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1.

发明专利
半導體封裝結構及其製造方法审中-公开
Simplified title: 半导体封装结构及其制造方法

公开(公告)号：TW201813023A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106111706

申请日：2017-04-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 洪瑞斌 , HUNG, JUI-PIN , 許峰誠 , HSU, FENG-CHENG , 陳碩懋 , CHEN, SHUO-MAO , 鄭心圃 , JENG, SHIN-PUU , 廖德堆 , LIAO, DE-DUI MARVIN

IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/10

CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81005 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2924/1434 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/81

Abstract: 一種半導體封裝結構包含一重佈層(RDL)、一晶片、複數個互連凸塊及一囊封物。該重佈層具有彼此相對之一第一表面及一第二表面。該晶片在複數個接點墊面對該第一表面之情況下放置在該重佈層上方且電連接至該重佈層。該等互連凸塊放置在該第一表面上方且電連接至該重佈層。該囊封物放置在該重佈層之該第一表面上方，且該囊封物封圍該晶片並環繞該等互連凸塊之側向壁。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体封装结构包含一重布层(RDL)、一芯片、复数个互连凸块及一囊封物。该重布层具有彼此相对之一第一表面及一第二表面。该芯片在复数个接点垫面对该第一表面之情况下放置在该重布层上方且电连接至该重布层。该等互连凸块放置在该第一表面上方且电连接至该重布层。该囊封物放置在该重布层之该第一表面上方，且该囊封物封围该芯片并环绕该等互连凸块之侧向壁。

2.

发明专利
三層封裝上封裝結構及其製造方法审中-公开
Simplified title: 三层封装上封装结构及其制造方法

公开(公告)号：TW201806047A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106107437

申请日：2017-03-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 洪瑞斌 , HUNG, JUI-PIN , 許峰誠 , HSU, FENG-CHENG , 鄭心圃 , JENG, SHIN-PUU

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0652 , H01L21/31053 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76885 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/02311 , H01L2224/0237 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/81815 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/06572 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/01029 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/37001 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83

Abstract: 一種方法包含形成第一複數個重佈線，形成第一金屬柱於該第一複數個重佈線上方並且電連接至該第一複數個重佈線，以及接合第一裝置晶粒至該第一複數個重佈線。該第一金屬柱與該第一裝置晶粒被囊封於第一囊封材料中。而後，平坦化該第一囊封材料。該方法另包含形成第二金屬柱於該第一金屬柱上方並且電連接至該第一金屬柱，經由黏著膜而附接第二裝置晶粒至該第一囊封材料，囊封該第二金屬柱與該第二裝置晶粒於第二囊封材料中，平坦化該第二囊封材料，以及形成第二複數個重佈線於該第二金屬柱與該第二裝置晶粒上方並且電耦合至該第二金屬柱與該第二裝置晶粒。

Abstract in simplified Chinese: 一种方法包含形成第一复数个重布线，形成第一金属柱于该第一复数个重布在线方并且电连接至该第一复数个重布线，以及接合第一设备晶粒至该第一复数个重布线。该第一金属柱与该第一设备晶粒被囊封于第一囊封材料中。而后，平坦化该第一囊封材料。该方法另包含形成第二金属柱于该第一金属柱上方并且电连接至该第一金属柱，经由黏着膜而附接第二设备晶粒至该第一囊封材料，囊封该第二金属柱与该第二设备晶粒于第二囊封材料中，平坦化该第二囊封材料，以及形成第二复数个重布线于该第二金属柱与该第二设备晶粒上方并且电耦合至该第二金属柱与该第二设备晶粒。

3.

发明专利
半導體裝置及其形成方法有权
Simplified title: 半导体设备及其形成方法

公开(公告)号：TWI555074B

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：TW101103483

申请日：2012-02-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林俊成 , LIN, JING CHENG , 黃震麟 , HUANG, CHENG LIN , 盧思維 , LU, SZU WEI , 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU , 余振華 , YU, CHEN HUA

IPC: H01L21/304 , H01L25/04

CPC classification number: H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/16 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/562 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2225/06593 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00

4.

发明专利
半導體裝置及其形成方法有权
Simplified title: 半导体设备及其形成方法

公开(公告)号：TWI525720B

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：TW102148373

申请日：2013-12-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN , 林俊成 , LIN, JING CHENG , 蔡柏豪 , TSAI, PO HAO , 林儀柔 , LIN, YI JOU , 陳碩懋 , CHEN, SHUO MAO , 葉炅翰 , YEH, CHIUNG HAN , 葉德強 , YEH, DER CHYANG

IPC: H01L21/58 , H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/76843 , H01L21/82 , H01L23/28 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/11 , H01L24/19 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/83 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/82

5.

发明专利
半導體裝置封裝體及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE WITH THROUGH SILICON VIAS 审中-公开
Simplified title: 半导体设备封装体及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE WITH THROUGH SILICON VIAS

公开(公告)号：TW201135896A

公开(公告)日：2011-10-16

申请号：TW100106856

申请日：2011-03-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 , 余佳霖 , 黃見翎 , 張宏賓 , 林詠淇 , 洪瑞斌

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/3065 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L33/005 , H01L33/0054 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L33/644 , H01L33/647 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/32506 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48233 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/04941 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2933/0066 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 具有穿矽插塞(或導孔)的基板可不需使用導電凸塊。製程流程非常簡單且有成本效益。本結構將個別的矽穿孔、重分佈層及導電凸塊結構結合至單一結構中。經由結合個別的結構,可以得到一具有高散熱能力的低電阻電性連接。另外,具有穿矽插塞(或導孔,或溝槽)的基板也使得複數個晶片可以封裝在一起。穿矽溝槽可圍繞一個或多個晶片,以在製程中避免銅擴散到鄰近裝置。另外,複數個具有相似或相異功能的晶片可整合在矽穿孔基板上。具不同圖案的穿矽插塞可用在一半導體晶片之下以增進散熱及解決製程問題。

Abstract in simplified Chinese: 具有穿硅插塞(或导孔)的基板可不需使用导电凸块。制程流程非常简单且有成本效益。本结构将个别的硅穿孔、重分布层及导电凸块结构结合至单一结构中。经由结合个别的结构,可以得到一具有高散热能力的低电阻电性连接。另外,具有穿硅插塞(或导孔,或沟槽)的基板也使得复数个芯片可以封装在一起。穿硅沟槽可围绕一个或多个芯片,以在制程中避免铜扩散到邻近设备。另外,复数个具有相似或相异功能的芯片可集成在硅穿孔基板上。具不同图案的穿硅插塞可用在一半导体芯片之下以增进散热及解决制程问题。

6.

发明专利
半導體封裝基板 SEMICONDUCTOR PACKAGE SUBSTRATE 审中-公开
Simplified title: 半导体封装基板 SEMICONDUCTOR PACKAGE SUBSTRATE

公开(公告)号：TW201135884A

公开(公告)日：2011-10-16

申请号：TW100102608

申请日：2011-01-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 , 張宏賓 , 林詠淇 , 余佳霖 , 洪瑞斌 , 黃見翎

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/3065 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L33/005 , H01L33/0054 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L33/644 , H01L33/647 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/32506 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48233 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/04941 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2933/0066 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 半導體封裝基板具有穿透矽插塞(或通孔)可提供需要熱管理之半導體晶片水平與垂直的散熱途徑。具有高負載比設計之穿透矽插塞能有效增加散熱性。當穿透矽插塞採用雙面梳圖案時,其負載比可高達大於或等於50%。具有高負載比之封裝基板可用於產生大量熱的半導體晶片。舉例來說,半導體晶片可為發光二極體晶片。

Abstract in simplified Chinese: 半导体封装基板具有穿透硅插塞(或通孔)可提供需要热管理之半导体芯片水平与垂直的散热途径。具有高负载比设计之穿透硅插塞能有效增加散热性。当穿透硅插塞采用双面梳图案时,其负载比可高达大于或等于50%。具有高负载比之封装基板可用于产生大量热的半导体芯片。举例来说,半导体芯片可为发光二极管芯片。