公开(公告)号：TW201705472A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105109577

申请日：2016-03-25

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明的目的之一是使半導體裝置具有良好的電特性或者提供一種可靠性高的半導體裝置。電晶體包括第一氧化物膜，第一氧化物膜包含銦、元素M以及鋅，第一氧化物膜包括銦、元素M以及鋅的原子數比滿足銦：元素M：鋅=xb：yb：zb的區域，xb：yb：zb滿足(1-α1)：(1+α1)：m1或(1-α2)：(1+α2)：m2，α1為-0.43以上且0.18以下，α2為-0.78以上且0.42以下，m1及m2大於0.7且1以下。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是使半导体设备具有良好的电特性或者提供一种可靠性高的半导体设备。晶体管包括第一氧化物膜，第一氧化物膜包含铟、元素M以及锌，第一氧化物膜包括铟、元素M以及锌的原子数比满足铟：元素M：锌=xb：yb：zb的区域，xb：yb：zb满足(1-α1)：(1+α1)：m1或(1-α2)：(1+α2)：m2，α1为-0.43以上且0.18以下，α2为-0.78以上且0.42以下，m1及m2大于0.7且1以下。

公开(公告)号：TWI557928B

公开(公告)日：2016-11-11

申请号：TW099113686

申请日：2010-04-29

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  井坂史人 ,  ISAKA, FUMITO ,  加藤翔 ,  KATO, SHO

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：TW201528510A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103143320

申请日：2014-12-11

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  山元良高 ,  YAMAMOTO, YOSHITAKA ,  須沢英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  岡崎豊 ,  OKAZAKI, YUTAKA ,  奧野直樹 ,  OKUNO, NAOKI ,  石山貴久 ,  ISHIYAMA, TAKAHISA

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明提供一種導通(開啟)時的電流大的電晶體。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括包含過剩氧的第一絕緣體；第一絕緣體上的第一氧化物半導體；第一氧化物半導體上的第二氧化物半導體；在第二氧化物半導體上間隔開地配置的第一導電體及第二導電體；與第一氧化物半導體的側面、第二氧化物半導體的頂面及側面、第一導電體的頂面及第二導電體的頂面接觸的第三氧化物半導體；第三氧化物半導體上的第二絕緣體；隔著第二絕緣體及第三氧化物半導體面對第二氧化物半導體的頂面及側面的第三導電體，其中，第一氧化物半導體的氧透過性高於第三氧化物半導體。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种导通(打开)时的电流大的晶体管。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括包含过剩氧的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物半导体；第一氧化物半导体上的第二氧化物半导体；在第二氧化物半导体上间隔开地配置的第一导电体及第二导电体；与第一氧化物半导体的侧面、第二氧化物半导体的顶面及侧面、第一导电体的顶面及第二导电体的顶面接触的第三氧化物半导体；第三氧化物半导体上的第二绝缘体；隔着第二绝缘体及第三氧化物半导体面对第二氧化物半导体的顶面及侧面的第三导电体，其中，第一氧化物半导体的氧透过性高于第三氧化物半导体。

公开(公告)号：TW201511282A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：TW103121891

申请日：2014-06-25

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小林由幸 ,  KOBAYASHI, YOSHIYUKI ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78648

Abstract: 本發明的一個方式提供一種能夠使大電流流過的半導體裝置。或者，可以提供一種以高驅動電壓穩定地驅動的半導體裝置。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：半導體層；與半導體層電連接且在與半導體層重疊的區域隔開的第一電極及第二電極；夾著半導體層設置的第一閘極電極及第二閘極電極；半導體層與第一閘極電極之間的第一閘極絕緣層；以及半導體層與第二閘極電極之間的第二閘極絕緣層。第一閘極電極以與第一電極的一部分、半導體層及第二電極的一部分重疊的方式設置，第二閘極電極以與第一電極的一部分及半導體層重疊且不與第二電極重疊的方式設置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供一种能够使大电流流过的半导体设备。或者，可以提供一种以高驱动电压稳定地驱动的半导体设备。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：半导体层；与半导体层电连接且在与半导体层重叠的区域隔开的第一电极及第二电极；夹着半导体层设置的第一闸极电极及第二闸极电极；半导体层与第一闸极电极之间的第一闸极绝缘层；以及半导体层与第二闸极电极之间的第二闸极绝缘层。第一闸极电极以与第一电极的一部分、半导体层及第二电极的一部分重叠的方式设置，第二闸极电极以与第一电极的一部分及半导体层重叠且不与第二电极重叠的方式设置。

公开(公告)号：TWI476870B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：TW097111444

申请日：2008-03-28

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  比嘉榮二 ,  HIGA, EIJI ,  永野庸治 ,  NAGANO, YOJI ,  溝井達也 ,  MIZOI, TATSUYA ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/84

公开(公告)号：TWI469330B

公开(公告)日：2015-01-11

申请号：TW097135189

申请日：2008-09-12

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 大沼英人 ,  OHNUMA, HIDETO ,  飯窪陽一 ,  IIKUBO, YOICHI ,  山本孔明 ,  YAMAMOTO, YOSHIAKI ,  牧野賢一郎 ,  MAKINO, KENICHIRO ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  比嘉榮二 ,  HIGA, EIJI ,  溝井達也 ,  MIZOI, TATSUYA ,  永野庸治 ,  NAGANO, YOJI ,  井坂史人 ,  ISAKA, FUMITO ,  掛端哲彌 ,  KAKEHATA, TETSUYA ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

公开(公告)号：TWI261358B

公开(公告)日：2006-09-01

申请号：TW092101725

申请日：2003-01-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 磯部敦生 ISOBE, ATSUO ,  山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI ,  荒尾達也 ARAO, TATSUYA ,  宮入秀和 MIYAIRI HIDEKAZU ,  田中幸一郎 TANAKA, KOICHIRO ,  小久保千穗 ,  下村明久

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 為了提供由半導體元件或半導體元件組組成的半導體裝置，其中在通道形成區中具有盡可能少的晶粒邊界的結晶半導體膜形成於絕緣表面上，其可以高速運轉，並具有高的電流驅動性能，且其在元件之間更少波動。本發明的方法包含：在具有絕緣表面的基底上形成有開口的絕緣膜；在絕緣膜上和開口之上形成具有任意形成的晶粒邊界的非晶半導體膜或多晶半導體膜；藉由融化半導體膜，將融化的半導體灌入絕緣膜的開口中，並晶化或再結晶半導體膜形成結晶半導體膜；除去在開口中的結晶半導體膜部分之外的結晶半導體膜以形成與結晶半導體膜的頂面接觸閘極絕緣膜和閘極電極。

Abstract in simplified Chinese: 为了提供由半导体组件或半导体组件组组成的半导体设备，其中在信道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，并具有高的电流驱动性能，且其在组件之间更少波动。本发明的方法包含：在具有绝缘表面的基底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；借由融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或再结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触闸极绝缘膜和闸极电极。

公开(公告)号：TWI695502B

公开(公告)日：2020-06-01

申请号：TW104113596

申请日：2015-04-28

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 八窪裕人 ,  YAKUBO, YUTO ,  本堂英 ,  HONDO, SUGURU ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  長塚修平 ,  NAGATSUKA, SHUHEI

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW202003388A

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：TW108127550

申请日：2015-02-17

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  石山貴久 ,  ISHIYAMA, TAKAHISA ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  川鍋千穂 ,  KAWANABE, CHIHO ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI ,  石原典 ,  ISHIHARA, NORITAKA

IPC: C01G15/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24

Abstract: 本發明提供一種半導體膜、電晶體、半導體裝置、顯示裝置以及電子裝置。本發明提供一種氧化物半導體膜，使用束徑的半寬度為1nm的電子線在使氧化物半導體膜的位置與電子線的位置相對地移動時對氧化物半導體膜的被形成面進行照射，由此觀察到氧化物半導體膜具有的多個電子繞射圖案，多個電子繞射圖案具有在彼此不同的觀察地點觀察的50個以上的電子繞射圖案，第一電子繞射圖案與第二電子繞射圖案所占的比率之和為100%，第一電子繞射圖案所占的比率為90%以上，第一電子繞射圖案包括表示c軸朝向大致垂直於氧化物半導體膜的被形成面的方向的觀察點，第二電子繞射圖案包括不具有對稱性的觀察點或配置為如圓圈那樣的觀察區域。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体设备、显示设备以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子绕射图案，多个电子绕射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子绕射图案，第一电子绕射图案与第二电子绕射图案所占的比率之和为100%，第一电子绕射图案所占的比率为90%以上，第一电子绕射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子绕射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。

公开(公告)号：TW201529876A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103143321

申请日：2014-12-11

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  山田良則 ,  YAMADA, YOSHINORI ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02631 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明的一個方式的目的之一是提供一種可用於電晶體的半導體等的結晶氧化物半導體。本發明的一個方式是一種使用濺射裝置的氧化物半導體的製造方法，其中，該濺射裝置包括：包含銦、元素M(鋁、鎵、釔或錫)、鋅及氧的靶材；與靶材的表面對置的基板；以及設置在靶材的背面一側的包含第一磁鐵及第二磁鐵的磁鐵單元，並且，在經過從磁鐵單元向基板的垂直距離為10mm的地點且平行於靶材的背面的平面中的水平磁場的最大強度為350G以上且2000G以下的條件下進行成膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种可用于晶体管的半导体等的结晶氧化物半导体。本发明的一个方式是一种使用溅射设备的氧化物半导体的制造方法，其中，该溅射设备包括：包含铟、元素M(铝、镓、钇或锡)、锌及氧的靶材；与靶材的表面对置的基板；以及设置在靶材的背面一侧的包含第一磁铁及第二磁铁的磁铁单元，并且，在经过从磁铁单元向基板的垂直距离为10mm的地点且平行于靶材的背面的平面中的水平磁场的最大强度为350G以上且2000G以下的条件下进行成膜。