公开(公告)号：TWI650834B

公开(公告)日：2019-02-11

申请号：TW104106498

申请日：2015-03-02

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  山田良則 ,  YAMADA, YOSHINORI ,  野中裕介 ,  NONAKA, YUSUKE ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI ,  黒澤陽一 ,  KUROSAWA, YOICHI ,  石原典 ,  ISHIHARA, NORITAKA ,  浜田崇 ,  HAMADA, TAKASHI ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  恵木勇司 ,  EGI, YUJI

IPC: H01L21/822 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TW201707204A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：TW105111498

申请日：2016-04-13

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  遠藤俊 ,  ENDO, TOSHIYA ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  恵木勇司 ,  EGI, YUJI ,  手祐朗 ,  TEZUKA, SACHIAKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648

Abstract: 本發明提供一種具有穩定的電特性的電晶體。本發明的一個實施方式是一種半導體裝置，該半導體裝置包括形成在基板上的第一絕緣體、形成在第一絕緣體上的第二絕緣體、以與第二絕緣體的頂面的至少一部分接觸的方式形成的氧化物半導體、以與氧化物半導體的頂面的至少一部分接觸的方式形成的第三絕緣體、與氧化物半導體電連接的第一導電體及第二導電體、形成在第三絕緣體上的第四絕緣體、形成在第四絕緣體上且其至少一部分位於第一導電體與第二導電體之間的第三導電體、形成在第三導電體上的第五絕緣體，其中第一絕緣體包含鹵素元素。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种具有稳定的电特性的晶体管。本发明的一个实施方式是一种半导体设备，该半导体设备包括形成在基板上的第一绝缘体、形成在第一绝缘体上的第二绝缘体、以与第二绝缘体的顶面的至少一部分接触的方式形成的氧化物半导体、以与氧化物半导体的顶面的至少一部分接触的方式形成的第三绝缘体、与氧化物半导体电连接的第一导电体及第二导电体、形成在第三绝缘体上的第四绝缘体、形成在第四绝缘体上且其至少一部分位于第一导电体与第二导电体之间的第三导电体、形成在第三导电体上的第五绝缘体，其中第一绝缘体包含卤素元素。

公开(公告)号：TWI693715B

公开(公告)日：2020-05-11

申请号：TW105111498

申请日：2016-04-13

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  遠藤俊 ,  ENDO, TOSHIYA ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  恵木勇司 ,  EGI, YUJI ,  手祐朗 ,  TEZUKA, SACHIAKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TW201537682A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW104106498

申请日：2015-03-02

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  山田良則 ,  YAMADA, YOSHINORI ,  野中裕介 ,  NONAKA, YUSUKE ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI ,  黒澤陽一 ,  KUROSAWA, YOICHI ,  石原典 ,  ISHIHARA, NORITAKA ,  浜田崇 ,  HAMADA, TAKASHI ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  恵木勇司 ,  EGI, YUJI

IPC: H01L21/822 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一種可用於電晶體的半導體等的氧化物的製造方法。尤其是，提供一種晶界等缺陷少的氧化物的製造方法。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：氧化物半導體；絕緣體；以及導電體，其中，氧化物半導體包括氧化物半導體與導電體隔著絕緣體彼此重疊的區域，並且，氧化物半導體包含等效圓直徑為1nm以上的晶粒和等效圓直徑小於1nm的晶粒。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种可用于晶体管的半导体等的氧化物的制造方法。尤其是，提供一种晶界等缺陷少的氧化物的制造方法。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：氧化物半导体；绝缘体；以及导电体，其中，氧化物半导体包括氧化物半导体与导电体隔着绝缘体彼此重叠的区域，并且，氧化物半导体包含等效圆直径为1nm以上的晶粒和等效圆直径小于1nm的晶粒。