半導體裝置及半導體裝置的製造方法
    2.
    发明专利
    半導體裝置及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号:TW202027279A

    公开(公告)日:2020-07-16

    申请号:TW108143098

    申请日:2019-11-27

    摘要: 提供一種具有良好電特性的半導體裝置。一種半導體裝置包括第一絕緣體、第一絕緣體上的第二絕緣體、第二絕緣體上的第三絕緣體、第三絕緣體上的第四絕緣體及第一導電體、第四絕緣體上及第一導電體上的第五絕緣體、第五絕緣體上的第一氧化物、第一氧化物上的第二導電體及第三導電體、第一氧化物上的位於第二導電體與第三導電體間的第二氧化物、第二氧化物上的第六絕緣體以及第六絕緣體上的第四導電體。其中,第二絕緣體的氫濃度低於第一絕緣體的氫濃度,第三絕緣體的氫濃度低於第二絕緣體的氫濃度。

    简体摘要: 提供一种具有良好电特性的半导体设备。一种半导体设备包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体及第一导电体、第四绝缘体上及第一导电体上的第五绝缘体、第五绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二导电体及第三导电体、第一氧化物上的位于第二导电体与第三导电体间的第二氧化物、第二氧化物上的第六绝缘体以及第六绝缘体上的第四导电体。其中,第二绝缘体的氢浓度低于第一绝缘体的氢浓度,第三绝缘体的氢浓度低于第二绝缘体的氢浓度。

    液晶顯示裝置
    9.
    发明专利
    液晶顯示裝置 审中-公开
    液晶显示设备

    公开(公告)号:TW202022453A

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:TW109101794

    申请日:2011-02-24

    摘要: 本發明的目的之一在於降低液晶顯示裝置所具有的信號線的寄生電容。作為設置在各像素中的電晶體,應用具備氧化物半導體層的電晶體。注意,該氧化物半導體層是藉由徹底去除成為電子供體(施體)的雜質(氫或水等)而獲得到高度純化的氧化物半導體層。由此,可以降低電晶體處於截止狀態時的洩漏電流(截止電流)。因此,即使在各像素中不設置電容器也可以保持施加到液晶元件的電壓。另外,與此附隨而可以去除延伸到液晶顯示裝置的像素部的電容佈線。由此,可以去除信號線與電容佈線相交叉的區域中的寄生電容。

    简体摘要: 本发明的目的之一在于降低液晶显示设备所具有的信号线的寄生电容。作为设置在各像素中的晶体管,应用具备氧化物半导体层的晶体管。注意,该氧化物半导体层是借由彻底去除成为电子供体(施体)的杂质(氢或水等)而获得到高度纯化的氧化物半导体层。由此,可以降低晶体管处于截止状态时的泄漏电流(截止电流)。因此,即使在各像素中不设置电容器也可以保持施加到液芯片件的电压。另外,与此附随而可以去除延伸到液晶显示设备的像素部的电容布线。由此,可以去除信号线与电容布线相交叉的区域中的寄生电容。