公开(公告)号：TW201528510A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103143320

申请日：2014-12-11

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  山元良高 ,  YAMAMOTO, YOSHITAKA ,  須沢英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  岡崎豊 ,  OKAZAKI, YUTAKA ,  奧野直樹 ,  OKUNO, NAOKI ,  石山貴久 ,  ISHIYAMA, TAKAHISA

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明提供一種導通(開啟)時的電流大的電晶體。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括包含過剩氧的第一絕緣體；第一絕緣體上的第一氧化物半導體；第一氧化物半導體上的第二氧化物半導體；在第二氧化物半導體上間隔開地配置的第一導電體及第二導電體；與第一氧化物半導體的側面、第二氧化物半導體的頂面及側面、第一導電體的頂面及第二導電體的頂面接觸的第三氧化物半導體；第三氧化物半導體上的第二絕緣體；隔著第二絕緣體及第三氧化物半導體面對第二氧化物半導體的頂面及側面的第三導電體，其中，第一氧化物半導體的氧透過性高於第三氧化物半導體。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种导通(打开)时的电流大的晶体管。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括包含过剩氧的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物半导体；第一氧化物半导体上的第二氧化物半导体；在第二氧化物半导体上间隔开地配置的第一导电体及第二导电体；与第一氧化物半导体的侧面、第二氧化物半导体的顶面及侧面、第一导电体的顶面及第二导电体的顶面接触的第三氧化物半导体；第三氧化物半导体上的第二绝缘体；隔着第二绝缘体及第三氧化物半导体面对第二氧化物半导体的顶面及侧面的第三导电体，其中，第一氧化物半导体的氧透过性高于第三氧化物半导体。

公开(公告)号：TW202003388A

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：TW108127550

申请日：2015-02-17

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  石山貴久 ,  ISHIYAMA, TAKAHISA ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  川鍋千穂 ,  KAWANABE, CHIHO ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI ,  石原典 ,  ISHIHARA, NORITAKA

IPC: C01G15/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24

Abstract: 本發明提供一種半導體膜、電晶體、半導體裝置、顯示裝置以及電子裝置。本發明提供一種氧化物半導體膜，使用束徑的半寬度為1nm的電子線在使氧化物半導體膜的位置與電子線的位置相對地移動時對氧化物半導體膜的被形成面進行照射，由此觀察到氧化物半導體膜具有的多個電子繞射圖案，多個電子繞射圖案具有在彼此不同的觀察地點觀察的50個以上的電子繞射圖案，第一電子繞射圖案與第二電子繞射圖案所占的比率之和為100%，第一電子繞射圖案所占的比率為90%以上，第一電子繞射圖案包括表示c軸朝向大致垂直於氧化物半導體膜的被形成面的方向的觀察點，第二電子繞射圖案包括不具有對稱性的觀察點或配置為如圓圈那樣的觀察區域。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体设备、显示设备以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子绕射图案，多个电子绕射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子绕射图案，第一电子绕射图案与第二电子绕射图案所占的比率之和为100%，第一电子绕射图案所占的比率为90%以上，第一电子绕射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子绕射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。

公开(公告)号：TWI675004B

公开(公告)日：2019-10-21

申请号：TW104105678

申请日：2015-02-17

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  石山貴久 ,  ISHIYAMA, TAKAHISA ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  川鍋 千穂 ,  KAWANABE, CHIHO ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI ,  石原典隆 ,  ISHIHARA, NORITAKA

IPC: C01G15/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24

公开(公告)号：TWI666770B

公开(公告)日：2019-07-21

申请号：TW103143320

申请日：2014-12-11

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  山元良高 ,  YAMAMOTO, YOSHITAKA ,  須沢英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  岡崎豊 ,  OKAZAKI, YUTAKA ,  奧野直樹 ,  OKUNO, NAOKI ,  石山貴久 ,  ISHIYAMA, TAKAHISA

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201544458A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW104105678

申请日：2015-02-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  石山貴久 ,  ISHIYAMA, TAKAHISA ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  川鍋 千穂 ,  KAWANABE, CHIHO ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI ,  石原典隆 ,  ISHIHARA, NORITAKA

IPC: C01G15/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明提供一種半導體膜、電晶體、半導體裝置、顯示裝置以及電子裝置。本發明提供一種氧化物半導體膜，使用束徑的半寬度為1nm的電子線在使氧化物半導體膜的位置與電子線的位置相對地移動時對氧化物半導體膜的被形成面進行照射，由此觀察到氧化物半導體膜具有的多個電子繞射圖案，多個電子繞射圖案具有在彼此不同的觀察地點觀察的50個以上的電子繞射圖案，第一電子繞射圖案與第二電子繞射圖案所占的比率之和為100%，第一電子繞射圖案所占的比率為90%以上，第一電子繞射圖案包括表示c軸朝向大致垂直於氧化物半導體膜的被形成面的方向的觀察點，第二電子繞射圖案包括不具有對稱性的觀察點或配置為如圓圈那樣的觀察區域。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体设备、显示设备以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子绕射图案，多个电子绕射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子绕射图案，第一电子绕射图案与第二电子绕射图案所占的比率之和为100%，第一电子绕射图案所占的比率为90%以上，第一电子绕射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子绕射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。

公开(公告)号：TW201830708A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106138508

申请日：2017-11-07

Applicant: 日商半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO ,  岡崎豊 ,  OKAZAKI, YUTAKA ,  石山貴久 ,  ISHIYAMA, TAKAHISA

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種能夠長期間保持資料的半導體裝置。本發明的一個實施方式是一種半導體裝置，包括第一電晶體、覆蓋第一電晶體的絕緣體以及絕緣體上的第二電晶體，其中，第一電晶體包括第一閘極電極、與第一閘極電極重疊的第二閘極電極以及第一閘極電極與第二閘極電極之間的半導體，並且，第一閘極電極電連接於第二電晶體的源極和汲極中的一個。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种能够长期间保持数据的半导体设备。本发明的一个实施方式是一种半导体设备，包括第一晶体管、覆盖第一晶体管的绝缘体以及绝缘体上的第二晶体管，其中，第一晶体管包括第一闸极电极、与第一闸极电极重叠的第二闸极电极以及第一闸极电极与第二闸极电极之间的半导体，并且，第一闸极电极电连接于第二晶体管的源极和汲极中的一个。

公开(公告)号：TW201816988A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW106124008

申请日：2017-07-18

Applicant: 半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  方堂涼太 ,  HODO, RYOTA ,  石山貴久 ,  ISHIYAMA, TAKAHISA

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

Abstract: 本發明提供一種穩定的電特性的半導體裝置。本發明提供一種適合於微細化及高密度化的可靠性高的半導體裝置。本發明是一種半導體裝置，包括：第一障壁層；第二障壁層；第三障壁層；具有氧化物的電晶體；絕緣體；以及導電體，其中，絕緣體包括過量氧區域，絕緣體及氧化物配置在第一障壁層與第二障壁層之間，並且，導電體隔著第三障壁層配置於第一障壁層的開口、第二障壁層的開口、絕緣體的開口中。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种稳定的电特性的半导体设备。本发明提供一种适合于微细化及高密度化的可靠性高的半导体设备。本发明是一种半导体设备，包括：第一障壁层；第二障壁层；第三障壁层；具有氧化物的晶体管；绝缘体；以及导电体，其中，绝缘体包括过量氧区域，绝缘体及氧化物配置在第一障壁层与第二障壁层之间，并且，导电体隔着第三障壁层配置于第一障壁层的开口、第二障壁层的开口、绝缘体的开口中。