公开(公告)号：TWI642187B

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：TW103144333

申请日：2014-12-18

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  津吹将志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  竹內敏彥 ,  TAKEUCHI, TOSHIHIKO ,  徳丸亮 ,  TOKUMARU, RYO ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  鳥海聡志 ,  TORIUMI, SATOSHI ,  大槻高志 ,  OHTSUKI, TAKASHI ,  遠藤俊 ,  ENDO, TOSHIYA

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI650834B

公开(公告)日：2019-02-11

申请号：TW104106498

申请日：2015-03-02

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  山田良則 ,  YAMADA, YOSHINORI ,  野中裕介 ,  NONAKA, YUSUKE ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI ,  黒澤陽一 ,  KUROSAWA, YOICHI ,  石原典 ,  ISHIHARA, NORITAKA ,  浜田崇 ,  HAMADA, TAKASHI ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  恵木勇司 ,  EGI, YUJI

IPC: H01L21/822 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TWI693715B

公开(公告)日：2020-05-11

申请号：TW105111498

申请日：2016-04-13

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  遠藤俊 ,  ENDO, TOSHIYA ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  恵木勇司 ,  EGI, YUJI ,  手祐朗 ,  TEZUKA, SACHIAKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TWI612675B

公开(公告)日：2018-01-21

申请号：TW106103299

申请日：2011-05-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 遠藤佑太 ,  ENDO, YUTA ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI ,  佐藤瑞穗 ,  SATO, MIZUHO ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  遠藤俊彌 ,  ENDO, TOSHIYA

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

公开(公告)号：TWI581439B

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW105105939

申请日：2011-06-29

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  遠藤俊彌 ,  ENDO, TOSHIYA ,  鈴木邦彥 ,  SUZUKI, KUNIHIKO ,  竹村保彥 ,  TAKEMURA, YASUHIKO

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/7869

公开(公告)号：TW201628097A

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW105110769

申请日：2010-11-01

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  保本清治 ,  YASUMOTO, SEIJI ,  真城瞬 ,  MASHIRO, SHUN ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/44 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/34 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/67167 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明的目的係以高速驅動半導體裝置，或者提高該半導體裝置的可靠性。在製造該半導體裝置的方法中，其中閘極電極形成在具有絕緣特性的基板上，閘極絕緣膜形成在該閘極電極上，及氧化物半導體膜形成在該閘極絕緣膜上，該閘極絕緣膜係使用高密度電漿以沉積處理所形成。因此，降低該閘極絕緣膜中的懸鍵，及提高該閘極絕緣膜和該氧化物半導體之間的介面之品質。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的系以高速驱动半导体设备，或者提高该半导体设备的可靠性。在制造该半导体设备的方法中，其中闸极电极形成在具有绝缘特性的基板上，闸极绝缘膜形成在该闸极电极上，及氧化物半导体膜形成在该闸极绝缘膜上，该闸极绝缘膜系使用高密度等离子以沉积处理所形成。因此，降低该闸极绝缘膜中的悬键，及提高该闸极绝缘膜和该氧化物半导体之间的界面之品质。

公开(公告)号：TWI525831B

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：TW099120639

申请日：2010-06-24

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 中嶋都 ,  NAKAJIMA, MIYAKO ,  宮入秀和 ,  MIYAIRI, HIDEKAZU ,  伊佐敏行 ,  ISA, TOSHIYUKI ,  加藤繪里香 ,  KATO, ERIKA ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  栗城和貴 ,  KURIKI, KAZUTAKA ,  橫井智和 ,  YOKOI, TOMOKAZU

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI450322B

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：TW098108469

申请日：2009-03-16

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 古野誠 ,  FURUNO, MAKOTO ,  杉山徹朗 ,  SUGIYAMA, TETSUO ,  野澤太一 ,  NOZAWA, TAICHI ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  田島亮太 ,  TAJIMA, RYOTA ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/205 ,  H05H1/16 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L27/127 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201733127A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW106111746

申请日：2013-07-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  家田義紀 ,  IEDA, YOSHINORI ,  宮本敏行 ,  MIYAMOTO, TOSHIYUKI ,  野村昌史 ,  NOMURA, MASAFUMI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  遠藤俊 ,  ENDO, TOSHIYA

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L27/1207 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1225

Abstract: 本發明的一個方式提供一種在氧化物半導體的電晶體中能夠抑制氫擴散到氧化物半導體膜中的絕緣膜。另外，提供一種半導體裝置，該半導體裝置包括使用矽半導體的電晶體及使用氧化物半導體的電晶體並具有良好的電特性。在使用矽半導體的電晶體與使用氧化物半導體的電晶體之間設置具有彼此不同功能的兩個氮化絕緣膜。明確而言，在使用矽半導體的電晶體上設置含有氫的第一氮化絕緣膜，並且在該第一氮化絕緣膜與使用氧化物半導體的電晶體之間設置具有比第一氮化絕緣膜低的含氫量且用作氫障壁膜第二氮化絕緣膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供一种在氧化物半导体的晶体管中能够抑制氢扩散到氧化物半导体膜中的绝缘膜。另外，提供一种半导体设备，该半导体设备包括使用硅半导体的晶体管及使用氧化物半导体的晶体管并具有良好的电特性。在使用硅半导体的晶体管与使用氧化物半导体的晶体管之间设置具有彼此不同功能的两个氮化绝缘膜。明确而言，在使用硅半导体的晶体管上设置含有氢的第一氮化绝缘膜，并且在该第一氮化绝缘膜与使用氧化物半导体的晶体管之间设置具有比第一氮化绝缘膜低的含氢量且用作氢障壁膜第二氮化绝缘膜。

公开(公告)号：TW201707204A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：TW105111498

申请日：2016-04-13

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  遠藤俊 ,  ENDO, TOSHIYA ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  恵木勇司 ,  EGI, YUJI ,  手祐朗 ,  TEZUKA, SACHIAKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648

Abstract: 本發明提供一種具有穩定的電特性的電晶體。本發明的一個實施方式是一種半導體裝置，該半導體裝置包括形成在基板上的第一絕緣體、形成在第一絕緣體上的第二絕緣體、以與第二絕緣體的頂面的至少一部分接觸的方式形成的氧化物半導體、以與氧化物半導體的頂面的至少一部分接觸的方式形成的第三絕緣體、與氧化物半導體電連接的第一導電體及第二導電體、形成在第三絕緣體上的第四絕緣體、形成在第四絕緣體上且其至少一部分位於第一導電體與第二導電體之間的第三導電體、形成在第三導電體上的第五絕緣體，其中第一絕緣體包含鹵素元素。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种具有稳定的电特性的晶体管。本发明的一个实施方式是一种半导体设备，该半导体设备包括形成在基板上的第一绝缘体、形成在第一绝缘体上的第二绝缘体、以与第二绝缘体的顶面的至少一部分接触的方式形成的氧化物半导体、以与氧化物半导体的顶面的至少一部分接触的方式形成的第三绝缘体、与氧化物半导体电连接的第一导电体及第二导电体、形成在第三绝缘体上的第四绝缘体、形成在第四绝缘体上且其至少一部分位于第一导电体与第二导电体之间的第三导电体、形成在第三导电体上的第五绝缘体，其中第一绝缘体包含卤素元素。