公开(公告)号：TWI666770B

公开(公告)日：2019-07-21

申请号：TW103143320

申请日：2014-12-11

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  山元良高 ,  YAMAMOTO, YOSHITAKA ,  須沢英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  岡崎豊 ,  OKAZAKI, YUTAKA ,  奧野直樹 ,  OKUNO, NAOKI ,  石山貴久 ,  ISHIYAMA, TAKAHISA

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI515779B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW099115307

申请日：2010-05-13

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 奧野直樹 ,  OKUNO, NAOKI

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/76254

公开(公告)号：TW201528510A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103143320

申请日：2014-12-11

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  山元良高 ,  YAMAMOTO, YOSHITAKA ,  須沢英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  岡崎豊 ,  OKAZAKI, YUTAKA ,  奧野直樹 ,  OKUNO, NAOKI ,  石山貴久 ,  ISHIYAMA, TAKAHISA

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明提供一種導通(開啟)時的電流大的電晶體。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括包含過剩氧的第一絕緣體；第一絕緣體上的第一氧化物半導體；第一氧化物半導體上的第二氧化物半導體；在第二氧化物半導體上間隔開地配置的第一導電體及第二導電體；與第一氧化物半導體的側面、第二氧化物半導體的頂面及側面、第一導電體的頂面及第二導電體的頂面接觸的第三氧化物半導體；第三氧化物半導體上的第二絕緣體；隔著第二絕緣體及第三氧化物半導體面對第二氧化物半導體的頂面及側面的第三導電體，其中，第一氧化物半導體的氧透過性高於第三氧化物半導體。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种导通(打开)时的电流大的晶体管。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括包含过剩氧的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物半导体；第一氧化物半导体上的第二氧化物半导体；在第二氧化物半导体上间隔开地配置的第一导电体及第二导电体；与第一氧化物半导体的侧面、第二氧化物半导体的顶面及侧面、第一导电体的顶面及第二导电体的顶面接触的第三氧化物半导体；第三氧化物半导体上的第二绝缘体；隔着第二绝缘体及第三氧化物半导体面对第二氧化物半导体的顶面及侧面的第三导电体，其中，第一氧化物半导体的氧透过性高于第三氧化物半导体。

公开(公告)号：TW201115635A

公开(公告)日：2011-05-01

申请号：TW099115307

申请日：2010-05-13

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司

Inventor： 奧野直樹

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本發明的目的之一在於抑制當貼合玻璃基板和單晶半導體基板以製造SOI基板時產生的矽層表面的粗糙。或者,本發明的目的之一在於提供一種抑制上述粗糙並提高良率的半導體裝置。藉由對接合基板照射經加速的離子而在該接合基板中形成脆化區,在接合基板或基底基板的表面之上形成絕緣層,隔著絕緣層使接合基板和基底基板互相貼合並在接合基板和基底基板的一部分中形成不貼合的區域,藉由進行熱處理,在脆化區中分離接合基板而在基底基板之上形成半導體層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一在于抑制当贴合玻璃基板和单晶半导体基板以制造SOI基板时产生的硅层表面的粗糙。或者,本发明的目的之一在于提供一种抑制上述粗糙并提高良率的半导体设备。借由对接合基板照射经加速的离子而在该接合基板中形成脆化区,在接合基板或基底基板的表面之上形成绝缘层,隔着绝缘层使接合基板和基底基板互相贴合并在接合基板和基底基板的一部分中形成不贴合的区域,借由进行热处理,在脆化区中分离接合基板而在基底基板之上形成半导体层。