公开(公告)号：TWI650834B

公开(公告)日：2019-02-11

申请号：TW104106498

申请日：2015-03-02

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  山田良則 ,  YAMADA, YOSHINORI ,  野中裕介 ,  NONAKA, YUSUKE ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI ,  黒澤陽一 ,  KUROSAWA, YOICHI ,  石原典 ,  ISHIHARA, NORITAKA ,  浜田崇 ,  HAMADA, TAKASHI ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  恵木勇司 ,  EGI, YUJI

IPC: H01L21/822 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TWI643969B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：TW103143321

申请日：2014-12-11

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  山田良則 ,  YAMADA, YOSHINORI ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/335

公开(公告)号：TW201529876A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103143321

申请日：2014-12-11

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  山田良則 ,  YAMADA, YOSHINORI ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02631 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明的一個方式的目的之一是提供一種可用於電晶體的半導體等的結晶氧化物半導體。本發明的一個方式是一種使用濺射裝置的氧化物半導體的製造方法，其中，該濺射裝置包括：包含銦、元素M(鋁、鎵、釔或錫)、鋅及氧的靶材；與靶材的表面對置的基板；以及設置在靶材的背面一側的包含第一磁鐵及第二磁鐵的磁鐵單元，並且，在經過從磁鐵單元向基板的垂直距離為10mm的地點且平行於靶材的背面的平面中的水平磁場的最大強度為350G以上且2000G以下的條件下進行成膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种可用于晶体管的半导体等的结晶氧化物半导体。本发明的一个方式是一种使用溅射设备的氧化物半导体的制造方法，其中，该溅射设备包括：包含铟、元素M(铝、镓、钇或锡)、锌及氧的靶材；与靶材的表面对置的基板；以及设置在靶材的背面一侧的包含第一磁铁及第二磁铁的磁铁单元，并且，在经过从磁铁单元向基板的垂直距离为10mm的地点且平行于靶材的背面的平面中的水平磁场的最大强度为350G以上且2000G以下的条件下进行成膜。

公开(公告)号：TW201537682A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW104106498

申请日：2015-03-02

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  山田良則 ,  YAMADA, YOSHINORI ,  野中裕介 ,  NONAKA, YUSUKE ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI ,  黒澤陽一 ,  KUROSAWA, YOICHI ,  石原典 ,  ISHIHARA, NORITAKA ,  浜田崇 ,  HAMADA, TAKASHI ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  恵木勇司 ,  EGI, YUJI

IPC: H01L21/822 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一種可用於電晶體的半導體等的氧化物的製造方法。尤其是，提供一種晶界等缺陷少的氧化物的製造方法。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：氧化物半導體；絕緣體；以及導電體，其中，氧化物半導體包括氧化物半導體與導電體隔著絕緣體彼此重疊的區域，並且，氧化物半導體包含等效圓直徑為1nm以上的晶粒和等效圓直徑小於1nm的晶粒。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种可用于晶体管的半导体等的氧化物的制造方法。尤其是，提供一种晶界等缺陷少的氧化物的制造方法。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：氧化物半导体；绝缘体；以及导电体，其中，氧化物半导体包括氧化物半导体与导电体隔着绝缘体彼此重叠的区域，并且，氧化物半导体包含等效圆直径为1nm以上的晶粒和等效圆直径小于1nm的晶粒。