公开(公告)号：TWI642187B

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：TW103144333

申请日：2014-12-18

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  津吹将志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  竹內敏彥 ,  TAKEUCHI, TOSHIHIKO ,  徳丸亮 ,  TOKUMARU, RYO ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  鳥海聡志 ,  TORIUMI, SATOSHI ,  大槻高志 ,  OHTSUKI, TAKASHI ,  遠藤俊 ,  ENDO, TOSHIYA

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI601188B

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW099127118

申请日：2010-08-13

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 鳥海聰志 ,  TORIUMI, SATOSHI ,  田島亮太 ,  TAJIMA, RYOTA ,  大槻高志 ,  OHTSUKI, TAKASHI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  德丸亮 ,  TOKUMARU, RYO ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  栗城和貴 ,  KURIKI, KAZUTAKA ,  橫井智和 ,  YOKOI, TOMOKAZU ,  遠藤俊彌 ,  ENDO, TOSHIYA ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/505

CPC classification number: H01J37/32541 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201530763A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103144333

申请日：2014-12-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  津吹将志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  竹內敏彥 ,  TAKEUCHI, TOSHIHIKO ,  徳丸亮 ,  TOKUMARU, RYO ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  鳥海聡志 ,  TORIUMI, SATOSHI ,  大槻高志 ,  OHTSUKI, TAKASHI ,  遠藤俊 ,  ENDO, TOSHIYA

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 在使用具有氧化物半導體的電晶體的半導體裝置中，抑制電特性的變動，並且提高可靠性。本發明的一個方式是一種半導體裝置，該半導體裝置包括：絕緣表面上的氧化物半導體膜；絕緣表面及氧化物半導體膜上的氧化防止膜；接觸於氧化防止膜的一對電極；一對電極上的閘極絕緣膜；以及與氧化物半導體膜重疊並在閘極絕緣膜上的閘極電極，氧化防止膜的與一對電極重疊的區域的寬度比不與一對電極重疊的區域的寬度長。

Abstract in simplified Chinese: 在使用具有氧化物半导体的晶体管的半导体设备中，抑制电特性的变动，并且提高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体设备，该半导体设备包括：绝缘表面上的氧化物半导体膜；绝缘表面及氧化物半导体膜上的氧化防止膜；接触于氧化防止膜的一对电极；一对电极上的闸极绝缘膜；以及与氧化物半导体膜重叠并在闸极绝缘膜上的闸极电极，氧化防止膜的与一对电极重叠的区域的宽度比不与一对电极重叠的区域的宽度长。

公开(公告)号：TWI562201B

公开(公告)日：2016-12-11

申请号：TW100125969

申请日：2011-07-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 田島亮太 ,  TAJIMA, RYOTA ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  大槻高志 ,  OHTSUKI, TAKASHI ,  德丸亮 ,  TOKUMARU, RYO ,  惠木勇司 ,  EGI, YUJI ,  加藤繪里香 ,  KATO, ERIKA ,  森久保都 ,  MORIKUBO, MIYAKO

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  C30B25/105 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648

公开(公告)号：TWI514595B

公开(公告)日：2015-12-21

申请号：TW098131763

申请日：2009-09-21

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 加藤翔 ,  KATO, SHO ,  樋浦吉和 ,  HIURA, YOSHIKAZU ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  大槻高志 ,  OHTSUKI, TAKASHI ,  鳥海聰志 ,  TORIUMI, SATOSHI ,  荒井康行 ,  ARAI, YASUYUKI

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/077 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：TWI458018B

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：TW098103529

申请日：2009-02-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  大槻高志 ,  OHTSUKI, TAKASHI ,  保本清治 ,  YASUMOTO, SEIJI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1266 ,  C23C16/02 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13