以薄膜黏附晶粒從而降低晶粒承受之應力的封裝結構
    1.
    发明专利
    以薄膜黏附晶粒從而降低晶粒承受之應力的封裝結構 审中-公开
    以薄膜黏附晶粒从而降低晶粒承受之应力的封装结构

    公开(公告)号:TW201836086A

    公开(公告)日:2018-10-01

    申请号:TW106114580

    申请日:2017-05-03

    IPC分类号: H01L23/28 H01L23/29

    摘要: 一種封裝結構,包含一第一晶粒、一第一薄膜、一第二晶粒、一第二薄膜、一導電凸塊及一封膠層。該第一晶粒可包含一第一面、一第二面、及一導電腳位,形成於該第一晶粒之該第二面。該第一薄膜係耦接於該第一晶粒之該第一面,以減低該第一晶粒承受之應力。該第二晶粒可包含一第一面、一第二面及一導電腳位,形成於該第二晶粒之該第一面。該第二薄膜係耦接於該第二晶粒之該第二面。該導電凸塊可設置於該第一晶粒之該導電腳位及該第二晶粒之該導電腳位之間。該封膠層係形成以包覆該第一晶粒、該第一薄膜、該第二晶粒、該第二薄膜及該導電凸塊。

    简体摘要: 一种封装结构,包含一第一晶粒、一第一薄膜、一第二晶粒、一第二薄膜、一导电凸块及一封胶层。该第一晶粒可包含一第一面、一第二面、及一导电脚位,形成于该第一晶粒之该第二面。该第一薄膜系耦接于该第一晶粒之该第一面,以减低该第一晶粒承受之应力。该第二晶粒可包含一第一面、一第二面及一导电脚位,形成于该第二晶粒之该第一面。该第二薄膜系耦接于该第二晶粒之该第二面。该导电凸块可设置于该第一晶粒之该导电脚位及该第二晶粒之该导电脚位之间。该封胶层系形成以包覆该第一晶粒、该第一薄膜、该第二晶粒、该第二薄膜及该导电凸块。

    半導體封裝結構及製作半導體封裝結構的方法
    2.
    发明专利
    半導體封裝結構及製作半導體封裝結構的方法 审中-公开
    半导体封装结构及制作半导体封装结构的方法

    公开(公告)号:TW201830587A

    公开(公告)日:2018-08-16

    申请号:TW106114593

    申请日:2017-05-03

    IPC分类号: H01L23/00 H01L21/50

    摘要: 半導體封裝結構包含封裝層、晶片、應力緩解層及重配置線路層。封裝層具有開口,且晶片設置於封裝層的開口內。應力緩解層設置於晶片及封裝層之間。重配置線路層設置於晶片、應力緩解層及封裝層上方。

    简体摘要: 半导体封装结构包含封装层、芯片、应力缓解层及重配置线路层。封装层具有开口,且芯片设置于封装层的开口内。应力缓解层设置于芯片及封装层之间。重配置线路层设置于芯片、应力缓解层及封装层上方。

    電磁干擾遮蔽層連接至接地訊號之導線架型半導體封裝構造
    9.
    发明专利
    電磁干擾遮蔽層連接至接地訊號之導線架型半導體封裝構造 审中-公开
    电磁干扰屏蔽层连接至接地信号之导线架型半导体封装构造

    公开(公告)号:TW201417236A

    公开(公告)日:2014-05-01

    申请号:TW101138320

    申请日:2012-10-17

    IPC分类号: H01L23/60

    摘要: 揭示一種電磁干擾遮蔽層連接至接地訊號之導線架型半導體封裝構造,包含導線架、晶片、封膠體以及電磁干擾遮蔽層。封膠體係具有兩引腳外露側面以及兩無引腳側面。電磁干擾遮蔽層係包覆該封膠體之至少一表面以及無引腳側面。導線架之晶片承座之金屬支撐條具有一外露於無引腳側面之端面,電磁干擾遮蔽層覆蓋連接在無引腳側面之金屬支撐條外露端面,使導線架之晶片承座之金屬支撐條與接地引腳經封膠體外部相連接,使晶片承座具有接地電位。

    简体摘要: 揭示一种电磁干扰屏蔽层连接至接地信号之导线架型半导体封装构造,包含导线架、芯片、封胶体以及电磁干扰屏蔽层。封胶体系具有两引脚外露侧面以及两无引脚侧面。电磁干扰屏蔽层系包覆该封胶体之至少一表面以及无引脚侧面。导线架之芯片承座之金属支撑条具有一外露于无引脚侧面之端面,电磁干扰屏蔽层覆盖连接在无引脚侧面之金属支撑条外露端面,使导线架之芯片承座之金属支撑条与接地引脚经封胶体外部相连接,使芯片承座具有接地电位。

    具有堆疊晶片的半導體裝置
    10.
    发明专利
    具有堆疊晶片的半導體裝置 审中-公开
    具有堆栈芯片的半导体设备

    公开(公告)号:TW201824499A

    公开(公告)日:2018-07-01

    申请号:TW106114577

    申请日:2017-05-03

    IPC分类号: H01L23/538 H01L23/488

    摘要: 一種半導體裝置包含一第一晶片、一間隔件及一第二晶片。該第一晶片及該間隔件係設置於一基板上。該第二晶片具有一第一部份設置於該第一晶片之一第一部份上,及一第二部份設置於該間隔件上。該間隔件之高度實質上等於該第一晶片之高度。

    简体摘要: 一种半导体设备包含一第一芯片、一间隔件及一第二芯片。该第一芯片及该间隔件系设置于一基板上。该第二芯片具有一第一部份设置于该第一芯片之一第一部份上,及一第二部份设置于该间隔件上。该间隔件之高度实质上等于该第一芯片之高度。