公开(公告)号：TWI666770B

公开(公告)日：2019-07-21

申请号：TW103143320

申请日：2014-12-11

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  山元良高 ,  YAMAMOTO, YOSHITAKA ,  須沢英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  岡崎豊 ,  OKAZAKI, YUTAKA ,  奧野直樹 ,  OKUNO, NAOKI ,  石山貴久 ,  ISHIYAMA, TAKAHISA

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201528510A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103143320

申请日：2014-12-11

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  山元良高 ,  YAMAMOTO, YOSHITAKA ,  須沢英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  岡崎豊 ,  OKAZAKI, YUTAKA ,  奧野直樹 ,  OKUNO, NAOKI ,  石山貴久 ,  ISHIYAMA, TAKAHISA

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明提供一種導通(開啟)時的電流大的電晶體。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括包含過剩氧的第一絕緣體；第一絕緣體上的第一氧化物半導體；第一氧化物半導體上的第二氧化物半導體；在第二氧化物半導體上間隔開地配置的第一導電體及第二導電體；與第一氧化物半導體的側面、第二氧化物半導體的頂面及側面、第一導電體的頂面及第二導電體的頂面接觸的第三氧化物半導體；第三氧化物半導體上的第二絕緣體；隔著第二絕緣體及第三氧化物半導體面對第二氧化物半導體的頂面及側面的第三導電體，其中，第一氧化物半導體的氧透過性高於第三氧化物半導體。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种导通(打开)时的电流大的晶体管。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括包含过剩氧的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物半导体；第一氧化物半导体上的第二氧化物半导体；在第二氧化物半导体上间隔开地配置的第一导电体及第二导电体；与第一氧化物半导体的侧面、第二氧化物半导体的顶面及侧面、第一导电体的顶面及第二导电体的顶面接触的第三氧化物半导体；第三氧化物半导体上的第二绝缘体；隔着第二绝缘体及第三氧化物半导体面对第二氧化物半导体的顶面及侧面的第三导电体，其中，第一氧化物半导体的氧透过性高于第三氧化物半导体。