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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201526120A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103142612
申请日：2014-12-08
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 山出直人 , YAMADE, NAOTO , 山元良高 , YAMAMOTO, YOSHITAKA , 須澤英臣 , SUZAWA, HIDEOMI , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 山根靖正 , YAMANE, YASUMASA
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/383 , H01L21/425 , H01L21/441 , H01L21/465 , H01L21/477 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本發明的目的之一是提高使用氧化物半導體的半導體裝置的電特性。本發明的一個方式是一種半導體裝置的製造方法，包括如下步驟：在設置在基板上的第一閘極電極及第一絕緣膜上形成第一氧化物半導體膜；在對第一氧化物半導體膜添加氧之後在第一氧化物半導體膜上形成第二氧化物半導體膜；以及進行加熱處理以使第一氧化物半導體膜所包含的氧的一部分移動到第二氧化物半導體膜。接著，對第一絕緣膜、添加有氧的第一氧化物半導體膜及第二氧化物半導體膜的每一個的一部分進行蝕刻，由此形成具有凸部的第一閘極絕緣膜、被蝕刻的第一氧化物半導體膜及被蝕刻的第二氧化物半導體膜。接著，在被蝕刻的第二氧化物半導體膜上形成一對電極，在被蝕刻的第二氧化物半導體膜及一對電極上形成第三氧化物半導體膜。接著，在第三氧化物半導體膜上形成第二閘極絕緣膜，在第二閘極絕緣膜上形成第二閘極電極。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是提高使用氧化物半导体的半导体设备的电特性。本发明的一个方式是一种半导体设备的制造方法，包括如下步骤：在设置在基板上的第一闸极电极及第一绝缘膜上形成第一氧化物半导体膜；在对第一氧化物半导体膜添加氧之后在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜；以及进行加热处理以使第一氧化物半导体膜所包含的氧的一部分移动到第二氧化物半导体膜。接着，对第一绝缘膜、添加有氧的第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜的每一个的一部分进行蚀刻，由此形成具有凸部的第一闸极绝缘膜、被蚀刻的第一氧化物半导体膜及被蚀刻的第二氧化物半导体膜。接着，在被蚀刻的第二氧化物半导体膜上形成一对电极，在被蚀刻的第二氧化物半导体膜及一对电极上形成第三氧化物半导体膜。接着，在第三氧化物半导体膜上形成第二闸极绝缘膜，在第二闸极绝缘膜上形成第二闸极电极。
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公开(公告)号：TWI644365B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW103142612
申请日：2014-12-08
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 山出直人 , YAMADE, NAOTO , 山元良高 , YAMAMOTO, YOSHITAKA , 須澤英臣 , SUZAWA, HIDEOMI , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 山根靖正 , YAMANE, YASUMASA
IPC: H01L21/336
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公开(公告)号：TW201528510A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103143320
申请日：2014-12-11
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 下村明久 , SHIMOMURA, AKIHISA , 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 山根靖正 , YAMANE, YASUMASA , 山元良高 , YAMAMOTO, YOSHITAKA , 須沢英臣 , SUZAWA, HIDEOMI , 田中哲弘 , TANAKA, TETSUHIRO , 岡崎豊 , OKAZAKI, YUTAKA , 奧野直樹 , OKUNO, NAOKI , 石山貴久 , ISHIYAMA, TAKAHISA
IPC: H01L29/772 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 本發明提供一種導通(開啟)時的電流大的電晶體。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括包含過剩氧的第一絕緣體；第一絕緣體上的第一氧化物半導體；第一氧化物半導體上的第二氧化物半導體；在第二氧化物半導體上間隔開地配置的第一導電體及第二導電體；與第一氧化物半導體的側面、第二氧化物半導體的頂面及側面、第一導電體的頂面及第二導電體的頂面接觸的第三氧化物半導體；第三氧化物半導體上的第二絕緣體；隔著第二絕緣體及第三氧化物半導體面對第二氧化物半導體的頂面及側面的第三導電體，其中，第一氧化物半導體的氧透過性高於第三氧化物半導體。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种导通(打开)时的电流大的晶体管。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括包含过剩氧的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物半导体；第一氧化物半导体上的第二氧化物半导体；在第二氧化物半导体上间隔开地配置的第一导电体及第二导电体；与第一氧化物半导体的侧面、第二氧化物半导体的顶面及侧面、第一导电体的顶面及第二导电体的顶面接触的第三氧化物半导体；第三氧化物半导体上的第二绝缘体；隔着第二绝缘体及第三氧化物半导体面对第二氧化物半导体的顶面及侧面的第三导电体，其中，第一氧化物半导体的氧透过性高于第三氧化物半导体。
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公开(公告)号：TWI666770B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW103143320
申请日：2014-12-11
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 下村明久 , SHIMOMURA, AKIHISA , 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 山根靖正 , YAMANE, YASUMASA , 山元良高 , YAMAMOTO, YOSHITAKA , 須沢英臣 , SUZAWA, HIDEOMI , 田中哲弘 , TANAKA, TETSUHIRO , 岡崎豊 , OKAZAKI, YUTAKA , 奧野直樹 , OKUNO, NAOKI , 石山貴久 , ISHIYAMA, TAKAHISA
IPC: H01L29/772 , H01L29/78
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公开(公告)号：TW389960B
公开(公告)日：2000-05-11
申请号：TW084112496
申请日：1995-11-23
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , 佳寶股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 一種形成TFT之活性層而不致使活性層的側表面受電漿損害的方法。方法首先在玻璃基體上形成結晶矽膜。接著將阻性罩模安置在矽膜上。矽膜以主要由氟化鹵素氣體構成的蝕刻氣體予以蝕刻，而形成活性層。在此程序中，蝕刻氣體並未改變成電漿，以避免活性層的側表面受電漿損害。氟化鹵素氣體可採用ClF3。
Abstract in simplified Chinese: 一种形成TFT之活性层而不致使活性层的侧表面受等离子损害的方法。方法首先在玻璃基体上形成结晶硅膜。接着将阻性罩模安置在硅膜上。硅膜以主要由氟化卤素气体构成的蚀刻气体予以蚀刻，而形成活性层。在此进程中，蚀刻气体并未改变成等离子，以避免活性层的侧表面受等离子损害。氟化卤素气体可采用ClF3。
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