASATOSHI , 糸瀨麻美 , ITOSE, MAMI
摘要： 一種氧化物燒結體，其特徵在於：含有含In元素、Zn元素、Sn元素及Y元素之氧化物，且燒結體密度為理論密度之100.00%以上。
简体摘要： 一种氧化物烧结体，其特征在于：含有含In元素、Zn元素、Sn元素及Y元素之氧化物，且烧结体密度为理论密度之100.00%以上。
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公开(公告)号：TW201533005A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103145552
申请日：2014-12-25
发明人： 笘井重和 , TOMAI, SHIGEKAZU , 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 江端一晃 , EBATA, KAZUAKI , 柴田雅敏 , SHIBATA, MASATOSHI , 宇都野太 , UTSUNO, FUTOSHI , 霍間勇輝 , TSURUMA, YUKI , 石原悠 , ISHIHARA, YU
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/50 , C04B35/64 , C23C14/34 , C23C14/08 , H01L21/363 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/602 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/762 , C04B2235/764 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J37/3491 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 本發明係一種氧化物燒結體，其包含含有In2O3之方鐵錳礦相、及A3B5O12相(式中，A為選自由Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所組成之群中之一種以上之元素，B為選自由Al及Ga所組成之群中之一種以上之元素)。
简体摘要： 本发明系一种氧化物烧结体，其包含含有In2O3之方铁锰矿相、及A3B5O12相(式中，A为选自由Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所组成之群中之一种以上之元素，B为选自由Al及Ga所组成之群中之一种以上之元素)。
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公开(公告)号：TWI465595B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW102137473
申请日：2007-12-11
发明人： 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 矢野公規 , YANO, KOKI , 宇都野太 , UTSUNO, FUTOSHI
CPC分类号： H01J37/3429 , C01G15/00 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/62655 , C04B35/64 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/725 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J2237/332 , H01L21/02565 , H01L21/02631
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