公开(公告)号：TW201135896A

公开(公告)日：2011-10-16

申请号：TW100106856

申请日：2011-03-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 ,  余佳霖 ,  黃見翎 ,  張宏賓 ,  林詠淇 ,  洪瑞斌

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L33/644 ,  H01L33/647 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48233 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 具有穿矽插塞(或導孔)的基板可不需使用導電凸塊。製程流程非常簡單且有成本效益。本結構將個別的矽穿孔、重分佈層及導電凸塊結構結合至單一結構中。經由結合個別的結構,可以得到一具有高散熱能力的低電阻電性連接。另外,具有穿矽插塞(或導孔,或溝槽)的基板也使得複數個晶片可以封裝在一起。穿矽溝槽可圍繞一個或多個晶片,以在製程中避免銅擴散到鄰近裝置。另外,複數個具有相似或相異功能的晶片可整合在矽穿孔基板上。具不同圖案的穿矽插塞可用在一半導體晶片之下以增進散熱及解決製程問題。

Abstract in simplified Chinese: 具有穿硅插塞(或导孔)的基板可不需使用导电凸块。制程流程非常简单且有成本效益。本结构将个别的硅穿孔、重分布层及导电凸块结构结合至单一结构中。经由结合个别的结构,可以得到一具有高散热能力的低电阻电性连接。另外,具有穿硅插塞(或导孔,或沟槽)的基板也使得复数个芯片可以封装在一起。穿硅沟槽可围绕一个或多个芯片,以在制程中避免铜扩散到邻近设备。另外,复数个具有相似或相异功能的芯片可集成在硅穿孔基板上。具不同图案的穿硅插塞可用在一半导体芯片之下以增进散热及解决制程问题。

公开(公告)号：TW201135884A

公开(公告)日：2011-10-16

申请号：TW100102608

申请日：2011-01-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 ,  張宏賓 ,  林詠淇 ,  余佳霖 ,  洪瑞斌 ,  黃見翎

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L33/644 ,  H01L33/647 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48233 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 半導體封裝基板具有穿透矽插塞(或通孔)可提供需要熱管理之半導體晶片水平與垂直的散熱途徑。具有高負載比設計之穿透矽插塞能有效增加散熱性。當穿透矽插塞採用雙面梳圖案時,其負載比可高達大於或等於50%。具有高負載比之封裝基板可用於產生大量熱的半導體晶片。舉例來說,半導體晶片可為發光二極體晶片。

Abstract in simplified Chinese: 半导体封装基板具有穿透硅插塞(或通孔)可提供需要热管理之半导体芯片水平与垂直的散热途径。具有高负载比设计之穿透硅插塞能有效增加散热性。当穿透硅插塞采用双面梳图案时,其负载比可高达大于或等于50%。具有高负载比之封装基板可用于产生大量热的半导体芯片。举例来说,半导体芯片可为发光二极管芯片。

公开(公告)号：TWI493747B

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：TW098106641

申请日：2009-03-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  余佳霖 ,  YU, CHIA LIN ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH ,  陳鼎元 ,  CHEN, DING YUAN ,  林宏達 ,  LIN, HUNG TA

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

公开(公告)号：TWI380476B

公开(公告)日：2012-12-21

申请号：TW098107515

申请日：2009-03-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 ,  邱文智 ,  陳鼎元 ,  余佳霖 ,  林宏達

IPC: H01L

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

Abstract: 本發明提供一種發光二極體(LED)裝置及其製造方法，此發光二極體裝置包括：一半導體基板；凸起區域，形成在上述半導體基板上，上述凸起區域包括一半導體材料；一第一接觸層，位於上述凸起區域上，上述第一接觸層具有一非平坦表面；一非平坦的活性層，位於上述第一接觸層上；以及一第二接觸層，位於上述非平坦的活性層上，上述第二接觸層具有一平坦表面。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种发光二极管(LED)设备及其制造方法，此发光二极管设备包括：一半导体基板；凸起区域，形成在上述半导体基板上，上述凸起区域包括一半导体材料；一第一接触层，位于上述凸起区域上，上述第一接触层具有一非平坦表面；一非平坦的活性层，位于上述第一接触层上；以及一第二接触层，位于上述非平坦的活性层上，上述第二接触层具有一平坦表面。

公开(公告)号：TW201010147A

公开(公告)日：2010-03-01

申请号：TW098129011

申请日：2009-08-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 ,  余佳霖 ,  陳鼎元 ,  邱文智 ,  林宏達

IPC: H01L

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/223 ,  H01L21/26506 ,  H01L33/025

Abstract: 本發明提供一種發光二極體裝置及其製造方法。上述發光二極體裝置係形成於一基板上，其具有一含碳層。於上述基板中導入碳原子以避免或降低其上的金屬/金屬合金過渡層的原子與上述基板的原子混合。上述方法係使形成於其上的上述發光二極體結構能維持一結晶結構。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种发光二极管设备及其制造方法。上述发光二极管设备系形成于一基板上，其具有一含碳层。于上述基板中导入碳原子以避免或降低其上的金属/金属合金过渡层的原子与上述基板的原子混合。上述方法系使形成于其上的上述发光二极管结构能维持一结晶结构。

公开(公告)号：TW201005828A

公开(公告)日：2010-02-01

申请号：TW098106328

申请日：2009-02-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 ,  余佳霖 ,  陳鼎元 ,  邱文智

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02664

Abstract: 一種形成半導體結構的方法，包括：提供一基底；形成一緩衝/成核層於該基底上；形成一第III族氮化物層於該緩衝/成核層上；以及使該第III族氮化物層受到氮化。形成該第III族氮化物層的步驟包括金屬有機氣相化學沈積。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成半导体结构的方法，包括：提供一基底；形成一缓冲/成核层于该基底上；形成一第III族氮化物层于该缓冲/成核层上；以及使该第III族氮化物层受到氮化。形成该第III族氮化物层的步骤包括金属有机气相化学沉积。

公开(公告)号：TW201003990A

公开(公告)日：2010-01-16

申请号：TW098100447

申请日：2009-01-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 ,  林宏達 ,  陳鼎元 ,  邱文智 ,  余佳霖

IPC: H01L

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12

Abstract: 本發明提供一種半導體結構，包括：一基底；一應力調和層，位於該基底上方；多個開口區及多個應力調和區，位於該基底上方；以及多個磊晶層，位於該基底上方，至少位於該些開口區內，於其中形成LED結構。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体结构，包括：一基底；一应力调和层，位于该基底上方；多个开口区及多个应力调和区，位于该基底上方；以及多个磊晶层，位于该基底上方，至少位于该些开口区内，于其中形成LED结构。

公开(公告)号：TWI484657B

公开(公告)日：2015-05-11

申请号：TW098115303

申请日：2009-05-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  林宏達 ,  LIN, HUNG TA ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH ,  陳鼎元 ,  CHEN, DING YUAN ,  余佳霖 ,  YU, CHIA LIN

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/48 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24

公开(公告)号：TWI482262B

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：TW098107980

申请日：2009-03-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳鼎元 ,  CHEN, DING YUAN ,  余佳霖 ,  YU, CHIA LIN ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH

IPC: H01L25/13 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L33/60

公开(公告)号：TWI469187B

公开(公告)日：2015-01-11

申请号：TW098126909

申请日：2009-08-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  余佳霖 ,  YU, CHIA LIN ,  陳鼎元 ,  CHEN, DING YUAN ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH ,  林宏達 ,  LIN, HUNG TA

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/007