公开(公告)号：TWI642187B

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：TW103144333

申请日：2014-12-18

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  津吹将志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  竹內敏彥 ,  TAKEUCHI, TOSHIHIKO ,  徳丸亮 ,  TOKUMARU, RYO ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  鳥海聡志 ,  TORIUMI, SATOSHI ,  大槻高志 ,  OHTSUKI, TAKASHI ,  遠藤俊 ,  ENDO, TOSHIYA

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201530763A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103144333

申请日：2014-12-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  津吹将志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  竹內敏彥 ,  TAKEUCHI, TOSHIHIKO ,  徳丸亮 ,  TOKUMARU, RYO ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  鳥海聡志 ,  TORIUMI, SATOSHI ,  大槻高志 ,  OHTSUKI, TAKASHI ,  遠藤俊 ,  ENDO, TOSHIYA

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 在使用具有氧化物半導體的電晶體的半導體裝置中，抑制電特性的變動，並且提高可靠性。本發明的一個方式是一種半導體裝置，該半導體裝置包括：絕緣表面上的氧化物半導體膜；絕緣表面及氧化物半導體膜上的氧化防止膜；接觸於氧化防止膜的一對電極；一對電極上的閘極絕緣膜；以及與氧化物半導體膜重疊並在閘極絕緣膜上的閘極電極，氧化防止膜的與一對電極重疊的區域的寬度比不與一對電極重疊的區域的寬度長。

Abstract in simplified Chinese: 在使用具有氧化物半导体的晶体管的半导体设备中，抑制电特性的变动，并且提高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体设备，该半导体设备包括：绝缘表面上的氧化物半导体膜；绝缘表面及氧化物半导体膜上的氧化防止膜；接触于氧化防止膜的一对电极；一对电极上的闸极绝缘膜；以及与氧化物半导体膜重叠并在闸极绝缘膜上的闸极电极，氧化防止膜的与一对电极重叠的区域的宽度比不与一对电极重叠的区域的宽度长。

公开(公告)号：TW201448228A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103113677

申请日：2014-04-15

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 野田耕生 ,  NODA, KOSEI ,  鳥海聡志 ,  TORIUMI, SATOSHI ,  種村和幸 ,  TANEMURA, KAZUKI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

Abstract: 本發明的一個方式提高使用氧化物半導體的半導體裝置的電特性。此外，本發明的一個方式製造電特性的變動少的可靠性高的半導體裝置。本發明的一個方式是一種用作基底絕緣膜的氧氮化絕緣膜以及與該氧氮化絕緣膜接觸地設置的電晶體，其中，該電晶體包括與用作基底絕緣膜的氧氮化絕緣膜接觸的氧化物半導體膜。此外，質量數32的氣體的釋放量的兩倍和氧氮化絕緣膜的藉由加熱處理釋放的質量數30的氣體的釋放量的總和是5×1015/cm2以上且5×1016/cm2以下或5×1015/cm2以上且3×1016/cm2以下。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提高使用氧化物半导体的半导体设备的电特性。此外，本发明的一个方式制造电特性的变动少的可靠性高的半导体设备。本发明的一个方式是一种用作基底绝缘膜的氧氮化绝缘膜以及与该氧氮化绝缘膜接触地设置的晶体管，其中，该晶体管包括与用作基底绝缘膜的氧氮化绝缘膜接触的氧化物半导体膜。此外，质量数32的气体的释放量的两倍和氧氮化绝缘膜的借由加热处理释放的质量数30的气体的释放量的总和是5×1015/cm2以上且5×1016/cm2以下或5×1015/cm2以上且3×1016/cm2以下。